【技术实现步骤摘要】
分流电阻器的制造方法
本专利技术是有关于一种电阻器，且特别是有关于一种具模组化结构的分流电阻器(shuntresistor)的制造方法。
技术介绍
制造分流电阻器时，一般是采用电子束焊接(E-beamwelding)、热接缝熔接(seamwelding)、或激光焊接(laserbeamwelding)等技术来结合高导电电极材与电阻合金材，而形成电阻复合材。再裁切与冲压(punch)电阻复合材，以形成多个分流电阻器的初模型。然后，利用调整阻值机台来调整分流电阻器的初模型的阻值，借以使分流电阻器的阻值精准化。然而，电子束焊接操作须全程在真空下进行，因此焊接加工成本高。此外，电子束焊接时易产生材料喷溅现象，如此不仅会影响电阻合金材的本体，而导致分流电阻器的阻值控制不易，也会在分流电阻器的表面形成孔洞及/或喷溅突起物，而致使分流电阻器的外观不佳。而且，若焊接时电子束深度没有调整适当，会形成很明显的焊道，也会使得分流电阻器的阻值不好控制。再者，冲压时会使得电阻复合材内的应力产生变化，而导致分流电阻器的阻值改变。因此，利用电子束焊接技术所制成的分流电阻器须耗费很多时间进行修阻...
【技术保护点】
1.一种分流电阻器的制造方法，其特征在于所述分流电阻器的制造方法包含：提供电阻板体，所述电阻板体具有相对的第一侧面与第二侧面；将第一电极板体与第二电极板体分别压合于所述电阻板体的所述第一侧面与所述第二侧面，借以在所述第一电极板体与所述电阻板体之间形成第一接面，以及在所述第二电极板体与所述电阻板体之间形成第二接面；将第一导电模组设于所述第一接面的相对两端，以及将第二导电模组设于所述第二接面的相对两端；以及经由所述第一导电模组与所述第二导电模组分别对所述第一接面与所述第二接面施加电流，以使所述第一电极板体与所述电阻板体在所述第一接面处熔接，以及使所述第二电极板体与所述电阻板体在所述第二接面处熔接。
【技术特征摘要】
1.一种分流电阻器的制造方法，其特征在于所述分流电阻器的制造方法包含：提供电阻板体，所述电阻板体具有相对的第一侧面与第二侧面；将第一电极板体与第二电极板体分别压合于所述电阻板体的所述第一侧面与所述第二侧面，借以在所述第一电极板体与所述电阻板体之间形成第一接面，以及在所述第二电极板体与所述电阻板体之间形成第二接面；将第一导电模组设于所述第一接面的相对两端，以及将第二导电模组设于所述第二接面的相对两端；以及经由所述第一导电模组与所述第二导电模组分别对所述第一接面与所述第二接面施加电流，以使所述第一电极板体与所述电阻板体在所述第一接面处熔接，以及使所述第二电极板体与所述电阻板体在所述第二接面处熔接。2.如权利要求1所述的分流电阻器的制造方法，其特征在于所述电阻板体的所述第一侧面设有至少一第一拼接部，所述第二侧面设有至少一第二拼接部，所述第一电极板体设有至少一第一接合部，所述第二电极板体设有至少一第二接合部，以及在将所述第一电极板体与所述第二电极板体分别压合于所述电阻板体的所述第一侧面与所述第二侧面之前，所述分流电阻器的制造方法还包含将所述第一拼接部与所述第二拼接部分别对应拼接所述第一接合部与所述第二接合部，以将所述第一电极板体与所述第二电极板体分别预结合于所述电阻板体的所述第一侧面与所述第二侧面。3.如权利要求1所述的分流电阻器的制造方法，其特征在于将所述第一导电模组与所述第二导电模组分别设于所述第一接面的相对两端及所述第二接面的相对两端时，更包含通过所述第一导电模组与所述第二导电模组对所述第一接面的相对两端与所述第二接面的相对两端施压。4.如权利要求1所述的分流电阻器的制造方法，其特征在于所述第一导电模组与所述第二导电模组包含碳棒板或钨棒板。5.如权利要求1所述的分流电阻器的制造方法，其特征在于施加所述电流时，所述电流实质平行于所述第一接面与所述第二接面。6.如权利要求1所述的分流电阻器的制造方法，其特征在于施加所述电流时在惰性气体环境下进...
【专利技术属性】
技术研发人员：萧胜利，林广成，李焕文，陈致龙，
申请(专利权)人：国巨电子中国有限公司，国巨股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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