【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】有机电致发光元件和电子设备
本专利技术涉及有机电致发光元件和电子设备。
技术介绍
作为改善有机电致发光元件(有机EL元件)的性能的方法之一，正在研究开发电子传输层材料。另外，作为改善有机EL元件的性能的另一方法，已知使电子传输层为2层、并使发光层侧的电子传输层具有空穴阻挡能力、三重态阻挡能力等功能。然而，使电子传输层为2层的有机EL元件的性能并不充分，正在寻求进一步提高性能。特别地，发光效率的提高是与实用化了的产品的消耗功率相联系的重要课题，正在寻求与现有有机EL元件相比更能提高发光效率的有机EL元件。专利文献1中记载了一种有机EL元件，其从阳极起沿朝向阴极的方向依次包含发光层、势垒层和电子注入层。记载了包含具有氰基和双咔唑结构的化合物的势垒层、与包含具有苯并咪唑结构的化合物的电子注入层的组合。专利文献2公开了将具有氰基和稠合芳香族烃环的化合物作为电子传输层材料使用。专利文献3公开了将具有氰基和吲哚并咔唑结构的化合物作为发光层的共主体使用，但并没有记载在电子传输层中使用。专利文献4记载了一种有机EL元件，其从阳极起沿朝向阴极的方向依次包含发光层、势垒层和电子注入层...
【技术保护点】
1.一种有机电致发光元件，其具有阴极、阳极和处于该阴极与该阳极之间的有机层，该有机层从阳极起沿朝向阴极的方向包含发光层、第一电子传输层和第二电子传输层，该第一电子传输层包含下述式(1)所示的化合物，该第二电子传输层包含下述式(2)所示的化合物，
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.30 JP 2017-0146261.一种有机电致发光元件，其具有阴极、阳极和处于该阴极与该阳极之间的有机层，该有机层从阳极起沿朝向阴极的方向包含发光层、第一电子传输层和第二电子传输层，该第一电子传输层包含下述式(1)所示的化合物，该第二电子传输层包含下述式(2)所示的化合物，式中，A表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合芳基、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基，L表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合亚芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合亚芳基、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合亚杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合亚杂芳基，n表示0～2的整数，n为0时，L表示单键，n为2时，2个L相同或不同，Ar表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合亚芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合亚芳基、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合亚杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合亚杂芳基，其中，A和Ar中的至少一方为具有稠环的基团，式中，X1表示氮原子或CR1，X2表示氮原子或CR2，X3表示氮原子或CR3，X4表示氮原子或CR4，X5表示氮原子或CR5，X6表示氮原子或CR6，X1～X6的至少1个表示氮原子，R1～R6中的1～5个各自独立地表示下述式(3)～(6)中的任一个所示的基团，其余R1～R6各自独立地表示氢原子或取代基，选自R1～R6中的相邻的2个基团任选地键合而与它们所键合的2个成环碳原子一起形成取代或未取代的成环碳数10～30的稠合芳香族烃环、取代或未取代的非稠合芳香族烃环、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合芳香族杂环、或者取代或未取代的成环原子数5或6的非稠合芳香族杂环，-L1(3)-L2-L3(4)-L4-L5-L6(5)式中，L1、L3、L6、L8和L9各自独立地表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合芳基、取代或未取代的成环原子数9～32的稠合杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基，L2、L4和L5各自独立地表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合亚芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合亚芳基、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合亚杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合亚杂芳基，L7表示成环碳数10～30的稠合芳香族烃环、非稠合芳香族烃环、成环原子数9～30的稠合芳香族杂环、或者成环原子数5或6的非稠合芳香族杂环的三价残基，该三价残基不具有取代基或者具有取代基。2.根据权利要求1所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环碳数10～30的稠合芳基中，该稠合芳基为选自萘、苊烯、蒽、苯并蒽、醋蒽烯、菲、苯并菲、非那烯、并五苯、苉、五亚苯、芘、苯并对称引达省、不对称引达省、荧蒽、苯并荧蒽、苝和三亚苯中的稠合芳香族烃环的一价残基；A所表示的取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合芳基中，该非稠合芳基为苯、联苯、三联苯或四联苯的一价残基，其中，三联苯包括异构体，四联苯包括异构体；A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基中，该稠合杂芳基是通过除去选自吲哚、异吲哚、苯并呋喃、异苯并呋喃、苯并噻吩、吲嗪、喹嗪、喹啉、异喹啉、噌啉、酞嗪、喹唑啉、喹喔啉、苯并咪唑、苯并噁唑、苯并噻唑、吲唑、苯并异噁唑、苯并异噻唑、苯并呋喃、二苯并呋喃、萘并苯并呋喃、苯并噻吩、二苯并噻吩、萘并苯并噻吩、咔唑、苯并咔唑、菲啶、吖啶、菲咯啉、吩嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、呫吨、二(苯并咪唑并)苯并[1，3，5]三氮杂环庚三烯、(苯并咪唑并)苯并咪唑、(苯并咪唑并)菲啶和(苯并吲哚并)苯并氮杂环庚三烯中的稠合杂环的成环碳原子或成环氮原子上的1个氢原子而得到的一价残基；A所表示的取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基中，该非稠合杂芳基是通过除去选自吡咯、咪唑、吡唑、三唑、呋喃、噻吩、噻唑、异噻唑、噁唑、噁唑啉、异噁唑、噁二唑、噻二唑、吡啶、吡嗪、哒嗪、嘧啶、三嗪、联吡咯、三联吡咯、联噻吩、三联噻吩、联吡啶和三联吡啶中的单环或集合环的碳原子和/或氮原子上的2个氢原子而得到的一价残基。3.根据权利要求1或2所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基、和A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基的成环杂原子选自氮原子、氧原子和硫原子。4.根据权利要求1～3中任一项所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基、和A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基的成环杂原子为氮原子。5.根据权利要求1～4中任一项所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基包含吲哚结构、苯并咪唑结构、咔唑结构、(苯并咪唑并)苯并咪唑结构或二(苯并咪唑并)苯并[1，3，5]三氮杂环庚三烯结构。6.根据权利要求1～5中任一项所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基包含吲哚结构或咔唑结构。7.根据权利要求1～6中任一项所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基所包含的咔唑结构为双咔唑结构或稠合咔唑结构。8.根据权利要求1～7中任一项所述的有机电致发光元件，其中，A所表示的取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基所包含的咔唑结构为双咔唑结构。9.根据权利要求7或8所述的有机电致发光元件，其中，所述双咔唑结构由下述式(7)表示，式中，＊a与式(1)的L键合，选自R7和R11～R14中的1个表示与＊b键合的单键，选自R11～R18中的1个表示与＊c键合的单键，并非与＊b键合的单键的R7表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合芳基、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基，并非与＊b键合的单键且并非与＊c键合的单键的R11～R14、和并非与＊c键合的单键的R15～R18各自独立地表示氢原子或取代基，选自R8和R19～R26中的1个表示与＊d键合的单键，并非与＊d键合的单键的R8表示取代或未取代的成环碳数10～30的稠合芳基、取代或未取代的成环碳数6～30的非稠合芳基、取代或未取代的成环原子数9～30的稠合杂芳基、或者取代或未取代的成环原子数5～30的非稠合杂芳基，并非与＊d键合的单键的R19～R22各自独立地表示氢原子或取代基，其中，在R16与＊c键合并且R21与＊d键合的情况下，R15与R22任选成为一体而表示将2个咔唑结构桥接的氧原子或硫原子。10.根据权利要求7所述的有机电致发光元件，其中，所述稠合咔唑结构由下述式(8)表示，在式(8)中，选自R39、R31～R38和R44～R47中的1个表示与式(1)的L键合的单键，在选自R31和R32、R32和R33、R33和R34、R35和R36、R36和R37以及R37和R38中的至少1对中，一方表示与＊e键合的单键，另一方表示与＊f键合的单键，不表示与式(1)的L键合的单键的R39表示取代基，不表示与式(1)的L、＊e或＊f键合的单键的R31～R38表示氢原子或取代基，X表示氧原子、硫原子、NR41或CR42R43，R41表示取代基，R42和R43各自独立地表示氢原子或取代基，不表示与式(1)的L键合的单键的R44～R47各自独立地表示氢原子或取代基；或者在式(8)中，选自R31和R32、R32和R33、R33和R34、R35和R36、R36和R37以及R37和R38中的至少1对与它们所键合的2个成环碳原子一起形成取代或未取代的成环碳数6～30的稠合或非稠合芳香族...
【专利技术属性】
技术研发人员：增田哲也，盐见拓史，三矢将之，
申请(专利权)人：出光兴产株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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