【技术实现步骤摘要】
发光二极管电极扩展条结构的成型工艺
本专利技术属于发光二极管
,特别是涉及一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺。
技术介绍
发光二极管(英文为LED,缩写为LightEmittingDiode)由于具有寿命长、耗能低等优点,应用于各种领域,尤其随着其照明性能指标日益大幅提升,LED的应用越来越广泛,例如用于光学显示装置、交通标志、数据储存装置、通信装置及照明装置等。目前的LEDPad和采用的工艺如图1至图3,其具体的结构包括:导电基板200、键合层210、反射镜220、P型批覆层230、异质结240、N型批覆层260、N-GaAs320、负极310、finger320。原工艺结构金属电极下为电流扩展层n-GaAs,电极材料为Au/AuGeNi/Au,Au和Ge作为掺杂扩散到半导体材料中,形成欧姆接触,但是目前结构的电流扩展效果并不明显,且高掺层存在一定程度的遮光。
技术实现思路
本专利技术的目的在于:提出一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺;该发光二极管电极扩展条结构的成型工艺能够解决由于欧姆接触效果不佳导致的电流扩展不畅问题,进而减少高掺的电流扩展层的吸光效果。为了达到上述目的,本专利技术的技术方案为:一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺,包括以下步骤:步骤一:用电感耦合等离子体(ICP)离子束轰击n-GaAs表面或开黄光或湿法腐蚀,打出窗口面n-GaAs窗口;步骤二:用化学气相沉积沉积金属电极(PadCVD沉积);步骤三:取电极(Pad)光罩板,采用SUSS机台上胶,其中:光胶的型号为L300,采用软烤100℃,时长为5min;步骤四:电极光罩 ...
【技术保护点】
1.一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:用电感耦合等离子体离子束轰击n‑GaAs表面或开黄光或湿法腐蚀,打出窗口面n‑GaAs窗口;步骤二:用化学气相沉积沉积金属电极;步骤三:取电极光罩板,采用SUSS机台上胶,其中:光胶的型号为L300,采用软烤100℃,时长为5min;步骤四:电极光罩曝光7s;步骤五:曝后烤100℃,时长为20min;步骤六:电极光罩显影;步骤七:等离子体打氧机,打氧时长为20min;步骤八:电极蒸镀,以Au/AuGeNi/Au/Pt/Au进行物理蒸镀,厚度范围是2.232um~2.728um;步骤九:对电极进行金属电极剥离,剥离表面金属,形成金属电极图案,在玻璃容器中添加丙酮,片源放置于卡塞中,待整体没过片源后,对片源进行震荡处理;步骤十:对震荡后的片源进行去胶处理,步骤十一:去除掩膜。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管电极扩展条结构的成型工艺,其特征在于,包括以下步骤:步骤一:用电感耦合等离子体离子束轰击n-GaAs表面或开黄光或湿法腐蚀,打出窗口面n-GaAs窗口;步骤二:用化学气相沉积沉积金属电极;步骤三:取电极光罩板,采用SUSS机台上胶,其中:光胶的型号为L300,采用软烤100℃,时长为5min;步骤四:电极光罩曝光7s;步骤五:曝后烤100℃,时长为20min;步骤六:电极光罩显影;步骤七:等离子体打氧机,打氧时长为20min;步骤八:电极蒸镀,以Au/AuGeNi/Au/Pt/Au进行物理蒸镀,厚度范围是2.232um~2.728um;步骤九:对电极进行金属电极剥离,剥离表面金属,形成金属电极图案,在...
【专利技术属性】
技术研发人员:曲迪,白国人,陈墨,明辰,宋学颖,
申请(专利权)人:天津华慧芯科技集团有限公司,
类型:发明
国别省市:天津,12
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