不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物制造技术

本发明专利技术公开了一种制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物及利用此的金属配线形成方法。提供一种蚀刻液组合物，包含：所述有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，并且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

Composition of InSnO/Ag Multilayer Etching Solution Containing No Phosphate

【技术实现步骤摘要】
不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物
本专利技术涉及不包含磷酸盐的氧化铟锡/银(ITO/Ag)多层膜蚀刻液组合物，更详细地，涉及当制造显示器时使用于金属配线制造工序的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物。
技术介绍
目前，显示器市场的趋势(Trend)已呈现出液晶显示器(LCD)的局限点，并且由于有机发光二极管(OLED)的优点，有机发光二极管的开发和各种范围的应用正在被越来越多的尝试。有机发光二极管是一种具有很多优点的显示器装置。与液晶显示器相比，有机发光二极管的对比度、视角、响应速度更优秀，并可以使显示器装置的厚度更薄，而且由于宽视角及形态变形自由，也可适用于柔性显示器。而且，有机发光二极管在结构上不使用背光模组(Backlightunit，BLU)和彩色滤光片(ColorFilter)。这是因为有机发光二极管为自身发光元件，因而不额外需要用于产生其他规定的光的装置。因此，在有机发光二极管中，为了防止光损失，使用包含银(Ag)的氧化铟锡/银/氧化铟锡(ITO/Ag/ITO)多层膜来构成特定配线。ITO是IdiumTinOxide的简称，是一种透明且导电的物质。氧化烟锡电导率优秀、带隙(Band-gap)为2.5eV以上，可在可见光区域表现出高透射性，因此用于各种显示器面板、电磁波屏蔽膜(Film)、有机电致发光(EL)等。而且，与其他透明电极材料相比，电极图案加工性优秀、化学稳定性和热稳定性突出、涂敷(Coating)时电阻低。并且，银的电阻率低、亮度高且电导率高，因此在构成有机发光二极管的配线方面具有有利的优点。但是，在使用含有银的氧化铟锡/银/氧化铟锡膜的情况下，使用现有的蚀刻液组合物会导致在配线蚀刻工序时形成氧化铟锡/银/氧化铟锡的大的切割尺寸偏斜(Cutdimensionskew，CD-Skew)，致使配线宽度的余量差，并且根据蚀刻工序环境，不均匀的切割尺寸偏斜的形成导致配线均匀度不良。而且，因不均匀蚀刻的发生，可能产生银残渣，并且可与构成下层配线的金属进行反应，产生还原性银析出物。存在银残渣与析出物会产生称之为暗点的不合格的问题。尤其，在诱发银还原性析出物的下部配线的情况下，以包含铝(Al)的钛/铝/钛(Ti/Al/Ti)配线为主，并且在使用现有的蚀刻液组合物来进行蚀刻工序的情况下，铝会损伤(Damage)，当发生铝损伤(AlDamage)时，通过所产生的电子来与银离子进行反应，从而成为诱发银还原性析出物的主要原因。虽然所述铝损伤，但钛(Ti)没有损伤，因此上层钛像尖(Tip)一样突出的钛尖(TiTip)在蚀刻工序之后断裂，并朝向主要配线部移动，从而成为暗点与配线不良的原因。这由特定组成成分引起，因此需要开发一种不含有特定组成成分的新型蚀刻液。
技术实现思路
需要解决的课题因此，本专利技术的目的在于，提供一种组合物，即，不包含磷酸盐，而且即使统一蚀刻氧化铟锡/银/氧化铟锡配线，小的切割尺寸偏斜与经时性也得到提高。本专利技术的另一目的在于，提供一种组合物，即，不存在因银的蚀刻率高而导致银残渣的问题，而且不发生铝损伤、析出及钛尖。课题的解决手段为达成所述目的，本专利技术提供一种蚀刻液组合物，其包含：有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基(Dicarbonyl)化合物、以及余量的水，所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。其中，优选地，所述有机酸化合物的阴离子选自由醋酸盐(acetate)、苹果酸盐(malate)、柠檬酸盐(citrate)、酒石酸盐(Tartarate)、乳酸盐(Lactate)、甲酸盐(Formate)、琥珀酸盐(Succinate)及富马酸盐(fumarate)组成的组。专利技术效果本专利技术的不包含磷酸盐的氧化铟锡/银多层膜蚀刻液组合物可提供一种蚀刻液组合物，即，即使不包含磷酸盐，银的蚀刻率也高，而且小的切割尺寸偏斜与经时性也得到提高。附图说明图1为通过本专利技术实施例1至实施例15的蚀刻组合物蚀刻的包含层叠的氧化铟锡/银/氧化铟锡多层膜及光致抗蚀剂图案的样品的镜下(Scope)及扫描电子显微镜(SEM)照片。图2为通过本专利技术的比较例1至比较例23的蚀刻组合物蚀刻的包含层叠的氧化铟锡/银/氧化铟锡多层膜及光致抗蚀剂图案的样品的镜下(Scope)照片及扫描电子显微镜(SEM)照片。具体实施方式以下，参照附图更加详细地说明本专利技术。本专利技术的蚀刻液组合物提供一种蚀刻液组合物，即，包含有机酸化合物的阴离子、磺酸化合物的阴离子、硝酸根离子、硫酸根离子、包含氮的二羰基化合物以及余量的水，而且所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。所述蚀刻液组合物的硝酸根离子为用于主要地氧化银膜的主氧化剂，在银蚀刻工序中，硝酸根离子(nitrate，NO3-)与银进行反应来蚀刻银膜。通过所述反应可将作为无机酸化合物的硝酸(HNO3)分解为硝酸银(AgNO3，SilverNitrate)、一氧化氮(NO，Nitricoxide)与水(Water，H2O)，来降低银膜的蚀刻速度。所述硝酸根离子含量可以为1重量百分比至20重量百分比，优选地，可以为5重量百分比至15重量百分比。若硝酸根离子的含量高于20重量百分比，则蚀刻率过高，难以控制蚀刻程度，由此，包含所述银的金属膜可被过度蚀刻。若硝酸根离子的含量少于1重量百分比，则可导致蚀刻率降低，从而不能充分地进行蚀刻。在所述蚀刻液组合物中，有机酸化合物的阴离子是与作为银的主氧化剂的硝酸根离子有关的辅助氧化剂。在硝酸根离子(4NO3-)与银(3Ag)反应来蚀刻银的情况下，硝酸根离子可被分解为3AgNO3、NO及2H2O，蚀刻速度下降，而有机酸化合物的阴离子抑制硝酸根离子的分解，来恒定维持含有银的金属膜的蚀刻速度。而且，所述有机酸化合物的阴离子可包含有机酸化合物失去氢离子后的阴离子盐的形态。所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比，优选地，可以为40重量百分比至48重量百分比。若有机酸化合物的阴离子的含量高于50重量百分比，则可因银膜的蚀刻速度过快而诱发冲蚀不良，并且若少于35重量百分比，则硝酸根离子可通过减少分解抑制效果来抑制稳定性，并可产生银残渣。作为具体例，所述有机酸化合物的阴离子可以为选自由醋酸盐(acetate，CH3COO-)、苹果酸盐(malate)、柠檬酸盐(citrate)、酒石酸盐(Tartarate)、乳酸盐(Lactate)、甲酸盐(Formate)、琥珀酸盐(Succinate)、富马酸盐(Fumarate)及它们的混合物组成的组中的一种以上。对于有机酸化合物，无水和含水均可选择来使用。作为本专利技术的另一实施例，有机酸化合物的阴离子可包含：第一有机酸化合物的阴离子，选自由醋酸盐、乳酸盐、甲酸盐及它们的混合物组成的组中的一种以上；以及第二有机酸化合物的阴离子，选自由柠檬酸盐、苹果酸盐、酒石酸盐、琥珀酸盐、富马酸盐及它们的混合物组成的组中的一种以上。作为另一实施例，第一有机酸化合物的阴离子可包含醋酸盐，第二有机酸化合物的阴离子可包含柠檬酸盐，而且相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，醋酸盐的含量可以为15重量百分比至25重量百分比，柠本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种蚀刻液组合物，其特征在于，包含：有机酸化合物的阴离子；磺酸化合物的阴离子；硝酸根离子；硫酸根离子；包含氮的二羰基化合物；以及余量的水，所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。

【技术特征摘要】
2018.03.23 KR 10-2018-00340641.一种蚀刻液组合物，其特征在于，包含：有机酸化合物的阴离子；磺酸化合物的阴离子；硝酸根离子；硫酸根离子；包含氮的二羰基化合物；以及余量的水，所述有机酸化合物的阴离子的含量为35重量百分比至50重量百分比。2.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸化合物的阴离子选自由醋酸盐、苹果酸盐、柠檬酸盐、酒石酸盐、乳酸盐、甲酸盐、琥珀酸盐及富马酸盐组成的组。3.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述有机酸化合物的阴离子，包含：第一有机酸化合物的阴离子，选自由醋酸盐、乳酸盐、甲酸盐及它们的混合物组成的组；以及第二有机酸化合物的阴离子，选自由柠檬酸盐、苹果酸盐、酒石酸盐、琥珀酸盐、富马酸盐及它们的混合物组成的组。4.根据权利要求3所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述第一有机酸化合物的阴离子为醋酸盐，第二有机酸化合物的阴离子为柠檬酸盐。5.根据权利要求4所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，醋酸盐的含量为15重量百分比至25重量百分比，柠檬酸盐的含量为20重量百分比至25重量百分比。6.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，所述磺酸化合物的阴离子选自由甲磺酸盐、对甲苯磺酸盐、苯磺酸盐、氨基甲磺酸盐、氨基磺酸盐及它们的混合物组成的组。7.根据权利要求1所述的蚀刻液组合物，其特征在于，相对于100重量百分比的所述蚀刻液组合物，包含1重量百分比至10重量百分比的磺酸化合物的阴离子、1重量百分比至20重量百分比的硝...

【专利技术属性】
技术研发人员：申贤哲，李相赫，金奎佈，
申请(专利权)人：东进世美肯株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR