一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术属于脉冲辐射探测领域，具体涉及一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置及探测方法。该探测装置包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；辐射探测器包括半导体激光器和为半导体激光器提供预偏置电流的外接电源，外接电源所提供的电流大于或者等于半导体激光器的阈值电流。本发明专利技术利用X射线对半导体激光器有源区载流子直接调制，实现对半导体激光器输出功率的扰动，通过测量输出激光信号的变化最终获得X射线脉冲信息，基于该方法的探测系统具有结构简单、成本低廉、超快时间响应以及以激光为信号特征等优点。

【技术实现步骤摘要】
201610230662

【技术保护点】
一种基于半导体激光器的X射线辐射场探测装置，其特征在于：包括辐射探测器和激光功率测量记录设备；所述辐射探测器通过光纤或者激光聚焦传输器件与激光功率测量记录设备实现光路连通；所述辐射探测器包括半导体激光器和为半导体激光器提供预偏置电流的外接电源，外接电源所提供的电流大于或者等于半导体激光器的阈值电流。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，欧阳晓平，黑东炜，张忠兵，谭新建，陈亮，翁秀峰，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：陕西;61