一种等离子切割晶圆用的保护溶液及其在加工晶圆中的应用方法技术

本发明专利技术公开了一种等离子切割晶圆用的保护溶液及其在加工晶圆中的应用方法，该保护溶液包括含聚乙烯醇的水溶性树脂、溶剂和提升聚乙烯醇和溶剂相溶的助剂，能够在晶圆表面快速成膜，且成膜后强度高，具有良好的耐热性，在晶圆加工时，能够有效避免冷凝后的硅蒸气或其他在加工过程中产生的碎屑沉积在芯片表面，提升产品的质量和可靠度，具有良好的皮膜移除性；该应用方法将该保护溶液应用在晶圆加工中，可以将该方法运用在薄晶圆上，可以提升切割精度、切割速度，可以切割成任意形状，再加上切割前的均匀涂布保护溶液获得高强度的水溶性掩膜，可以避免切屑或裂纹、热应力问题。

A protective solution for plasma cutting wafer and its application in wafer processing

【技术实现步骤摘要】
一种等离子切割晶圆用的保护溶液及其在加工晶圆中的应用方法
本专利技术属于芯片制造
，特别涉及用于等离子切割晶圆过程中的保护溶液及该保护溶液在晶圆加工中的应用。
技术介绍
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品。其中，晶圆结构的制作通常包括前段制程和后段制程。通常在晶圆上会形成由层叠绝缘膜和功能膜组成的功能层，半导体晶圆在激光切割过程中，要在其上形成各种电路，并且经由表面处理后，切割晶圆，制造出芯片。其中，切割(即晶圆划片)是半导体芯片制造工艺流程中的一道必不可少的工序，在晶圆制造中属后道工序。将做好芯片的整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片(晶粒)，称之为晶圆划片。现有的切割(又称切断分离)过程是通过切割刀具沿着晶片的切割道进行，虽然现在的晶圆切割已经由原来的利用简单刀片切割，演变为利用激光切割以及等离子切割，但是激光沿着晶圆的切割道照射切割时，所产生的热能容易被晶圆吸收，热能吸收后容易导致硅熔解或热分解，产生硅蒸气而凝结、沉积在晶圆上，造成晶圆的周围边缘产生切屑；另外由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，包括含聚乙烯醇的水溶性树脂、溶剂和提升聚乙烯醇和溶剂相溶的助剂；所述聚乙烯醇的聚合度大于或等于2000，其碱化度为91‑100％；其中以所述聚乙烯醇为100重量份计，所述溶剂为60‑95重量份。

【技术特征摘要】
1.一种等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，包括含聚乙烯醇的水溶性树脂、溶剂和提升聚乙烯醇和溶剂相溶的助剂；所述聚乙烯醇的聚合度大于或等于2000，其碱化度为91-100％；其中以所述聚乙烯醇为100重量份计，所述溶剂为60-95重量份。2.如权利要求1所述的等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，所述聚乙烯醇的聚合度为2000至3500。3.如权利要求1所述的等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，所述溶剂包括水和有机溶剂中一种或两种配合使用。4.如权利要求1所述的等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，所述助剂包括表面活性剂、消泡剂和流平剂中一种或任意种配合使用。5.如权利要求4所述的等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，所述表面活性剂为0.1-4重量份，且所述表面活性剂包括聚氧乙烯酯类、聚氧乙烯酸类、聚酸类、脂肪醇烷氧基类、硬脂酸类、丙三醇和磷酸盐类中一种或任意种配合使用。6.如权利要求4所述的等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，所述消泡剂包括甲基酸类、聚酸醋类、聚乙二醇类和高级醇类中一种或任意种配合使用。7.如权利要求4所述的等离子切割晶圆用的保护溶液，其特征在于，所述流平剂为0.1-6重量份，且所述流平剂包括聚氧乙烯酸类、醇酸类、醋酸盐类、丙烯酸类、低级醇类、...

【专利技术属性】
技术研发人员：张少波，
申请(专利权)人：深圳泰研半导体装备有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44