一种太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括依次层叠于透明衬底上的第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层之间构成第一电池结构，所述反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层之间构成第二电池结构。该太阳能电池应用于自发光设备上，不仅能够减少反射回自发光设备的光线，减轻对自发光设备的影响，还能提高光线利用率，增加发电量。

A solar cell and its preparation method

【技术实现步骤摘要】
一种太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
随着太阳能电池技术的成熟，越来越多的自发光设备上开始采用太阳能电池来作保护盖板。太阳能电池包括依次层叠的前电极、光吸收层和背电极，其朝向自发光设备的背电极采用的是金属材质，具有较高的反射率。不管是否覆盖到自发光设备的发光区域，背电极都会存在将自发光设备发出的光线反射回去的情况，影响到了自发光设备的正常使用，比如将太阳能电池贴合在显示设备前面，那么背电极会将显示设备发出的光线反射回去，进而干涉到显示画面，又比如将太阳能电池设于在光电感测设备前面，那么背电极能够将光发射器发出的光线反射回去，进而影响到光接收器的感测效果。
技术实现思路
为了解决上述现有技术的不足，本专利技术提供一种太阳能电池，应用于自发光设备上，不仅能够减少反射回自发光设备的光线，减轻对自发光设备的影响，还能提高光线利用率，增加发电量。本专利技术还提供一种太阳能电池的制备方法。本专利技术所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：一种太阳能电池，包括依次层叠于透明衬底上的第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层之间构成第一电池结构，所述反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层之间构成第二电池结构。进一步地，所述第一透明电极层作为所述第一电池结构的前电极层，所述第二透明电极层作为所述第二电池结构的前电极层，所述反射电极层作为所述第一电池结构和第二电池结构的公共背电极层。进一步地，具有透光区域和非透光区域，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层至少覆盖于所述非透光区域上。进一步地，该太阳能电池为全透型，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层仅覆盖于所述非透光区域上。进一步地，该太阳能电池为半透型，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层同时覆盖于所述透光区域和非透光区域上，其中，所述第一光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第一光吸收线，所述反射电极层在所述透光区域内包括至少一条反射电极线，所述第二光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第二光吸收线；所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起形成至少一栅格线。进一步地，所述第一透明电极层整面覆盖于所述透光区域内，或者，所述第一透明电极层在所述透光区域内包括至少一第一透明电极线，所述第一透明电极线与所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起构成所述栅格线的一部分。进一步地，所述第二透明电极层在所述透光区域内包括至少一第二透明电极线，所述第二透明电极线与所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起构成所述栅格线的一部分。进一步地，所述透光区域在除所述栅格线外的空白区域内填充有透明绝缘材料。进一步地，所述第二透明电极层整面覆盖于所述透光区域内，或者，所述第二透明电极层在所述透光区域内包括至少一第二透明电极线，所述第二透明电极线与所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起构成所述栅格线的一部分。一种太阳能电池的制备方法，包括：在透明衬底上依次形成第一透明电极膜和第一光吸收膜，然后依次对所述第一光吸收膜和第一透明电极膜进行刻蚀成像，依次形成第一光吸收层和第一透明电极层；形成反射电极膜，然后对所述反射电极膜进行刻蚀成像，形成反射电极层；依次形成第二光吸收膜和第二透明电极膜，然后依次对所述第二透明电极膜和第二光吸收膜进行刻蚀成像，依次形成第二透明电极层和第二光吸收层。本专利技术具有如下有益效果：该太阳能电池上具有两层电池结构，应用于自发光设备上作保护盖板时，所述第一透明电极层朝向外部，所述第二透明电极层朝向自发光设备，自发光设备发出的光线会被所述第二光吸收层吸收而转换为电能，不仅能够减少反射回自发光设备的光线，减轻对自发光设备的影响，还能提高光线利用率，增加发电量。附图说明图1为本专利技术提供的全透型太阳能电池的示意图；图2为本专利技术提供的半透型太阳能电池的示意图；图3为图1所示的全透型太阳能电池或图2所示的半透型太阳能电池的A-A剖面图；图4为图2所示的半透型太阳能电池的B-B剖面图；图5为图2所示的另一半透型太阳能电池的B-B剖面图；图6为本专利技术提供的太阳能电池的绑定位示意图；图7为本专利技术提供的太阳能电池的制备方法的步骤框图；图8为本专利技术提供的太阳能电池在反射电极成膜后的示意图；图9为本专利技术提供的太阳能电池在反射电极刻蚀成像后的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术进行详细的说明。实施例一如图1-3所示，一种太阳能电池，包括依次层叠于透明衬底1上的第一透明电极层2、第一光吸收层3、反射电极层4、第二光吸收层5和第二透明电极层6，所述第一透明电极层2、第一光吸收层3、反射电极层4之间构成第一电池结构，所述反射电极层4、第二光吸收层5和第二透明电极层6之间构成第二电池结构。该太阳能电池上具有两层电池结构，应用于自发光设备上作保护盖板时，所述第一透明电极层2朝向外部，所述第二透明电极层6朝向自发光设备，自发光设备发出的光线会被所述第二光吸收层5吸收而转换为电能，不仅能够减少反射回自发光设备的光线，减轻对自发光设备的影响，还能提高光线利用率，增加发电量。其中，所述第一透明电极层2作为所述第一电池结构的前电极层，所述第二透明电极层6作为所述第二电池结构的前电极层，所述反射电极层4作为所述第一电池结构和第二电池结构的公共背电极层。该太阳能电池具有透光区域a和非透光区域b，其中所述透光区域a对应于自发光设备的发光区域，比如显示设备的显示区域或光电感测设备的发射接收区域，所述非透光区域b对应于自发光设备的边框区域。所述第一透明电极层2、第一光吸收层3、反射电极层4、第二光吸收层5和第二透明电极层6至少覆盖于所述非透光区域b上。如图1所示，在一具体实施方式中，该太阳能电池为全透型，所述第一透明电极层2、第一光吸收层3、反射电极层4、第二光吸收层5和第二透明电极层6仅覆盖于所述非透光区域b上。当显示设备在其边框区域发生侧边漏光时，或者当光电感测设备的光发射器发出的光线被散射至其边框区域时，自发光设备发出的光线会从其边框区域照射到该太阳能电池的非透光区域b上，然后被所述非透光区域b上的第二光吸收层5吸收后转换为电能。如图2所示，在另一具体实施方式中，该太阳能电池为半透型，所述第一透明电极层2、第一光吸收层3、反射电极层4、第二光吸收层5和第二透明电极层6同时覆盖于所述透光区域a和非透光区域b上，其中，如图4和5所示，所述第一光吸收层3在所述透光区域a内包括至少一条第一光吸收线31，所述反射电极层4在所述透光区域a内包括至少一条反射电极线41，所述第二光吸收层5在所述透光区域a内包括至少一条第二光吸收线51；所述第一光吸收线31、反射电极线41和第二光吸收线51一一对应重叠在一起形成至少一栅格线c。所述第一透明电极层2和/或第二透明电极层6可如图4所示整面覆盖于所述透光区域a内，也可如图5所示在所述透光区域a内分别包括至少一第一透明电极线21和/或至少一第二透明电极线61，所述第一透明本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于：包括依次层叠于透明衬底上的第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层之间构成第一电池结构，所述反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层之间构成第二电池结构。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池，其特征在于：包括依次层叠于透明衬底上的第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层之间构成第一电池结构，所述反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层之间构成第二电池结构。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：所述第一透明电极层作为所述第一电池结构的前电极层，所述第二透明电极层作为所述第二电池结构的前电极层，所述反射电极层作为所述第一电池结构和第二电池结构的公共背电极层。3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于：具有透光区域和非透光区域，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层至少覆盖于所述非透光区域上。4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池为全透型，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层仅覆盖于所述非透光区域上。5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池为半透型，所述第一透明电极层、第一光吸收层、反射电极层、第二光吸收层和第二透明电极层同时覆盖于所述透光区域和非透光区域上，其中，所述第一光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第一光吸收线，所述反射电极层在所述透光区域内包括至少一条反射电极线，所述第二光吸收层在所述透光区域内包括至少一条第二光吸收线；所述第一光吸收线、反射电极线和第二光吸收线一一对应重叠在一起形成至少一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文进，赵云，张为苍，眭斌，李源，杨亮，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44