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本实用新型属于半导体制造设备技术领域，具体涉及一种外延沉积腔室。该腔室包括工艺腔、外室、加热装置、气体注入装置和基座支撑装置；外室由外腔体和外腔盖组成，工艺腔固设于外腔体内；加热装置包括下电阻加热板和上电阻加热板，下电阻加热板设于工艺腔下方...该专利属于浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江求是半导体设备有限公司;浙江晶盛机电股份有限公司授权不得商用。