微发光二极管半成品模块制造技术

本发明专利技术涉及一种微发光二极管半成品模块，更详细而言，涉及一种以可个别地接合到第二基板的方式制作的微发光二极管半成品模块，所述半成品模块是在第一基板安装多个微发光二极管而模块化而成。由此，可制作利用微发光二极管的大面积显示器且易于管理不良率。

Semi-finished module of micro-light-emitting diode

【技术实现步骤摘要】
微发光二极管半成品模块
本专利技术涉及一种微发光二极管(LightEmittingDiode，LED)半成品模块。
技术介绍
目前，显示器市场仍以液晶显示装置(LiquidCrystalDisplay，LCD)为主流，但有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)正快速地替代LCD而逐渐成为主流。最近，在显示器企业参与OLED市场成为热潮的情况下，微(Micro)LED(以下，称为“微LED”)显示器也逐渐成为下一代显示器。LCD与OLED的核心原材料分别为液晶(LiquidCrystal)、有机材料，与此相反，微LED显示器是将1微米至100微米(μm)单位的LED芯片本身用作发光材料的显示器。随着科锐(Cree)公司在1999年申请有关“提高光输出的微-发光二极管阵列”的专利(韩国注册专利公报注册编号第0731673号)而出现“微LED”一词以来，陆续发表相关研究论文，并且进行研究开发。作为为了将微LED应用在显示器而需解决的问题，需开发一种基于挠性(Flexible)原材料/元件制造微LED元件的定制型微芯片，需要一种微米尺寸的LED芯片的转移(transfer)技术与准确地安装(Mounting)到显示器像素电极的技术。微LED电视(TeleVision，TV)通常为了制作4K解析度的显示器而需将2500万个微LED转移到电路基板，但存在如下等问题：即便将微LED转移(Transfer)到电路基板的时间为一小时成功1万个，制作一台TV也需花费100天。进而，即便转移率较高，也产生如下问题：在一次转移到大面积电路基板的情况下，因在生长基板中制作的过程中发生的不良率而需在电路基板上逐个修复微LED不良品。[现有技术文献][专利文献](专利文献1)韩国注册专利公报注册编号第0731673号
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]因此，本专利技术的目的在于提供一种可制作利用微LED的大面积显示器且易于管理不良率的微LED半成品模块。[解决问题的手段]为了达成本专利技术的这种目的，本专利技术的微LED半成品模块以可个别地接合到配线基板的方式制作，其特征在于：所述半成品模块是在电路基板安装多个微LED而模块化而成。另外，所述微LED半成品模块的特征在于：所述半成品模块以可接合到所述配线基板而通过所述配线基板分别个别地驱动所述各半成品模块的微LED的方式制作。另一方面，所述微LED半成品模块的特征在于：所述半成品模块以可接合到所述配线基板而通过所述配线基板分别个别地驱动所述半成品模块的方式制作。另一方面，所述微LED半成品模块的特征在于：所述半成品模块以可接合到所述配线基板而通过所述配线基板一次驱动所有所述微LED的方式制作。另外，所述微LED半成品模块的特征在于：所述电路基板具备薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)电路。另一方面，本专利技术的微LED半成品模块以可个别地接合到电路基板的方式制作，其特征在于：所述半成品模块是在各向异性导电膜安装多个微LED而模块化而成。另一方面，本专利技术的微LED半成品模块以可个别地接合到电路基板的方式制作，其特征在于：所述半成品模块是在各向异性导电阳极氧化膜安装多个微LED而模块化而成。另外，所述微LED半成品模块的特征在于：所述半成品模块中红色微LED、绿色微LED、蓝色微LED按照一维阵列排列而形成单元像素，第1行且第M列的单元像素的排列顺序与第1行且第1列的单元像素的排列顺序相同，第N行且第1列的单元像素的排列顺序及第N行且第M列的单元像素的排列顺序为第1行且第1列的单元像素的排列顺序的倒序，所述M为2以上的整数，所述N为3的倍数。另一方面，所述微LED半成品模块的特征在于：所述半成品模块包括红色微LED、绿色微LED、蓝色微LED按照二维阵列排列的单元像素，所述单元像素按照N行及M列配置成矩阵形态。另外，所述微LED半成品模块的特征在于：从所述半成品模块的端部至位于最外廓的微LED间的相隔距离为所述微LED间的相隔距离的一半以下的距离。[专利技术效果]如上所述，本专利技术的微LED半成品模块可制作利用微LED的大面积显示器且易于管理不良率。附图说明图1是表示根据本专利技术的优选实施例在第一基板上制作的微LED半成品模块及将其结合到第二基板的图。图2是表示在转移到本专利技术的优选实施例的微LED半成品模块前在生长基板中制作的图。图3是表示本专利技术的优选实施例的微LED半成品模块的一实施例的图。图4A至图4C是表示将在图3中制作的微LED半成品模块结合到第二基板的图。图5是表示本专利技术的优选实施例的微LED半成品模块的一实施例的图。图6A至图6C是表示将在图5中制作的微LED半成品模块结合到第二基板的图。图7至图11是表示本专利技术的优选实施例的微LED半成品模块的单元像素的排列的图。附图标号说明100：微LED；100B：蓝色微LED；100G：绿色微LED；100R：红色微LED；101：生长基板；102：第一半导体层；103、310：活性层；104：第二半导体层；106：第一接触电极；107：第二接触电极；200、201、202、203、204：单元像素；311：缓冲层；313：栅极绝缘膜；315：层间绝缘膜；317：平坦化层；320：栅极电极；330a：源极电极；330b：漏极电极；410：第一障壁层；420：第二障壁层；510：第一电极；530：第二电极；550：导电层；600：各向异性导电膜；450：脱模膜；d：相隔间隔；M：半成品模块；S1：第一基板；S2：第二基板。具体实施方式以下内容仅例示专利技术的原理。因此，虽未在本说明书中明确地进行说明或图示，但本领域技术人员可实现专利技术的原理而专利技术包括在专利技术的概念与范围内的各种装置。另外，应理解，本说明书中所列举的所有附有条件的术语及实施例在原则上仅明确地用于理解专利技术的概念，并不限制于像这样特别列举的实施例及状态。上述目的、特征及优点根据与附图相关的以下的详细说明而变得更明确，因此专利技术所属的
内的普通技术人员可容易地实施专利技术的技术思想。参考作为本专利技术的理想的例示图的剖面图及/或立体图，对本说明书中所记述的实施例进行说明。为了有效地说明
技术实现思路
，夸张地表示这些附图中所示的膜及区域的厚度及孔的直径等。例示图的形态会因制造技术及/或容许误差等而变形。另外，附图中所示的微LED的个数仅例示性地在附图中表示一部分。因此，本专利技术的实施例也包括根据制造工艺发生的形态的变化，并不限制于所图示的特定形态。在对各种实施例进行说明时，即便实施例不同，方便起见而也对执行相同的功能的构成要素赋予相同的名称及相同的参照符号。另外，方便起见，省略已在其他实施例中说明的构成及动作。以下，参照附图，详细地对本专利技术的优选实施例进行说明。图1是表示构成本专利技术的优选实施例的微LED半成品模块且利用其安装到大面积显示器的图。参照图1，在生长基板101中制造的微LED100转移到第一基板S1而成为本专利技术的优选实施例的半成品模块M。此处，如下所述，第一基板S1可包括电路基板、各向异性导电膜或各向异性阳极氧化膜。个别地制作成多个的半成品模块M安装到第二基板S2而构成大面积显示器，可实现无边缘的(无边框)大面积显示器。此处，第二基板S2可包括电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微发光二极管半成品模块，其以可个别地接合到配线基板的方式制作，其特征在于，所述半成品模块是在电路基板安装多个微发光二极管而模块化而成。

【技术特征摘要】
2018.03.30 KR 10-2018-00369601.一种微发光二极管半成品模块，其以可个别地接合到配线基板的方式制作，其特征在于，所述半成品模块是在电路基板安装多个微发光二极管而模块化而成。2.根据权利要求1所述的微发光二极管半成品模块，其特征在于，所述半成品模块以可接合到所述配线基板而通过所述配线基板分别个别地驱动所述各半成品模块的所述微发光二极管的方式制作。3.根据权利要求1所述的微发光二极管半成品模块，其特征在于，所述半成品模块以可接合到所述配线基板而通过所述配线基板分别个别地驱动所述半成品模块的方式制作。4.根据权利要求1所述的微发光二极管半成品模块，其特征在于，所述半成品模块以可接合到所述配线基板而通过所述配线基板一次驱动所有所述微发光二极管的方式制作。5.根据权利要求1所述的微发光二极管半成品模块，其特征在于，所述电路基板具备薄膜晶体管电路。6.一种微发光二极管半成品模块，其以可个别地接合到电路基板的方式制作，其特征在于，所述半成品模块是在各向异性导电膜安装多个微发光二极管而模块化...

【专利技术属性】
技术研发人员：安范模，朴胜浩，
申请(专利权)人：普因特工程有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR