【技术实现步骤摘要】
一种静电防护结构
本技术属于芯片
，特别是涉及一种静电防护结构。
技术介绍
IC芯片是将大量的微电子元器件形成的集成电路放在一块塑基上，然后做成一块芯片，而今几乎所有看到的芯片，都可以叫做IC芯片，随着科学技术的不断发展和不断进步，IC芯片已经广泛应用在我们生活的各个领域，但是IC的控制模块容易受到接入电流静电的影响，进而影响IC芯片的性能。半个世纪以来，静电在电子行业引起的着火、爆炸等事故不胜枚举。仅美国电子行业每年因静电造成的损失就高达几百亿美元，因此，静电防护在减少损失、提升品质和消费效率方面具有重要的意义。随着导体技术和集成电路行业的迅速发展以及广泛应用，体积小、集成度高的器件越发受市场欢迎，这种需求也导致导线间间距越来越小，内部氧化膜逐渐变薄，同时也导致器件对静电的影响十分敏锐，以至于一些微小电压就可能击穿这些电子器件。而电子产品在生产、运输、储存和转运等一系列过程中所产生的静电电压却远远超过其耐压值，这就可能造成器件的击穿或失效，影响产品的可靠性。所以必须要重视静电的防护，从根本上解决这个问题。在电子行业中，静电放电(ESD)的能量对于传统器件的...
【技术保护点】
1.一种静电防护结构，其特征在于：包括静电防护模块、静电吸收模块；所述静电防护模块包括串联在一起的电阻和TVS管，电阻的另一端接VCC或悬空；所述静电吸收模块包括串联在一起的电阻和电容；所述静电吸收模块的电阻与静电防护模块的电阻接在静电防护模块的电阻与TVS管之间；所述静电吸收模块的电容、静电防护模块的TVS管还接地连接。
【技术特征摘要】
1.一种静电防护结构，其特征在于：包括静电防护模块、静电吸收模块；所述静电防护模块包括串联在一起的电阻和TVS管，电阻的另一端接VCC或悬空；所述静电吸收模块包括串联在一起的电阻和电容；所述静电吸收模块的电阻与静电防护模块的电阻接在静电防护模块的电阻与TVS管之间；所述静电吸收模块的电容、静电防护模块的TVS管还接地连接。2.如权利要求1所述的静电防护结构，其特征在于：包括至少两组静电吸收模块，相邻静电吸收模块的电阻串联。3.如权利要求1或2所述的静电防护结构，其特征在于：包括两组静电防护模块，所述静电吸收模块位于两组静电防护模块之间，另一组静电防护模块的电阻接在与其相邻的静电吸收模块的电阻与电容之间。4.如权利要求1或2所述的静电防护结构，其特征在于：还包括多通道尖端放电模块，所述多通道尖端放电模块包括导线、放电尖端、接地圆环或接地圆柱；所述放电尖端与导线连接，所述导线从接地圆环的圆心或接地圆柱的轴心穿过；所述放电尖端位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：蒋伯军，陶长青，卢孟，
申请(专利权)人：江苏邦融微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32
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