一种外延沉积腔室制造技术

本实用新型专利技术属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种外延沉积腔室。该腔室包括工艺腔、外室、加热装置、气体注入装置和基座支撑装置；外室由外腔体和外腔盖组成，工艺腔固设于外腔体内；加热装置包括下电阻加热板和上电阻加热板，下电阻加热板设于工艺腔下方的外腔体内；上电阻加热板设于工艺腔上方的外腔盖内；工艺腔底部前侧设有凸台，基座支撑装置设于工艺腔底部中央；气体注入装置包括若干气体喷射器，安装在凸台内。本实用新型专利技术简单易于加工制造，且不需要定期拆卸清洗，降低了制造成本和维护成本。保证了反应区气体的均匀性，提高了外延生长均匀性。

An Epitaxial Deposition Chamber

【技术实现步骤摘要】
一种外延沉积腔室
本技术属于半导体制造设备
，具体涉及一种外延沉积腔室。
技术介绍
外延生长工艺是指在单晶衬底表面生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，还可以对外延层进行掺杂，形成P型或N型有源层。生长外延层有多种方法，但采用最多的是化学气相沉积。沉积速率和沉积厚度基本上是温度和流量决定的。外延生长的均匀性主要受衬底晶片温度均匀性、气体流速、气体均匀性和稳定性等因数影响。单片式外延生长装置由于其大直径外延加工能力和高质量的外延生长效果已经成为国际上外延片生产的发展主流。单片式外延反应腔一般为石英腔体，石英腔尺寸结构受材质限制，加工大尺寸腔体难度较大且加工成本高。衬底晶片外延生长过程中会有部分反应物堆积在腔体内表面，如不及时清洗石英腔，其不但会改变石英腔体内部的几何形状而影响反应气流，而且其堆积物中的颗粒也会成为污染来源，进而使衬底晶片上所形成的薄膜产生缺陷。因石英腔加热一般为红外灯加热，反应物的堆积也导致石英腔透光性下降，影响加热效果，需定期维护清洗，其维护停机时间较长，影响产能。而石英腔使用寿命有限，需定期更换，又增加了维护成本。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是，克服本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延沉积腔室，包括工艺腔；其特征在于，还包括外室、加热装置、气体注入装置和基座支撑装置；所述外室由外腔体和外腔盖组成，所述工艺腔固设于所述外腔体内；所述加热装置包括下电阻加热板和上电阻加热板，下电阻加热板设于工艺腔下方的外腔体内；所述上电阻加热板设于工艺腔上方的外腔盖内；所述工艺腔底部前侧设有凸台，气体注入装置安装在所述凸台内；所述基座支撑装置设于工艺腔底部中央，包括基座与设于基座下部的旋转轴；基座上端面放置衬底晶片，旋转轴伸出至外室外，并与外部的旋转机构连接；所述气体注入装置包括若干气体喷射器；由下至上包括进气口、气体通道、出气口通道与出气口，进气口外接气体流量控制系统，通过该系统调...

【技术特征摘要】
1.一种外延沉积腔室，包括工艺腔；其特征在于，还包括外室、加热装置、气体注入装置和基座支撑装置；所述外室由外腔体和外腔盖组成，所述工艺腔固设于所述外腔体内；所述加热装置包括下电阻加热板和上电阻加热板，下电阻加热板设于工艺腔下方的外腔体内；所述上电阻加热板设于工艺腔上方的外腔盖内；所述工艺腔底部前侧设有凸台，气体注入装置安装在所述凸台内；所述基座支撑装置设于工艺腔底部中央，包括基座与设于基座下部的旋转轴；基座上端面放置衬底晶片，旋转轴伸出至外室外，并与外部的旋转机构连接；所述气体注入装置包括若干气体喷射器；由下至上包括进气口、气体通道、出气口通道与出气口，进气口外接气体流量控制系统，通过该系统调控各气体喷射器出气流速。2.根据权利要求1所述的外延沉积腔室，其特征在于，所述下电阻加热板和上电阻加热板呈圆环形或圆形，是由多个共面的电阻加热器组成；所述电阻加热器的外形呈圆环形或1/4圆环形，内部绕圆心呈波浪形；所述电阻加热器的厚度随所述电阻加热器的径向位置尺寸变化，以满足...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈文杰，傅林坚，潘文博，董医芳，汤承伟，章杰峰，麻鹏达，周建灿，
申请(专利权)人：浙江求是半导体设备有限公司，浙江晶盛机电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33