半导体激光器综合性能测试系统技术方案

一种半导体激光器综合性能测试系统，包括测试平台、光学模组、设置在测试平台上的功率检测组件、设置在测试平台上的光谱检测机构、及数据处理装置；光学模组包括设置在测试平台上的光学整形透镜、及与光学整形透镜对应的偏振分光器件；功率检测组件包括与偏振分光器件对应的第一功率计、第二功率计；第一功率计、第二功率计的功率检测值输出至数据处理装置；光谱检测机构包括设置在测试平台上的支架、连接支架的测试光纤、及连接测试光纤的光谱采集器；光谱采集器转换产生的光谱数据输出至数据处理装置；支架与光学模组对应设置；数据处理装置同时根据光谱数据而分析得出半导体激光器的波长特性，从而提高了对半导体激光器的测试效率。

A test system for the comprehensive performance of semiconductor lasers

【技术实现步骤摘要】
半导体激光器综合性能测试系统
本技术涉及半导体激光器检测技术，特别是涉及一种半导体激光器综合性能测试系统。
技术介绍
高功率半导体激光器由于其小体积、高效率、长寿命、大功率等诸多优点，被广泛应用于医疗、工业加工等许多领域。封装质量是半导体激光器质量的重要影响因素。芯片封装工艺作为激光器制作的重要工艺，是高功率半导体激光器应用的重要限制因素，其封装质量直接影响半导体激光器的功率、阈值电流、波长、和偏振态等输出特性，同时影响半导体激光器的可靠性和寿命。为确定半导体激光器芯片的封装质量，一般需要对半导体激光器芯片的输出特性进行测试；然而，现有的半导体激光器测试系统较为单一，只能对功率、波长、或偏振态进行单独测试，无法做到功率、波长、及偏振态的同时测试。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可对半导体激光器输出的功率、波长、及偏振态同时测试的半导体激光器综合性能测试系统。一种半导体激光器综合性能测试系统，包括：测试平台、设置在所述测试平台上的光学模组、设置在所述测试平台上的功率检测组件、设置在所述测试平台上的光谱检测机构、及数据处理装置；所述光学模组包括设置在所述测试平台上的光学整形透镜、及与所述光学整形透镜对应的偏振分光器件；所述功率检测组件包括与所述偏振分光器件对应的第一功率计、及与所述偏振分光器件对应的第二功率计；所述第一功率计、所述第二功率计的功率检测值输出至所述数据处理装置；所述光谱检测机构包括设置在所述测试平台上的支架、连接所述支架的测试光纤、及连接所述测试光纤的光谱采集器；所述光谱采集器转换产生的光谱数据输出至所述数据处理装置；所述支架与所述光学模组对应设置。上述半导体激光器综合性能测试系统，通过光学模组对半导体激光器输出的激光进行聚焦及分光，偏振分光器件将激光的TE模光及TM模光分离，第一功率计接收TE模光，第二功率计接收TM模光，数据处理装置根据第一功率计、第二功率计的检测值，挡得出半导体激光器的输出功率及偏振态；在光学模组上发生散射的部分激光光线经测试光纤进入光谱采集器，数据处理装置同时根据光谱数据而分析得出半导体激光器的波长特性，从而提高了对半导体激光器的测试效率。在其中一个实施例中，还包括温控组件，所述温控组件包括TEC温控器、及连接所述TEC温控器的制冷片；所述制冷片设置在所述测试平台上。在其中一个实施例中，还包括芯片夹持机构，所述芯片夹持机构包括安装在所述测试平台上的下压治具、安装在所述下压治具上的芯片压板、安装在所述测试平台上的冷却支柱、安装在所述冷却支柱上的放置板、及设置在所述放置板上的导热底座；所述芯片压板与所述放置板对应设置；所述制冷片设置在所述放置板下侧。在其中一个实施例中，所述芯片压板上穿设有电极棒；所述导热底座上设有与所述电极棒对应的电极片；所述导热底座上还设有卡块，所述卡块与所述电极片电连接。在其中一个实施例中，还包括驱动电源，所述驱动电源的输出端连接至所述电极棒；所述数据处理装置控制所述驱动电源的输出电流值。在其中一个实施例中，所述导热底座上设有限位片；所述限位片相对设置在所述导热底座表面的一侧，所述限位片之间的间隙与所述卡块对应设置。在其中一个实施例中，所述光谱检测机构还包括滤光组件，所述滤光组件包括安装在所述支架上的固定壳、及安装在所述固定壳中的滤光片；所述测试光纤的输入端与所述滤光片对应设置。在其中一个实施例中，还包括连接所述数据处理装置的显示器。在其中一个实施例中，所述光学模组还包括安装在所述测试平台上的散热支柱，所述光学整形透镜及所述偏振分光器件安装在所述散热支柱上。在其中一个实施例中，所述测试平台上设有挡光箱；所述光学模组、所述功率检测组件、及所述支架容置在所述挡光箱中。附图说明图1为本技术的一较佳实施例的半导体激光器综合性能测试系统的立体示意图；图2为图1所示的半导体激光器综合性能测试系统在另一角度的立体示意图；图3为图1所示的半导体激光器综合性能测试系统的局部示意图；图4为图3所示的半导体激光器综合性能测试系统的圆圈A处的放大图；图5为图3中的芯片夹持机构的分解示意图；图6为功率检测组件及光谱检测机构的测试原理图；图7为半导体激光器综合性能测试系统的结构原理图。具体实施方式为了便于理解本技术，下面将对本技术进行更全面的描述。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。请参阅图1至图7，为本技术一较佳实施方式的半导体激光器综合性能测试系统100，用于对半导体激光器的功率、波长、及偏振态进行同时检测。该半导体激光器综合性能测试系统100包括测试平台20、设置在测试平台20上的光学模组30、设置在测试平台20上的功率检测组件40、设置在测试平台20上的光谱检测机构、及数据处理装置60；光学模组30包括设置在测试平台20上的光学整形透镜31、及与光学整形透镜31对应的偏振分光器件32；功率检测组件40包括与偏振分光器件32对应的第一功率计41、及与偏振分光器件32对应的第二功率计42；第一功率计41、第二功率计42的功率检测值输出至数据处理装置60；光谱检测机构包括设置在测试平台20上的支架51、连接支架51的测试光纤52、及连接测试光纤52的光谱采集器53；光谱采集器53转换产生的光谱数据输出至数据处理装置60；支架51与光学模组30对应设置。通过光学模组30对半导体激光器输出的激光进行聚焦及分光，偏振分光器件32将激光的TE模光及TM模光分离，第一功率计41接收TE模光，第二功率计42接收TM模光，数据处理装置60根据第一功率计41、第二功率计42的检测值，处理得出半导体激光器的输出功率及偏振态；在光学模组30上发生散射的部分激光光线经测试光纤52进入光谱采集器53，从而提高了对半导体激光器的测试效率。请参阅图4及图7，在其中一个实施方式中，为对半导体激光器芯片的温度进行有效控制，确保半导体激光器可在恒定温度下进行输出特性的测试，半导体激光器综合性能测试系统100还包括温控组件70，温控组件70包括TEC温控器72、及连接TEC温控器72的制冷片71；制冷片71设置在测试平台20上；通过将半导体激光器安装在制冷片71上，从而可利用制冷片71对半导体激光器的温度进行调节，令半导体激光器的温度保持稳定。请参阅图3及图4，在其中一个实施方式中，为保证进行测试的半导体激光器与制冷片71之间的可靠热量传递，半导体激光器综合性能测试系统100还包括芯片夹持机构80，芯片夹持机构80包括安装在测试平台20上的下压治具81、安装在下压治具81上的芯片压板82、安装在测试平台20上的冷却支柱83、安装在冷却支柱83上的放置板84、及设置在放置板84上的导热底座85；芯片压板82与放置板84对应设置；制冷片71设置在放置板84下侧；具体地，在将半导体激光器安装到导热底座85中后，将导热底座85放置到放置板84上，通过扳动下压治具81上的手柄，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器综合性能测试系统，其特征在于，包括：测试平台、设置在所述测试平台上的光学模组、设置在所述测试平台上的功率检测组件、设置在所述测试平台上的光谱检测机构、及数据处理装置；所述光学模组包括设置在所述测试平台上的光学整形透镜、及与所述光学整形透镜对应的偏振分光器件；所述功率检测组件包括与所述偏振分光器件对应的第一功率计、及与所述偏振分光器件对应的第二功率计；所述第一功率计、所述第二功率计的功率检测值输出至所述数据处理装置；所述光谱检测机构包括设置在所述测试平台上的支架、连接所述支架的测试光纤、及连接所述测试光纤的光谱采集器；所述光谱采集器转换产生的光谱数据输出至所述数据处理装置；所述支架与所述光学模组对应设置。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器综合性能测试系统，其特征在于，包括：测试平台、设置在所述测试平台上的光学模组、设置在所述测试平台上的功率检测组件、设置在所述测试平台上的光谱检测机构、及数据处理装置；所述光学模组包括设置在所述测试平台上的光学整形透镜、及与所述光学整形透镜对应的偏振分光器件；所述功率检测组件包括与所述偏振分光器件对应的第一功率计、及与所述偏振分光器件对应的第二功率计；所述第一功率计、所述第二功率计的功率检测值输出至所述数据处理装置；所述光谱检测机构包括设置在所述测试平台上的支架、连接所述支架的测试光纤、及连接所述测试光纤的光谱采集器；所述光谱采集器转换产生的光谱数据输出至所述数据处理装置；所述支架与所述光学模组对应设置。2.根据权利要求1所述的半导体激光器综合性能测试系统，其特征在于，还包括温控组件，所述温控组件包括TEC温控器、及连接所述TEC温控器的制冷片；所述制冷片设置在所述测试平台上。3.根据权利要求2所述的半导体激光器综合性能测试系统，其特征在于，还包括芯片夹持机构，所述芯片夹持机构包括安装在所述测试平台上的下压治具、安装在所述下压治具上的芯片压板、安装在所述测试平台上的冷却支柱、安装在所述冷却支柱上的放置板、及设置在所述放置板上的导热底座；所述芯片压板与所述放置板对应设置；所述制冷片设置在所述放置板下侧。4.根据权利要求3所...

【专利技术属性】
技术研发人员：文少剑，廖东升，
申请(专利权)人：深圳市杰普特光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44