微发光二极管的转印及修复方法技术

本发明专利技术涉及一种检查微发光二极管是否为良品或不良品而将属于不良品的微发光二极管更换为属于良品的微发光二极管的微发光二极管的转印及修复方法，尤其涉及一种在将微发光二极管转印到显示基板时，检查属于不良品的微发光二极管而去除，将属于良品的微发光二极管更换到所述属于不良品的微发光二极管曾处的位置而进行修复的微发光二极管的转印及修复方法。

Transfer Printing and Repair of Micro Light Emitting Diode

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管的转印及修复方法
本专利技术涉及一种检查微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)是否为良品或不良品而将属于不良品的微发光二极管更换为属于良品的微发光二极管的微发光二极管的转印及修复方法。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微(Micro)发光二极管(称为“微LED”)显示器也逐渐成为下一代显示器。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微发光二极管显示器是将1微米至100微米(μm)单位的发光二极管芯片本身用作发光材料的显示器。随着Cree公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利第10-0731673号)而出现“微发光二极管”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微发光二极管应用在显示器而需解决的问题，需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微发光二极管元件的定制型微芯片，需要一种微米尺寸的发光二极管芯片的转印(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。关于将微发光二极管元件移送到显示基板的转印(transfer)，因发光二极管尺寸变小至1微米至100微米(μm)单位而无法使用以往的取放(pick&place)设备，因此目前正在开发一种以更高精确度进行移送的转印头技术。尤其，除如上所述的微发光二极管转印技术以外，需开发一种检查在转印微发光二极管时产生的属于不良品的微发光二极管，且将所述属于不良品的微发光二极管修复成属于良品的微发光二极管的方法。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国注册专利第10-0731673号
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]因此，本专利技术的目的在于提供一种在将微发光二极管转印到显示基板时检查属于不良品的微发光二极管而去除，将属于良品的微发光二极管更换到所述属于不良品的微发光二极管曾处的位置而进行修复的微发光二极管的转印及修复方法。[解决问题的手段]为了达成本专利技术的这种目的，本专利技术的一特征的微发光二极管的转印及修复方法的特征在于包括：附着步骤，将所述微发光二极管临时附着到临时基板；检查步骤，检查附着在所述临时基板的所述微发光二极管是否不良；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述临时基板去除；修复步骤，将属于良品的所述微发光二极管临时附着到所述临时基板中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置；以及转印步骤，将临时附着在所述临时基板的所有的所述微发光二极管转印到显示基板。本专利技术的另一特征的微发光二极管的转印及修复方法的特征在于包括：吸附步骤，将所述微发光二极管吸附到转印头；检查步骤，检查吸附在所述转印头的所述微发光二极管是否不良；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述转印头去除；修复步骤，在所述转印头中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置将属于良品的所述微发光二极管吸附到所述转印头；以及转印步骤，将吸附在所述转印头的所有的所述微发光二极管转印到显示基板。本专利技术的又一特征的微发光二极管的转印及修复方法的特征在于包括：吸附步骤，将所述微发光二极管吸附到转印头；检查步骤，检查吸附在所述转印头的所述微发光二极管是否不良；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述转印头去除；转印步骤，将吸附在所述转印头的所有的所述微发光二极管转印到显示基板；以及修复步骤，将属于良品的所述微发光二极管附着到所述显示基板中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置。本专利技术的再一特征的微发光二极管的转印及修复方法的特征在于包括：吸附步骤，将所述微发光二极管吸附到转印头；检查步骤，检查吸附在所述转印头的所述微发光二极管是否不良；转印步骤，将吸附在所述转印头的所有的所述微发光二极管转印到显示基板；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述显示基板去除；以及修复步骤，将属于良品的所述微发光二极管附着到所述显示基板中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置。[专利技术效果]如上所述，本专利技术的微发光二极管的转印及修复方法具有如下效果。在临时基板上进行检查步骤、去除步骤及修复步骤的情况下，仅属于良品的微发光二极管转印到显示基板，因此可有效地防止因属于不良品的微发光二极管引起的显示器像素的不良。在转印到显示基板前通过检查步骤检查微发光二极管是否不良的情况下，无需在显示基板另外执行检查，从而转印工艺的效率提升。在临时基板上执行修复步骤的情况下，转印头可一次将属于良品的微发光二极管转印到显示基板，由此转印工艺的效率提升。在转印头上执行检查步骤的情况下，可通过检查步骤执行吸附在转印头的下表面的微发光二极管的检查，因此可检查微发光二极管的下表面。在转印头上进行去除步骤的情况下，通过解吸属于不良品的微发光二极管即可去除属于不良品的微发光二极管。因此，可快速地执行去除步骤，由此微发光二极管的转印及修复工艺的效率提升。附图说明图1是概略性地表示本专利技术的微发光二极管的转印及修复系统的图。图2是概略性地表示利用图1的微发光二极管的转印及修复系统的本专利技术的优选的第一实施例的微发光二极管的转印及修复方法的流程图。图3是概略性地表示利用图1的微发光二极管的转印及修复系统的本专利技术的优选的第二实施例的微发光二极管的转印及修复方法的流程图。图4是概略性地表示利用图1的微发光二极管的转印及修复系统的本专利技术的优选的第三实施例的微发光二极管的转印及修复方法的流程图。图5是概略性地表示利用图1的微发光二极管的转印及修复系统的本专利技术的优选的第四实施例的微发光二极管的转印及修复方法的流程图。具体实施方式以下内容仅例示专利技术的原理。因此，虽未在本说明书中明确地进行说明或图示，但本领域技术人员可实现专利技术的原理而专利技术包括在专利技术的概念与范围内的各种装置。另外，应理解，本说明书中所列举的所有附有条件的术语及实施例在原则上仅明确地用于理解专利技术的概念，并不限制于像这样特别列举的实施例及状态。上述目的、特征及优点根据与附图相关的以下的详细说明而变得更明确，因此专利技术所属的
内的普通技术人员可容易地实施专利技术的技术思想。参考作为本专利技术的理想的例示图的剖面图及/或立体图，对本说明书中所记述的实施例进行说明。为了有效地说明
技术实现思路
，夸张地表示这些附图中所示的膜及区域的厚度及孔的直径等。例示图的形态会因制造技术及/或容许误差等而变形。另外，附图中所示的微发光二极管的个数仅例示性地在附图中表示一部分。因此，本专利技术的实施例也包括根据制造工艺发生的形态的变化，并不限制于所图示的特定形态。在对各种实施例进行说明时，即便实施例不同，方便起见而也对执行相同的功能的构成要素赋予相同的名称及相同的参照符号。另外，方便起见，省略已在其他实施例中说明的构成及动作。微发光二极管的转印及修复系统1以下，参照图1，对本专利技术的微发光二极管的转印及修复系统1进行说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管的转印及修复方法，其特征在于，包括：附着步骤，将所述微发光二极管临时附着到临时基板；检查步骤，检查附着在所述临时基板的所述微发光二极管是否不良；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述临时基板去除；修复步骤，将属于良品的所述微发光二极管临时附着到所述临时基板中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置；以及转印步骤，将临时附着在所述临时基板的所有的所述微发光二极管转印到显示基板。

【技术特征摘要】
2018.03.29 KR 10-2018-00368671.一种微发光二极管的转印及修复方法，其特征在于，包括：附着步骤，将所述微发光二极管临时附着到临时基板；检查步骤，检查附着在所述临时基板的所述微发光二极管是否不良；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述临时基板去除；修复步骤，将属于良品的所述微发光二极管临时附着到所述临时基板中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置；以及转印步骤，将临时附着在所述临时基板的所有的所述微发光二极管转印到显示基板。2.一种微发光二极管的转印及修复方法，其特征在于，包括：吸附步骤，将所述微发光二极管吸附到转印头；检查步骤，检查吸附在所述转印头的所述微发光二极管是否不良；去除步骤，将在所述检查步骤中检查出的属于不良品的所述微发光二极管从所述转印头去除；修复步骤，在所述转印头中的去除属于不良品的所述微发光二极管的位置将属于良品的所述微发光二极管吸附到所述转印头...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR