一种动态调整温场中温度梯度的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种动态调整温场中温度梯度的装置，其包括炉膛壁、籽晶连接杆、温场、温场上盖；所述的温场设置在炉膛壁的中间位置；在所述的温场的上方设置所述的温场上盖；在所述的温场上盖的上方设置第一盖板驱动装置和第二盖板驱动装置；所述的第一盖板驱动装置和第二盖板驱动装置设置在籽晶连接杆的两侧；本实用新型专利技术在晶体生长降温过程中通过移动第一盖板和第二盖板，使第一盖板、第二盖板形成闭合的圆环，能够动态调整晶体生长温场中温度梯度，有效解决晶体生长温场中温度梯度固定不变的问题，从而减小温场中的温度梯度，提高晶体的完整率，降低晶体生产成本。

A Device for Dynamic Adjustment of Temperature Gradient in Temperature Field

【技术实现步骤摘要】
一种动态调整温场中温度梯度的装置
本技术涉及人工晶体生长设备领域，具体涉及到一种动态调整温场中温度梯度的装置。
技术介绍
目前人工晶体生长领域中对于生长LYSO、LSO、YAG、YVO4、GGG和YAP等高温晶体时一般都是采用提拉法生长，晶体生长时将原料放在坩埚中，然后将其放置于上盖开口，具有一定温度梯度的温场中，并密封在炉膛中，最后加热使原料熔化，通过炉膛壁上预留的石英玻璃观察窗口观看炉膛内的晶体生长状况，进行下放籽晶、接种、收颈、放肩、等径生长、收尾、降温出炉等晶体生长工作。在提拉法生长晶体中，接种、收颈、放肩、等径生长和收尾需要温场提供一定的温度梯度，从而形成一定的过冷度，为晶体生长提供驱动力，但是在晶体生长结束开始降温的过程中，则不再需要温场中存在较大的温度梯度，最理想的是温场中不存在温度梯度，因为较大的温度梯度容易造成晶体开裂，增加晶体生产成本。由于提拉炉生长晶体的温场是密封在炉膛内，一旦密封进行晶体生长后，温场中的温度梯度根据所设计的温场结构形式而固定不变，无法再对温场中的温度梯度进行调整。因此，为提高晶体的完整率，降低晶体生产的成本，需要对现有温场结构装置进行优化处理。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态调整温场中温度梯度的装置，其特征在于，包括炉膛壁、籽晶连接杆、温场、温场上盖；所述的温场设置在炉膛壁的中间位置；在所述的温场的上方设置所述的温场上盖；在所述的温场上盖的上方设置第一盖板驱动装置和第二盖板驱动装置；所述的第一盖板驱动装置和第二盖板驱动装置设置在籽晶连接杆的两侧。

【技术特征摘要】
1.一种动态调整温场中温度梯度的装置，其特征在于，包括炉膛壁、籽晶连接杆、温场、温场上盖；所述的温场设置在炉膛壁的中间位置；在所述的温场的上方设置所述的温场上盖；在所述的温场上盖的上方设置第一盖板驱动装置和第二盖板驱动装置；所述的第一盖板驱动装置和第二盖板驱动装置设置在籽晶连接杆的两侧。2.如权利要求1所述的一种动态调整温场中温度梯度的装置，其特征在于，所述的第一盖板、第二盖板的材质为氧化锆，第一盖板、第二盖板水平放置在温场上盖上，通过移动第一连接杆、第二连接杆，使第一盖板、第二盖板形成闭合的圆环，第一盖板、第二盖板的内径比籽晶连接杆外径大2～50mm，第一盖板、第二盖板的外径比温场上盖的内径大10～100mm，第一盖板、第二盖板的厚度为5～50mm。3.如权利要求1所述的一种动态调整温场中温度梯度的装置，其特征在于，所述的第一盖板驱动装置还包括第一连接杆、第一盖板、第一波纹管、第一真空接头；第一盖板与第一连接杆连接固定在一起，第一连...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁言国，徐悟生，叶崇志，丁祖兵，陈凯，
申请(专利权)人：上海新漫晶体材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31