含银薄膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及含银薄膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法，相对于蚀刻液组合物的总重量，所述蚀刻液组合物包含：30至60重量％的磷酸；1至9重量％的硝酸；0.1至10重量％的硝酸铁；0.1至10重量％的不包括醋酸的羧酸类有机酸；以及余量的水，从而在蚀刻含银薄膜时改善经时稳定性及透明导电膜的尖端发生问题，呈现出银残渣及再吸附显著减少的优异效果，并且平直度优异。

Composition of etching solution containing silver film and manufacturing method of array substrate for display device using it

【技术实现步骤摘要】
含银薄膜的蚀刻液组合物及利用其的显示装置用阵列基板的制造方法
本专利技术涉及一种含银薄膜的蚀刻液组合物及利用它的显示装置用阵列基板的制造方法。
技术介绍
随着步入真正的信息化时代，用于处理及显示大量信息的显示装置领域急速发展，与此相应地开发了多种平板显示器并受到关注。作为这种平板显示装置的示例，可列举液晶显示装置(Liquidcrystaldisplaydevice：LCD)、等离子体显示装置(PlasmaDisplayPaneldevice：PDP)、场致发射显示装置(FieldEmissionDisplaydevice：FED)、有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes：OLED)等。作为一示例，由于OLED元件自身发光且在低电压下也能够被驱动，因此不仅在便携设备等小型显示装置市场中迅速应用OLED，而且随着显示装置的大画面化的趋势，目前正在大型TV等中普遍使用OLED。随着实现显示装置的大画面化的同时加长布线等而增加布线电阻，需要能够降低电阻并实现显示装置的大型化及高分辨率的方法。为了解决因电阻增加导致的信号延迟等问题，有必要利用具有最低比电阻的材料来形成所述布线。作为这种努力的一环节，通过将与其他金属相比具有较低的比电阻和较高的亮度、导电率的银(Ag：比电阻为约1.59μΩ·cm)膜、银合金膜或包含银膜或银合金膜的多层膜应用到滤色器的电极、布线及反射膜等中，从而实现平板显示装置的大型化和高分辨率及低功耗等，并且要求用于应用到这种材料的蚀刻液。在利用含银(Ag)薄膜的情况下，虽然在低分辨率显示装置中银再吸附现象不会成为问题，但在高分辨率显示装置技术中银再吸附成为问题。与此相关联地，以往开发了利用包含磷酸、醋酸、硝酸的蚀刻液组合物(韩国授权专利公报第10-0579421号)等来对含银薄膜进行蚀刻的方法，但在包含醋酸的情况下因醋酸的强挥发性而存在经时稳定性下降的问题。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国授权专利公报第10-0579421号
技术实现思路
技术问题本专利技术是为了解决上述现有技术的问题而提出的，其目的是提供一种含银薄膜的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物在含银金属膜的蚀刻时改善经时稳定性问题，几乎不存在银残渣及再吸附而呈现出优异的效果，并且平直度优异。此外，本专利技术的目的是提供一种使用所述蚀刻液组合物的显示装置的制造方法。技术方案本专利技术提供一种含银薄膜的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物包含：30至60重量％的磷酸；1至9重量％的硝酸；0.1至10重量％的硝酸铁；0.1至10重量％的不包括醋酸的羧酸类有机酸；以及余量的水。此外，本专利技术提供一种使用所述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。有益效果本专利技术的蚀刻液组合物可以提供如下的效果：能够在蚀刻含银薄膜时改善经时稳定性及透明导电膜的尖端(Tip)发生问题，呈现出银残渣及再吸附显著减少的优异的效果，并且平直度优异。此外，本专利技术可提供一种利用所述蚀刻液组合物的显示装置用阵列基板的制造方法。具体实施方式本专利技术涉及一种含银薄膜的蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物的总重量，该蚀刻液组合物包含：30至60重量％的磷酸；1至9重量％的硝酸；0.1至10重量％的硝酸铁；0.1至10重量％的不包括醋酸的羧酸类有机酸；以及余量的水，从而在蚀刻含银薄膜时改善经时稳定性及透明导电膜的尖端(Tip)发生问题，呈现出银残渣及再吸附显著减少的优异效果，并且平直度优异。下面，对本专利技术进行详细说明。在本专利技术中，含银薄膜在其构成成分中包含银，并且为包含单一膜或双重膜以上的多层膜的概念。所述含银薄膜可包括银或银合金的单一膜或由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜，但并不限于此。在本专利技术中，透明导电膜可以是选自由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化铟镓锌(IGZO)等组成的组中的一者以上，但并不限于此。在本专利技术中，银合金可以以银为主成分，包含选自镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、锰(Mn)、铬(Cr)、锡(Sn)、钯(Pd)、钕(Nd)、铌(Nb)、钼(Mo)、镁(Mg)、钨(W)、镤(Pa)、铝(Al)及钛(Ti)中的一者以上，但并不限于此。在本专利技术中，由单一膜和透明导电膜构成的多层膜可以是透明导电膜/银、透明导电膜/银合金、透明导电膜/银/透明导电膜或透明导电膜/银合金/透明导电膜，但并不限于此。所述透明导电膜/银/透明导电膜可以是a-ITO/AgX/a-ITO，但并不限于此。在本专利技术中，偏移(skew)差是指上端部分与下端部分的侧蚀(SideEtch；S/E)差，上端部分是指为了蚀刻而以相对于蚀刻装置倾斜的状态放入的基板的上部，下端部分是指形成倾斜的金属膜的末端部分。本专利技术的实施例所涉及的蚀刻液组合物可包含磷酸(H3PO4)、硝酸(HNO3)、硝酸铁(Fe(NO3)3)、不包括醋酸的羧酸类有机酸及水，在蚀刻上述含银薄膜时呈现出优异的蚀刻特性。包含在本专利技术的蚀刻液组合物中的磷酸为作为主解离剂使用的成分，执行通过使银和透明导电膜氧化而执行湿式蚀刻的作用。相对于蚀刻液组合物的总重量，可包含30至60重量％的所述磷酸，优选可包含35至50重量％的所述磷酸。在磷酸含量小于上述范围的情况下，有可能会引起银的蚀刻速度降低和蚀刻轮廓的不良且增加银再吸附，在磷酸含量大于上述范围的情况下具有如下的缺点：降低透明导电膜的蚀刻速度，并且银的蚀刻速度过快，产生上下部透明导电膜的尖端(Tip)，从而在后续工序中成为问题。包含在本专利技术的蚀刻液组合物中的硝酸(HNO3)为作为氧化剂使用的成分，执行通过使银和透明导电膜氧化而进行湿式蚀刻的作用。相对于蚀刻液组合物的总重量，可包含1至9重量％的所述硝酸，优选可包含4至7重量％的所述硝酸。在硝酸的含量小于上述范围的情况下，发生银和透明导电膜(例如，ITO等)的蚀刻速度降低，由此因基板内的蚀刻均匀性(Uniformity)不良而发生斑纹，在硝酸的含量大于上述范围的情况下具有如下的缺点：由于上下部透明导电膜的蚀刻速度加速并发生上下部透明导电膜的底切，从而在后续工序方面发生问题。包含在本专利技术的蚀刻液组合物中的硝酸铁(Fe(NO3)3)为作为辅助氧化剂使用的成分，在湿式蚀刻时减少Ag对薄膜的再吸附且调节蚀刻速度以均匀地进行蚀刻。相对于蚀刻液组合物的总重量，可包含0.1至10.0重量％的所述硝酸铁。优选可包含1.0至4.0重量％的所述硝酸铁。在硝酸铁含量小于上述范围的情况下，降低基板内的蚀刻均匀性且可能会在基板内部分地生成银残渣，在硝酸铁含量大于上述范围的情况下，有可能因蚀刻速度增大而无法实现所需的蚀刻速度，并且有可能因在上部铟氧化膜上发生尖端而在工艺方面成为问题。包含在本专利技术的蚀刻液组合物中的有机酸为作用pH调节剂使用的成分，其特征在于不包括醋酸。该有机酸发挥在湿式蚀刻时维持pH并增加透明导电膜的蚀刻速度的作用。本专利技术的蚀刻液组合物中使用的有机酸除了排除能够降低经时稳定性的醋酸以外并不特别限定，但优选为羧酸类有机酸。作为本专利技术的优选的有机酸，可包含选自由丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、水杨酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸及乙二胺本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含银薄膜的蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物的总重量，所述蚀刻液组合物包含：30至60重量％的磷酸；1至9重量％的硝酸；0.1至10重量％的硝酸铁；0.1至10重量％的不包括醋酸的羧酸类有机酸；以及余量的水。

【技术特征摘要】
2018.03.16 KR 10-2018-00309681.一种含银薄膜的蚀刻液组合物，相对于蚀刻液组合物的总重量，所述蚀刻液组合物包含：30至60重量％的磷酸；1至9重量％的硝酸；0.1至10重量％的硝酸铁；0.1至10重量％的不包括醋酸的羧酸类有机酸；以及余量的水。2.根据权利要求1所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述含银薄膜包括银或银合金的单一膜或由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜。3.根据权利要求2所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述透明导电膜为选自氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟锡锌和氧化铟镓锌中的一者以上。4.根据权利要求2所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，所述银合金包含选自由银、镍、铜、锌、锰、铬、锡、钯、钕、铌、钼、镁、钨、镤、铝及钛组成的组中的一者以上。5.根据权利要求2所述的含银薄膜的蚀刻液组合物，其特征在于，由所述单一膜和透明导电膜构成的多层膜为透明导电膜/银、透明导电膜/银...

【专利技术属性】
技术研发人员：权五柄，张晌勋，崔亨燮，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR