【技术实现步骤摘要】
低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置及其制备方法
本专利技术涉及低能微型点火起爆装置件
，特别是一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置及其制备方法。
技术介绍
爆炸箔也称为冲击片雷管(slapper)，主要包括金属桥箱、飞片层、加速膛和钝感装药。由于其不含敏感含能单元，具有抗电磁干扰能力强，耐冲击等优点，是一种极其安全可靠的起爆装置。在武器系统中有着广泛应用，包括FMU-152A/B联合编程引信、PavewayIV激光制导炸弹、MK83和BLU-109等精确制导导弹等都采用了爆炸箔起爆系统。半导体桥(SemiconductorBridge，简称SCB)是指利用半导体膜(或金属—半导体复合膜)做发火元件进而发展为利用微电子集成技术，使火工品具有逻辑功能的火工品。它具有高瞬发度、高安全性、高可靠性、低发火能量以及能与数字逻辑电路组合等优点。爆炸箔和半导体桥雷管是20世纪90年代后期发展起来的两种新的起爆技术，不但用于起爆，而且还可用于点火，两种起爆技术各有优缺点。故此，本专利提出一种不含敏感起爆药和低密度猛炸药的低能触发Si基爆炸箔起爆装置，对爆炸箔起爆技术与...
【技术保护点】
1.一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：所述爆炸箔起爆装置包括多晶Si基底(1)，金属焊盘(2)，爆炸桥箔(3)，飞片(4)，加速膛(6)，钝感药柱(5)，Si开关(7)；所述Si基片(1)上刻蚀出爆炸箔桥区(3)、半导体开关桥区(7)，预留金属焊盘(2)区；金属焊盘(2)为高导电率的金属沉积在爆炸桥箔(3)及Si开关(7)上，且用于调节多晶Si方形桥区(3)和Si开关(7)的电阻；所述的加速膛层(6)制作为带有2个圆孔的薄片层，其中一个位于开关(7)正上方，为开关电爆留出空间；另一个位于爆炸箔桥区正上方，用于飞片加速。
【技术特征摘要】
1.一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：所述爆炸箔起爆装置包括多晶Si基底(1)，金属焊盘(2)，爆炸桥箔(3)，飞片(4)，加速膛(6)，钝感药柱(5)，Si开关(7)；所述Si基片(1)上刻蚀出爆炸箔桥区(3)、半导体开关桥区(7)，预留金属焊盘(2)区；金属焊盘(2)为高导电率的金属沉积在爆炸桥箔(3)及Si开关(7)上，且用于调节多晶Si方形桥区(3)和Si开关(7)的电阻；所述的加速膛层(6)制作为带有2个圆孔的薄片层，其中一个位于开关(7)正上方，为开关电爆留出空间；另一个位于爆炸箔桥区正上方，用于飞片加速。2.根据权利要求所述的低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：所述的多晶Si基片(1)上直接刻蚀出爆炸桥箔区(3)，通过将高电导率金属通过磁控溅射沉积在Si基片爆炸桥箔区(3)上来调节桥区电阻，。3.根据权利要求1所述的低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：加速膛层(6)设有的2个圆孔的薄片层中，一个位于开关(7)正上方，为开关电爆留出空间，其直径是开关(7)最小电极间隙的2-8倍；另一个位于爆炸箔桥区正上方，给飞片加速，其孔洞直径一般是爆炸桥区(3)直径的1倍、√3倍或者2倍。4.根据权利要求1或3所述的低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：加速膛层(6)采用环氧树脂类光刻胶制成。5.根据权利要求1所述的低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置，其特征在于：所述的Si开关(7)可采用对顶三角形、两端宽中间窄的桥型。6.一种低能触发Si基开关集成爆炸箔起爆装置的制备方法，其特征在于：第一步，对多晶Si基底(1)进行表面清洗，利用光刻工艺形成Si半导体桥箔(3)、Si开...
【专利技术属性】
技术研发人员：朱朋，覃新，唐科，陈楷，徐聪，沈瑞琪，叶迎华，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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