【技术实现步骤摘要】
基底材料的表面处理装置及其表面处理方法相关申请的交叉引用本公开主张2018年4月3日申请的美国临时专利(申请号62/652,070)与2018年12月26日申请的美国专利(申请号16/233,016)的优先权,其全文并入本公开作为参考。
本公开涉及一种基底材料的表面处理装置及其表面处理方法。
技术介绍
为了移除基底材料的表面上的污染物、外来物质或颗粒,已经发展了各种移除操作。例如,可在表面施加酸溶液,以与含有氧化物的污染物反应,使得污染物可与待清理的基底材料的表面分离。然而,随着环境和安全意识的提高导致法律与法规紧收,许多有效的清理化学品被禁止或限制使用。其他清理方法可包含物理性清理方法,例如机械去污、超声波去污以及抛光,其中通过机械效应(例如冲击效应或摩擦效应),可移除污染物。然而,这些方法对于待清理的基底材料可能造成材料损失或损坏,这可能进一步造成缺陷问题或是降低由该基底材料制造的元件(例如半导体元件、印刷基板与电子组件)的效能。因此,非常需要用于清理基底材料表面的改良的清理方法以及用于清理的装置。
技术实现思路
本专利技术的一实施例涉及一种用于处理基底材料的表面 ...
【技术保护点】
1.一种用于处理基底材料的表面的方法,其包括:提供该基底材料;以及通过使用一激光源以照射一激光光束于该基底材料的该表面上而进行一激光处理,以减少该基底材料的该表面上的粉尘,其中该激光光束的功率是在约100W至约1000W的范围中。
【技术特征摘要】
2018.04.03 US 62/652,070;2018.12.26 US 16/233,0161.一种用于处理基底材料的表面的方法,其包括:提供该基底材料;以及通过使用一激光源以照射一激光光束于该基底材料的该表面上而进行一激光处理,以减少该基底材料的该表面上的粉尘,其中该激光光束的功率是在约100W至约1000W的范围中。2.如权利要求1所述的方法,其中以一扫描方式将该激光光束照射在该基底材料的该表面上,且该激光光束的扫描功率是在约100Hz至约1000Hz的范围中。3.如权利要求1所述的方法,其中该激光光束的脉冲频率是在约10KHz至约50KHz的范围中。4.如权利要求1所述的方法,另包括在该激光处理期间,检测该激光源与该基底材料的该表面之间的一距离。5.如权利要求1所述的方法,另包括检测该基底材料的该表面的一性质,其中该性质包含该基底材料的电阻率、硬度、粗糙度以及组成中的至少一个。6.如权利要求5所述的方法,另包括根据该基底材料的该表面的该性质,调整该激光光束的该功率。7.如权利要求1所述的方法,另包括通过该激光处理,在该基底材料的该表面上,形成一类钻石碳层(diamond-likecarbonlayer)。8.如权利要求1所述的方法,另包括经由该激光处理,通过移除该基底材料的该表面上的多个含氧化物颗粒,而降低该基底材料的一表面区域的氧重量百分比。9.如权利要求1所述的方法,另包括通过该激光处理而增加该基底材料的一表面区域的碳重量百分比。10.一种用于处理基底材料的表面的装置,其包括:一平台,其经配置以支撑该基底材料;以及一激光源,其位于该平台上,其中该激光源经配置以发射一激光光束于该基底材料的该表面上,以减少该基底材料的该表面上的粉尘,以及该激光光束的功率是在...
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