一种功率器件的生产工艺方法技术

本发明专利技术提供一种功率器件的生产工艺方法，包括：检测来料；合格来料通过表面组装和研磨技术制作基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺并形成氧化层；在所述氧化层上生成氮化硅层，以形成目标衬底结构，并铺设光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区等；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后通过溅镀的方式完善功率器件的制做。本发明专利技术降低了功率器件的制造加工成本；同时通过该方法制造功率器件，废品回收率达到70％以上，高于同行业水平。

A Production Process of Power Devices

【技术实现步骤摘要】
一种功率器件的生产工艺方法
本专利技术涉及功率器件领域，具体为一种功率器件的生产工艺方法。
技术介绍
功率器件为电力控制之核心零组件。应用范围广泛，从大型电力机组到个人随身电子装备，皆可见其身影。功率器件因其特殊之元件结构，减薄与背金为其不可或缺的工艺环节。随着原件承载功率的提升与系统小型化的需求，对上书两项工艺水平的要求也日益严苛，制造成本逐渐增加。
技术实现思路
本专利技术所解决的技术问题在于提供一种功率器件的生产工艺方法，以解决上述
技术介绍
中的问题。本专利技术所解决的技术问题采用以下技术方案来实现：一种功率器件的生产工艺方法，包括：对所有元器件来料进行检验，合格产品进行下一轮生产，不合格产品直接作废或是退换供应商；检测合格的产品通过表面组装和研磨技术制作具有外延层的基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺设栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构上，铺设一层光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成所述功率单元的制备；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后对上述处理的器件通过溅镀的方式提供多种金属及合金与硅晶片的结合，完善功率器件的制做。优选的，所述N型基区依次形成阴极离子区、阳极离子区、氧化层和金属硅化物，以完成所述防静电二极管的制备。优选的，所述物理CMP为化学机械研磨，是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或衬底材料进行平坦化处理，所述电浆干式蚀刻技术配合物理CMP使用，可以完善晶片超薄化，同时移除应力，使晶片平坦性佳。优选的，所述溅镀为多层金属与合金溅镀。与已公开技术相比，本专利技术存在以下优点：本专利技术使用电浆干式蚀刻技术配合物理CM代替传统的湿式蚀刻，在保证晶片超薄化的基础上，降低了功率器件的制造加工成本；同时通过该方法制造功率器件，废品回收率达到70％以上，高于同行业水平。具体实施方式为了使本专利技术的技术手段、创作特征、工作流程、使用方法达成目的与功效易于明白了解，下面将结合本专利技术实施例，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1一种功率器件的生产工艺方法，包括：对所有元器件来料进行检验，合格产品进行下一轮生产，不合格产品直接作废或是退换供应商；检测合格的产品通过表面组装和研磨技术制作具有外延层的基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺设栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构上，铺设一层光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成所述功率单元的制备；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后对上述处理的器件通过溅镀的方式提供多种金属及合金与硅晶片的结合，完善功率器件的制做。实施例2一种功率器件的生产工艺方法，包括：对所有元器件来料进行检验，合格产品进行下一轮生产，不合格产品直接作废或是退换供应商；检测合格的产品通过表面组装和研磨技术制作具有外延层的基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺设栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构上，铺设一层光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成所述功率单元的制备；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后对上述处理的器件通过溅镀的方式提供多种金属及合金与硅晶片的结合，完善功率器件的制做。优选的，所述N型基区依次形成阴极离子区、阳极离子区、氧化层和金属硅化物，以完成所述防静电二极管的制备。优选的，所述物理CMP为化学机械研磨，是半导体器件制造工艺中的一种技术，使用化学腐蚀及机械力对加工过程中的硅晶圆或衬底材料进行平坦化处理，所述电浆干式蚀刻技术配合物理CMP使用，可以完善晶片超薄化，同时移除应力，使晶片平坦性佳。优选的，所述溅镀为多层金属与合金溅镀。本专利技术使用电浆干式蚀刻技术配合物理CM代替传统的湿式蚀刻，在保证晶片超薄化的基础上，降低了功率器件的制造加工成本；同时通过该方法制造功率器件，废品回收率达到70％以上，高于同行业水平。以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征及本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下，本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术的要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率器件的生产工艺方法，其特征在于，包括：对所有元器件来料进行检验，合格产品进行下一轮生产，不合格产品直接作废或是退换供应商；检测合格的产品通过表面组装和研磨技术制作具有外延层的基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺设栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构上，铺设一层光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成所述功率单元的制备；在完成上述区域的划分后，通过化学槽清洗的方法除去光刻层；最后对上述处理的器件通过溅镀的方式提供多种金属及合金与硅晶片的结合，完善功率器件的制做。

【技术特征摘要】
1.一种功率器件的生产工艺方法，其特征在于，包括：对所有元器件来料进行检验，合格产品进行下一轮生产，不合格产品直接作废或是退换供应商；检测合格的产品通过表面组装和研磨技术制作具有外延层的基层衬底结构；在基层衬底结构上依次铺设栅氧层和多晶栅极，并对所述多晶栅极进行氧化处理，以形成氧化层；在所述氧化层上生成一层氮化硅层，以形成目标衬底结构，并在目标衬底结构上，铺设一层光刻层；通过物理CMP和电浆干式蚀刻技术在光刻层依次形成下沉区、场氧化层和栅氧化层；在所述场氧化层上依次形成所述防静电二极管单元的N型基区和所述功率单元的硅栅结构；在形成N型基区后，依次形成体区、漂移区、漏区、源区和P型离子区，以完成所述功率单元的制备；在完成上述区域的划分后，通过化...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亿风，
申请(专利权)人：上海遂泰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31