自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法技术

本发明专利技术提供一种自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，包括以下步骤，S1：籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置；S2：籽晶慢速降至硅溶液液面处，籽晶与硅溶液液面接触；S3：测量装置测量籽晶的熔接直径，当熔接直径达到下限值时，停止下降。本发明专利技术的有益效果是采用工业相机时时对籽晶的熔接直径进行检测，根据籽晶的熔接直径进行下降，实现自动将籽晶降到硅溶液中，自动定位至原生籽晶处，可以极大的提高工作效率以及工作一致性，可以起到节约工时、降低成本的作用。

A Method of Automatically Locating the Primary Seed Crystal to Terminate the Drop in the Process of Automatic Seed Dropping

【技术实现步骤摘要】
自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法
本专利技术属于直拉单晶
，尤其是涉及一种自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法。
技术介绍
目前已知的技术是可以实现自动下降籽晶至液面方法，无法做到自动将籽晶降至原生籽晶接触液面处，目前技术是选择降籽晶后，系统会自动下降籽晶，但是无法将籽晶自动降至液面中，无法自动将籽晶降至原生籽晶处，只能实现一部分自动化功能，只能自动将籽晶下降至液面上方，如果操作人员工作集中时，无暇操作本次稳温，那么会出现工时浪费的情况。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术要解决的问题是提供一种自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，尤其适合籽晶下降过程中使用，能够实现自动降籽晶降到硅溶液中，不需人工操作，节约工时，降低成本。为解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案是：自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，包括以下步骤，S1：籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置；S2：籽晶慢速降至硅溶液液面处，籽晶与硅溶液液面接触；S3：测量装置测量籽晶的熔接直径，当熔接直径达到下限值时，停止下降。进一步的，步骤S3具体为，当籽晶与硅溶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：包括以下步骤，S1：籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置；S2：所述籽晶慢速降至所述硅溶液液面处，所述籽晶与所述硅溶液液面接触；S3：测量装置测量所述籽晶的熔接直径，当所述熔接直径达到下限值时，停止下降。

【技术特征摘要】
1.自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：包括以下步骤，S1：籽晶快速降至硅溶液上方的极限位置；S2：所述籽晶慢速降至所述硅溶液液面处，所述籽晶与所述硅溶液液面接触；S3：测量装置测量所述籽晶的熔接直径，当所述熔接直径达到下限值时，停止下降。2.根据权利要求1所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S3具体为，当所述籽晶与所述硅溶液液面接触时，所述测量装置开始测量所述籽晶的熔接直径，并根据测量的熔接直径，进行下降距离的选择，根据所述下降距离进行下降；当所述籽晶的熔接直径达到第一直径时，进行第一下降距离的选择，根据所述第一下降距离，进行下降；以及重复上述步骤，直至所述籽晶的熔接直径达到所述下限值时，停止下降。3.根据权利要求1或2所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S1中的所述极限位置为所述籽晶快速下降的最低距离，所述极限位置为200-260mm。4.根据权利要求3所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：所述步骤S2中慢速下降为以恒定的速度下降，所述恒定的速度为400-600mm/hr。5.根据权利要求4所述的自动降籽晶过程中自动定位至原生籽晶处终止下降的方法，其特征在于：步骤S3籽晶的熔接直径变化范...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，皇甫亚楠，杨志，周泽，王建平，王林，徐强，高润飞，谷守伟，
申请(专利权)人：内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司，
类型：发明
国别省市：内蒙古,15