【技术实现步骤摘要】
极紫外光设备及防止极紫外光光源装置被污染的方法
本公开实施例涉及一种防止污染的方法,特别涉及一种防止设备被污染的方法。
技术介绍
随着半导体装置的微缩化,不同的制程技术(例如,黄光微影)适合以允许制造越来越小的尺寸的装置。举例来说,随着栅极密度增加,装置的不同特征(例如,上覆导线的特征)的制造过程适合整个装置特征的微缩化兼容。然而,随着半导体制程具有越来越小的制程窗,这些装置的制造已接近甚至超越黄光微影设备的理论极限。随着半导体装置持续缩小,装置的元件之间的所需空间(亦即间距)小于利用传统光学遮罩及黄光微影设备可制造出之间距。
技术实现思路
根据本公开的一些实施例,提供一种防止极紫外光光源装置被污染的方法,包括在极紫外光光源装置内由微滴产生器制造微滴流,微滴流包括第一材料。提供气体屏障在微滴流周围。提供气体屏障同时,发出激光以蒸发来自微滴流的微滴,以制造极紫外光辐射以及第一材料的粒子,其中第一材料的粒子通过气体屏障被引导至微粒捕捉器。根据本公开的一些实施例,提供一种防止极紫外光光源装置被污染的方法,包括在极紫外光光源装置内由微滴产生器制造第一材料的微滴流;利用正电压偏 ...
【技术保护点】
1.一种防止极紫外光光源装置被污染的方法,包括:在一极紫外光光源装置内由一微滴产生器制造一微滴流,该微滴流包括一第一材料;提供一气体屏障在该微滴流周围;以及在提供该气体屏障的同时,发出一激光以蒸发来自该微滴流的一微滴,以制造极紫外光辐射以及该第一材料的粒子,其中该第一材料的所述粒子通过该气体屏障被引导至一微粒捕捉器。
【技术特征摘要】
2018.04.30 US 15/967,1531.一种防止极紫外光光源装置被污染的方法,包括:在一极紫外光光源装置内由一微滴产生器制造一微滴流,该微滴流包括一第一材料;提供一气体屏障在该微滴流周围;以及在提供该气体屏障的同时,发出一激光以蒸发来自该微滴流的一微滴,以制造极紫外光辐射以及该第一材料的粒子,其中该第一材料的所述粒子通过该气体屏障被引导至一微粒捕捉器。2.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法,还包括:控制该气体屏障的一流量,使得在该极紫外光光源装置内维持一真空。3.如权利要求1所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法,其中通过设置于该微滴产生器的一喷嘴周围的一气体注射管提供该气体屏障,其中该微滴流通过该气体注射管。4.如权利要求3所述的防止极紫外光光源装置被污染的方法,其中,该气体注射管包括多重孔洞,其中,该气体屏障包括一第一气体屏障以及一第二气体屏障,其中,该第一气体屏障由该气体注射管的所述多重孔洞的一第一孔洞提供,且其中,该第二气体屏障由该气体注射管的所述多重孔洞的一第二孔洞提供。5.一种防止极紫外光光源装置被污染的方法,包括:在一极紫外光光源装置内由一微滴产生器制造一第一材料的一微滴流;利用一正电压偏压该极紫外光光源装置的一收集器;利用一负电压偏压该极紫外光光源装置的叶片;以及蒸发该第一材料微滴流的一微...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴明发,傅中其,林俊泽,郑博中,杨怀德,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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