一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺，包括以下步骤：将固态的纯银或银合金熔化成液态银；将液态银导入氮气浓度≥99.99％的氮气氛雾化室，雾化喷嘴对导入的液态银喷射高压雾化气体使液态银雾化，在雾化物凝固前，设置于雾化室的低温氮气喷嘴对尚未凝固的雾化物进行频率3～10HZ的爆冲喷射，雾化物在爆冲喷射出的低温氮气的冲击作用下变成不规则的形状，且低温氮气的低温使雾化物在变形的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉。本发明专利技术提供的专用导电银粉颗粒呈不规则形状，颗粒间接触点无规则，受力时力向传递无序，使银粉颗粒间结合紧密，当作为制备玻璃基导电电路的基本配料时可使电路的导电能力明显增强。

Preparation of conductive silver powder for glass-based circuit board

【技术实现步骤摘要】
一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺
本专利技术涉及一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺,属于冶金

技术介绍
目前导电银粉大多通过气雾化制粉工艺制备，气雾化制粉工艺是利用高速气流作用于熔融液流，使气体动能转化为熔体表面能，进而形成细小的液滴并凝固成粉末颗粒。现有技术中的气雾化制粉方法制出的银粉均为表面形状规则的球状，但这种银粉在用作制造玻璃基电路板的导电原料时，由于表面形状规则的球状银粉之间的接触面小，相邻银粉颗粒间的空隙较大，因此电路的结合力较差，导致电路的导电性变差。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足，并提供一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺，通过该工艺制造一种非球状不规则体银粉，提升银粉颗粒之间的结合程度，使该银粉制成的电路导电性更好。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案包括以下步骤：S1、将固态的纯银或银合金熔化成液态银，其中所述纯银中银含量≥99.9％；所述银合金中银含量≥90％，其余组分为导电金属；S2、将液态银导入氮气浓度≥99.99％的氮气氛雾化室，雾化喷嘴对导入的液态银喷射高压雾化气体使液态银雾化，雾化后的雾化物颗粒为1-5μm，在雾化物凝固前，设置于雾化室的低温氮气喷嘴对尚未凝固的雾化物进行频率3～10HZ的爆冲喷射，爆冲喷射的气体压力为0.2～1MPa，雾化物在爆冲喷射出的低温氮气的冲击作用下变成不规则的形状，且低温氮气的低温使雾化物在变形的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉，所用低温氮气的温度为-85℃～-65℃，浓度为≥99.99％。对上述技术方案的进一步改进是，步骤S2中，所述雾化喷嘴的工作电压为30-60KV，雾化速率为2～15Kg/h，雾化频率为1～30MHZ,雾化喷嘴雾化压力为0.8～2.4MPa。雾化室内设有一个以上低温氮气喷嘴，低温氮气喷嘴的喷气方向与凝固前的雾化物的移动方向成90°～135°夹角。所述银合金中的其它导电金属为金、铜、铟、镓、铝、锡和铅中的一种或多种。由上述技术方案可知，本专利技术采用气雾化制粉工艺，但在雾化物凝固前，通过设置于雾化室的低温氮气喷嘴对雾化物颗粒进行频率3～10HZ的爆冲喷射，爆冲喷射的气体压力为0.2～1MPa，爆冲喷射的低温氮气在使雾化物变成不规则形状的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉，此银粉作为专用于制备玻璃基电路的主要银粉，利用其结构特殊，不规则形状颗粒间接触点无规则，受力时力向传递无序，与铺路时的石子或混凝土中的石子通过结合剂结合时的受力情况相类似，使银粉颗粒间结合紧密。这种银粉作为制备玻璃基导电电路的主要配料，可使制备的电路比现有球状或其它形状的银粉制备的电路的导电能力明显增强，且对电路板元件的焊结强度有很大的提升。具体实施方式下面结合两个实施例对本专利技术作进一步说明：实施例一的制备工艺包括以下步骤：S1、将固态的纯银熔化成液态银，其中所述纯银中银含量为99.9％；S2、将液态银导入氮气浓度为99.99％的氮气氛雾化室，雾化喷嘴对导入的液态银喷射高压雾化气体使液态银雾化，雾化后的雾化物颗粒为1.5μm，在雾化物凝固前，设置于雾化室的一个低温氮气喷嘴对尚未凝固的雾化物进行频率8HZ的爆冲喷射，低温氮气喷嘴的喷气方向与凝固前的雾化物的移动方向成90°夹角。爆冲喷射的气体压力为0.8MPa，雾化物在爆冲喷射出的低温氮气的冲击作用下变成不规则的形状，且低温氮气的低温使雾化物在变形的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉，所用低温氮气的温度为-80℃，浓度为99.99％。雾化喷嘴的工作电压为52KV，雾化速率为3Kg/h，雾化频率为23MHZ,雾化喷嘴雾化压力为2.2MPa。实施例二的制备工艺包括以下步骤：S1、将固态的银合金熔化成液态银，其中所述纯银合金中银含量为91％，其余导电金属为铜或者金、铟、镓、铝、锡和铅中的一种或多种，含量为9％；S2、将液态银导入氮气浓度为99.99％的氮气氛雾化室，雾化喷嘴对导入的液态银喷射高压雾化气体使液态银雾化，雾化后的雾化物颗粒为4μm，在雾化物凝固前，设置于雾化室的两个低温氮气喷嘴对尚未凝固的雾化物进行频率3.5HZ的爆冲喷射，两个低温氮气喷嘴在同一水平线上，且两个低温氮气喷嘴的喷气方向均与凝固前的雾化物的移动方向成120°夹角，爆冲喷射的气体压力为0.4MPa，雾化物在爆冲喷射出的低温氮气的冲击作用下变成不规则的形状，且低温氮气的低温使雾化物在变形的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉，所用低温氮气的温度为-68℃，浓度为99.99％。雾化喷嘴的工作电压为36KV，雾化速率为12Kg/h，雾化频率为5MHZ,雾化喷嘴雾化压力为1.0MPa。上述两个实施例均成功制备出了玻璃基电路板专用导电银粉，专用导电银粉的形状呈不规则状，由于专用导电银粉的不规则形状使银粉颗粒间结合程度大大提高，其颗粒间接触点无规则，受力时力向传递无序，银粉颗粒间结合紧密，从而提高了玻璃基电路板的导电能力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：S1、将固态的纯银或银合金熔化成液态银，其中所述纯银中银含量≥99.9％；所述银合金中银含量≥90％，其余组分为导电金属；S2、将液态银导入氮气浓度≥99.99％的氮气氛雾化室，雾化喷嘴对导入的液态银喷射高压雾化气体使液态银雾化，雾化后的雾化物颗粒为1‑5μm，在雾化物凝固前，设置于雾化室的低温氮气喷嘴对尚未凝固的雾化物进行频率3～10HZ的爆冲喷射，爆冲喷射的气体压力为0.2～1MPa，雾化物在爆冲喷射出的低温氮气的冲击作用下变成不规则的形状，且低温氮气的低温使雾化物在变形的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉，所用低温氮气的温度为‑85℃～‑65℃，浓度为≥99.99％。

【技术特征摘要】
1.一种玻璃基电路板专用导电银粉的制备工艺，其特征在于包括以下步骤：S1、将固态的纯银或银合金熔化成液态银，其中所述纯银中银含量≥99.9％；所述银合金中银含量≥90％，其余组分为导电金属；S2、将液态银导入氮气浓度≥99.99％的氮气氛雾化室，雾化喷嘴对导入的液态银喷射高压雾化气体使液态银雾化，雾化后的雾化物颗粒为1-5μm，在雾化物凝固前，设置于雾化室的低温氮气喷嘴对尚未凝固的雾化物进行频率3～10HZ的爆冲喷射，爆冲喷射的气体压力为0.2～1MPa，雾化物在爆冲喷射出的低温氮气的冲击作用下变成不规则的形状，且低温氮气的低温使雾化物在变形的同时迅速凝固，形成玻璃基电路板专用导电银粉，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏波，刘荣华，涂建明，陈伦辉，
申请(专利权)人：智玻蓝新科技武汉有限公司，夏波，
类型：发明
国别省市：湖北,42