含银薄膜蚀刻液组合物、用其制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种含银薄膜蚀刻液组合物、利用它制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法，相对于组合物的总重量，该含银薄膜蚀刻液组合物包含40.0至60.0重量％的磷酸、5.0至9.0重量％的硝酸、0.1至4.0重量％的硝酸铁、0.5至5.0重量％的无机酸盐及余量的水。

Silver containing film etching solution composition, array substrate for display device manufactured with it and manufacturing method thereof

【技术实现步骤摘要】
含银薄膜蚀刻液组合物、用其制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法
本专利技术涉及一种含银薄膜蚀刻液组合物、利用它制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法。
技术介绍
随着步入真正的信息化时代，用于处理及显示大量信息的显示器领域急速发展，与此相应地开发了多种平板显示器并受到关注。作为这种平板显示装置的示例，可列举液晶显示器装置(Liquidcrystaldisplaydevice：LCD)、等离子体显示装置(PlasmaDisplayPaneldevice：PDP)、场致发射显示装置(FieldEmissionDisplaydevice：FED)、有机发光元件(OrganicLightEmittingDiodes：OLED)等。作为一示例，由于OLED元件自身发出光且在低电压下也能够被驱动，因此OLED目前不仅在便携设备等小型显示装置市场中迅速应用，而且随着显示装置的大屏幕化趋势，在大型TV等中得到商用化。随着实现显示装置的大屏幕化，布线等被加长而导致布线电阻增加，因此需要能够降低电阻以实现显示装置的大型化及高分辨率的方法。为了解决因电阻增加而导致的信号延迟等问题，有必要利用具有最低比电阻的材料来形成上述布线。作为这种努力的一环节，正在致力于通过将与其他金属相比具有较低的比电阻、较高的亮度和导电率的银(Ag：比电阻为约1.59μΩcm)膜、银合金膜或包含银膜或银合金膜的多层膜应用到滤色器的电极、布线及反射膜等中来实现平板显示装置的大型化、高分辨率及低电耗等，因此需要用于应用到这种材料的蚀刻液。在利用含银(Ag)薄膜的情况下，虽然在低分辨率显示装置中银再吸附现象不会造成问题，但在高分辨率显示装置技术中银再吸附现象显著造成问题。与此相关联地，以往开发了利用包含磷酸、醋酸或硝酸的蚀刻液组合物(韩国授权专利公报第10-0579421号)等来对含银薄膜进行蚀刻的方法，但在包含醋酸的情况下因醋酸的强挥发性而存在经时稳定性下降的问题，并且发生直进性控制效果降低的问题等。现有技术文献专利文献专利文献1：韩国授权专利公报第10-0579421号
技术实现思路
技术问题本专利技术是为了解决上述现有技术的问题而提出的，其目的是提供一种含银薄膜蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物在蚀刻含银金属膜时改善经时稳定性问题，并且由于几乎不存在银残渣及银再吸附现象而呈现出优异的效果，而且具有优异的直进性。此外，本专利技术的目的是提供一种使用所述蚀刻液组合物制造的用于显示装置的阵列基板及其制造方法。技术手段本专利技术提供一种含银薄膜蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物相对于组合物的总重量，包含40.0至60.0重量％的磷酸、5.0至9.0重量％的硝酸、0.1至4.0重量％的硝酸铁、0.5至5.0重量％的无机酸盐及余量的水。此外，本专利技术提供一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，包括：a)步骤：在基板上形成栅极布线；b)步骤：在包含所述栅极布线的基板上形成栅极绝缘层；c)步骤：在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；d)步骤：在所述氧化物半导体层上形成源极电极和漏极电极；以及e)步骤：形成与所述漏极电极连接的像素电极，其特征在于，所述e)步骤包括以下步骤：在基板上形成含银(Ag)薄膜，并且利用上述含银薄膜蚀刻液组合物进行蚀刻而形成像素电极或反射膜。此外，本专利技术提供一种使用上述蚀刻液组合物来进行蚀刻而成的用于显示装置的阵列基板。专利技术效果本专利技术提供一种含银薄膜蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物在蚀刻含银金属膜时改善经时稳定性问题，并且由于几乎不存在银残渣及银再吸附现象而呈现出优异的效果，而且具有优异的直进性。此外，本专利技术提供一种使用上述蚀刻液组合物制造用于显示装置的阵列基板的方法。附图说明图1是表示直进性优良的照片，其是使用实施例1的组合物来蚀刻实验例的试验片时的SEM照片。图2是表示直进性不良的照片，其是使用比较例1的组合物来蚀刻实验例的试验片时的SEM照片。具体实施方式本专利技术提供一种含银薄膜蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物相对于组合物的总重量，包含40.0至60.0重量％的磷酸、5.0至9.0重量％的硝酸、0.1至4.0重量％的硝酸铁、0.5至5.0重量％的无机酸盐及余量的水，该蚀刻液组合物在蚀刻银金属膜时改善经时稳定性问题，并且几乎不存在银残渣及银再吸附现象而呈现出优异的效果，而且具有优异的直进性。在本专利技术中，含银薄膜可包含银或银合金的单层膜、或由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜，但并不限于此。在本专利技术中，透明传导膜可以是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化铟镓锌(IGZO)等组成的组中的一种以上，但并不限于此。在本专利技术中，银合金可包含银(Ag)、以及选自、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、锡(Sn)、钯(Pd)、钕(Nd)、铌(Nb)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)、铝(Al)及钛(Ti)中的一种以上，但并不限于此。在本专利技术中，由单层膜和透明传导膜构成的多层膜可以是透明传导膜/银、透明传导膜/银合金、透明传导膜/银/透明传导膜、或透明传导膜/银合金/透明传导膜，但并不限于此。所述透明传导膜/银/透明传导膜可以是a-ITO/AgX/a-ITO，但并不限于此。本专利技术的透明传导膜的特征在于其为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)及氧化铟镓锌(IGZO)。在本专利技术的蚀刻液中所包含的磷酸(H3PO4)为用作主解离剂的成分，执行通过使银(Ag)和透明传导膜氧化而进行湿式蚀刻的作用。相对于蚀刻液组合物的总重量，磷酸含量可以是40.0至60.0重量％。在磷酸含量小于40重量％的情况下，有可能会引起银的蚀刻速度降低和蚀刻轮廓不良，且增加Ag再吸附；在磷酸含量大于60重量％的情况下，降低透明传导膜的蚀刻速度，并且银的蚀刻速度过快，产生上下部透明传导膜的尖端(Tip)，因而具有在后续工序中造成问题的不利点。在本专利技术的蚀刻液中所包含的硝酸(HNO3)为用作氧化剂的成分，执行通过使银(Ag)和透明传导膜氧化而进行湿式蚀刻的作用。相对于蚀刻液组合物的总重量，硝酸含量可以是5.0至9.0重量％。在硝酸含量小于5.0重量％的情况下，引起银(Ag)和ITO的蚀刻速度降低，导致基板内的蚀刻均匀性(Uniformity)不良，因而发生斑纹；在硝酸含量大于9.0重量％的情况下，因上下部透明传导膜的蚀刻速度加速而发生上下部透明传导膜的底切，因而具有在后续工序中造成问题。本专利技术的蚀刻液中的硝酸铁为用作辅助氧化剂及Ag配位体的成分，在湿式蚀刻时减少薄膜对Ag的再吸附且为了均匀地蚀刻而调节蚀刻速度。相对于蚀刻液组合物的总重量，硝酸铁含量可以是0.1至4.0重量％。在硝酸铁含量小于0.1重量％的情况下，降低基板内的蚀刻均匀性(Uniformity)且有可能会在基板内局部生成银残渣；在硝酸铁含量大于4.0重量％的情况下，有可能因蚀刻速度降低而无法实现所需的蚀刻速度。本专利技术的蚀刻液中的无机酸盐为在蚀刻之后控制直进性的成分，相对于蚀刻液组合物的总重量，无机酸盐含量可以是0.5～5重量％。在所述无机酸盐含量小于0.5重量％的情况下，因直进性不良而导致电特性下降并且有可能会在基板内局部生成残渣；在所述无机酸盐含量大于5.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含银薄膜蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，包含40.0重量％至60.0重量％的磷酸、5.0重量％至9.0重量％的硝酸、0.1重量％至4.0重量％的硝酸铁、0.5重量％至5.0重量％的无机酸盐及余量的水。

【技术特征摘要】
2018.03.26 KR 10-2018-00346811.一种含银薄膜蚀刻液组合物，相对于组合物的总重量，包含40.0重量％至60.0重量％的磷酸、5.0重量％至9.0重量％的硝酸、0.1重量％至4.0重量％的硝酸铁、0.5重量％至5.0重量％的无机酸盐及余量的水。2.根据权利要求1所述的含银薄膜蚀刻液组合物，其中，所述无机酸盐为选自由硝酸、硫酸或磷酸的钾盐、钠盐及铵盐组成的组中的一种以上。3.根据权利要求1所述的含银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述含银薄膜包括银或银合金的单层膜、或者由所述单层膜和透明传导膜构成的多层膜。4.根据权利要求3所述的含银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明传导膜为选自由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌组成的组中的一种以上。5.根据权利要求3所述的含银薄膜蚀刻液组合物，其特征在于，所述银合金包含银、以及选自由镍、铜、锌、锰、铬、锡、钯、钕、铌、钼、镁、钨、镤、铝...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晌勋，权五柄，崔亨燮，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR