一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构制造技术

技术编号:22222949 阅读:48 留言:0更新日期:2019-09-30 03:40
本发明专利技术的目的在于公开一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层,DP3图形层叠印在DP1图形层和DP2图形层上;与现有技术相比,DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线,有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积,从而降低金属电极的金属复合,制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料,有效地降低了接触电阻;DP3图形层采用直通式副栅线,制备电极时采用导电性好的非接触型浆料,既防止金属电极与硅基体接触,极大地降低电极的金属复合,又将圆点式副栅线连通,有效地收集、传输电池产生的电流,有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率,实现本发明专利技术的目的。

A Triple Printing Screen Structure of Subgrid Line for IBC Solar Cells

【技术实现步骤摘要】
一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构
本专利技术涉及一种太阳能电池副栅线印刷网版结构,特别涉及一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构。
技术介绍
近年来,环境污染已经严重威胁到了社会与经济的发展和每个人的生存。在全球性化能源日益耗尽、环境污染不断加重的今天,太阳能将与其他新型能源一起成为石油、煤、天然气等不可再生能源的理想补充和替代能源。随着光伏产业的迅猛发展,太阳能电池转换效率不断提高,成本不断降低,使得光伏发电的前景更为光明和宽阔。IBC太阳能电池,其中的IBC具体为Interdigitatedbackcontact,可理解为一种背结太阳能电池,较常规太阳能电池,IBC太阳能电池的工艺流程要相对复杂。IBC太阳能电池中,背面电极的制备一直是工艺难点。目前,主要通过丝网印刷技术单次印刷一种浆料制备电极,此方式一方面无法使P+掺杂区和N+掺杂区分别匹配最佳的浆料制备电极,影响了电极和掺杂区的接触电阻,另一方面整个副栅线图形均与硅基体接触,极大地增加了电极的金属复合,这两点都严重影响了IBC太阳能电池的光电转换效率。因此,特别需要一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,以解决上述现有存在的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,针对现有技术的不足,解决了采用单次印刷一种浆料制备电极难以获得更好的技术接触和更低的金属复合,限制电池转换效率提升的问题。本专利技术所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其特征在于,它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构,所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上,所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点,所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点,所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线及Mark点。在本专利技术的一个实施例中,所述DP1图形层的圆点式副栅线之间平行设置,所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm,相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。进一步,所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。在本专利技术的一个实施例中,所述DP1图形层的Mark点包括由浆料印刷而成且位于两相邻圆点之间对称分布于DP1图形层表面的实心十字形及由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP1图形层表面的实心正方形。进一步,所述DP1图形层的Mark点的数量为4个。在本专利技术的一个实施例中,所述DP2图形层的圆点式副栅线之间平行设置,所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm,相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。进一步,所述DP2图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。在本专利技术的一个实施例中,所述DP2图形层的Mark点为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP2图形层表面的空心正方形框体。进一步,所述DP2图形层的Mark点的数量为4个。在本专利技术的一个实施例中,所述DP3图形层的直通式副栅线的数量与所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量和所述DP2图形层的圆点式副栅线的数量之和相同,所述直通式副栅线之间相互平行设置。在本专利技术的一个实施例中,所述DP3图形层的Mark点为位于直通式副栅线上与所述DP1图形层中Mark点的数量和位置一致的空心十字形。本专利技术的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,与现有技术相比,DP1图形层和DP2图形层采用圆点式副栅线,有效地降低了金属电极与硅基体的接触面积,从而降低金属电极的金属复合,制备金属电极时分别采用匹配P+和N+掺杂特性的接触型浆料,有效地降低了接触电阻;DP3图形层采用直通式副栅线,制备电极时采用导电性好的非接触型浆料,既防止金属电极与硅基体接触,极大地降低电极的金属复合,又将圆点式副栅线连通,有效地收集、传输电池产生的电流,有效地提高了IBC太阳能电池的开路电压、短路电流和转换效率,实现本专利技术的目的。本专利技术的特点可参阅本案图式及以下较好实施方式的详细说明而获得清楚地了解。附图说明图1为本专利技术的DP1图形层的结构示意图;图2为本专利技术的DP1图形层中Mark点的局部放大图;图3为本专利技术的DP2图形层的结构示意图;图4为本专利技术的DP2图形层中Mark点的局部放大图;图5为本专利技术的DP3图形层的结构示意图;图6为本专利技术的DP3图形层中Mark点的局部放大图;图7为本专利技术的DP1图形层和DP2图形层二次印刷套印后的结构示意图;图8为本专利技术的DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层三次印刷套印后的结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体图示,进一步阐述本专利技术。实施例如图1至图8所示,本专利技术的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构,所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上。所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线3、Mark点1及Mark点2;所述DP1图形层的圆点式副栅线3之间平行设置,圆点式副栅线3的圆点直径为20μm-80μm,相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。所述DP1图形层的圆点式副栅线3的数量为100根以上。所述DP1图形层的Mark点1为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP1图形层表面的实心正方形,所述DP1图形层的Mark点2为由浆料印刷而成且位于两相邻圆点之间对称分布于DP1图形层表面的实心十字形。所述DP1图形层的Mark点1为具有边长为A2的实心正方形,位于两相邻副栅线之间,由银浆料印刷而成;所述DP1图形层的Mark点2为具有长为A1,宽为B1的实心十字形,位于两根副栅线之间,由银浆料印刷而成。所述DP1图形层的Mark点1的数量为4个,所述DP1图形层的Mark点2的数量为4个。所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线5及Mark点4;所述DP2图形层的圆点式副栅线5之间平行设置,圆点式副栅线5的圆点直径为20μm-80μm,相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。所述DP2图形层的圆点式副栅线5的数量为100根以上。所述DP2图形层的Mark点4为由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP2图形层表面的空心正方形框体。所述DP2图形层的Mark点4为具有内外边长为A3、A4的空心正方形框体,位于两相邻副栅线之间。所述DP2图形层的Mark点的数量为4个。所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线7及Mark点6。所述DP3图形层的Mark点6为位于直通式副栅线上与所述DP1图形层中Mark点的数量和位置一致的空心十字形。所述DP3图形层的Mark点6为具有长为A5,宽为B2的空心十字形,位于两根副栅线之间。所述DP3图形层的Mark点6的数量为4个,所述DP3图形层的直通式副栅线7的根数为若干根,直通式副栅线7之间相互平行,Mark点6位于直通式副栅线上。在本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种I BC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其特征在于,它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构,所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上,所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点,所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点,所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线及Mark点。

【技术特征摘要】
1.一种IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其特征在于,它包括DP1图形层、DP2图形层和DP3图形层构成的三次印刷网版结构,所述DP3图形层叠印在所述DP1图形层和所述DP2图形层上,所述DP1图形层包括与P+(N+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点,所述DP2图形层包括与DP1图形层极性相反的N+(P+)掺杂区接触的圆点式副栅线及Mark点,所述DP3图形层包括连接DP1图形层和DP2图形层中圆点式副栅线的直通式副栅线及Mark点。2.如权利要求1所述的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其特征在于,所述DP1图形层的圆点式副栅线之间平行设置,所述圆点式副栅线的圆点直径为20μm-80μm,相邻圆点的圆心距为60μm-240μm。3.如权利要求2所述的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其特征在于,所述DP1图形层的圆点式副栅线的数量为100根以上。4.如权利要求1所述的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其特征在于,所述DP1图形层的Mark点包括由浆料印刷而成且位于两相邻圆点之间对称分布于DP1图形层表面的实心十字形及由浆料印刷而成且位于两相邻副栅线之间对称分布于DP1图形层表面的实心正方形。5.如权利要求4所述的IBC太阳能电池副栅线三次印刷网版结构,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴翔宋志成郭永刚屈小勇马继奎张博高嘉庆
申请(专利权)人:国家电投集团西安太阳能电力有限公司国家电投集团西安太阳能电力有限公司西宁分公司青海黄河上游水电开发有限责任公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司
类型:发明
国别省市:陕西,61

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