结温测量装置及家电功率调控方法制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种结温测量装置及家电功率调控方法，属于半导体技术领域。包括：封闭空间及用于放置半导体器件的平台；其中，平台位于封闭空间内，平台用于为半导体器件提供恒温环境。由于可以提供恒温环境，且以恒温环境为基础，后续可采用有限元分析的方式测量半导体器件中待测半导体的结温，从而相较于经验公式的推测方式，通过结温测量装置测量结温时灵活性更高，且测量结果更加准确。

Junction temperature measuring device and power control method of household appliances

【技术实现步骤摘要】
结温测量装置及家电功率调控方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种结温测量装置及家电功率调控方法。
技术介绍
IPM(IntelligentPowerModule，智能功率模块)是一种由高速、低功耗的IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极晶体管)与FRD(FastRecoveryDioxide，快恢复二极管)，栅极驱动以及相应的保护电路构成的半导体器件，广泛应用于家用电器、轨道交通及电力系统等领域。对于IPM器件，温度是此类器件失效的重要因素之一。而当功耗一定的情况下，半导体器件的热阻特性是影响IPM器件结温的关键因素。相应地，对于IPM热阻特性的测试与评价也是一个值得关注的研究课题。目前，双界面瞬态热阻测试法是IPM器件热阻测试的一种重要方法。该方法通过改变IPM器件与热沉之间的接触条件，如干接触或利用散热膏导热接触等，测量半导体器件与热沉之间的热阻抗，然后采用一定的算法来获得IPM器件的结壳热阻。其中，K因素标定是使用双界面瞬态热阻测试法的第一步，后续步骤都是基于K因素，测量功率耗散的晶圆温度。半导体晶圆处的晶圆温度很难直接测试本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种结温测量装置，其特征在于，包括：封闭空间及用于放置半导体器件的平台；其中，所述平台位于所述封闭空间内，所述平台用于为所述半导体器件提供恒温环境。

【技术特征摘要】
1.一种结温测量装置，其特征在于，包括：封闭空间及用于放置半导体器件的平台；其中，所述平台位于所述封闭空间内，所述平台用于为所述半导体器件提供恒温环境。2.根据权利要求1所述的结温测量装置，其特征在于，所述半导体器件与所述平台之间设置有热传导层。3.根据权利要求2所述的结温测量装置，其特征在于，所述热传导层为导热硅脂层。4.根据权利要求1至3中任一项所述的结温测量装置，其特征在于，所述平台由冷板制成，所述平台通过水循环或油循环提供恒温环境。5.一种基于权利要求1至4中任一项所述的结温测量装置的家电功率调控方法，其特征在于，包括：建立控制方程，并获取边界条件，所述控制方程中包含所述结温测量装置中半导体器件内待测半导体的结温变量；基于有限元分析法及所述边界条件，对所述控制方程进行求解，得到所述结温变量的求解结果，根据所述求解...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯宇翔，周海佳，
申请(专利权)人：广东美的白色家电技术创新中心有限公司，美的集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44