半导体结构制造技术

本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些例子中的湿式工艺形成单层于金属层(如阻障层或功函数调整层)上，以作为图案化金属层所用的硬遮罩。

Semiconductor structure

【技术实现步骤摘要】
半导体结构
本专利技术实施例关于半导体装置，更特别关于形成半导体装置中的置换栅极结构。
技术介绍
半导体产业已演进至纳米技术的工艺节点，以求更高的装置密度、更高效能、与更低成本，而工艺与设计面临的挑战导致三维设计如鳍状场效晶体管的发展。一般的鳍状场效晶体管具有自基板延伸的结构，其形成方法可为蚀刻基板的硅。鳍状场效晶体管的通道形成于垂直鳍状物中。栅极结构可位于鳍状结构上，以包覆鳍状结构。栅极结构位于通道上有利于对通道的栅极控制。鳍状场效晶体管装置提供多种优点，比如减少短通道效应与增加电流。随着装置尺寸持续缩小，可采用金属栅极而非一般的多晶硅栅极以改善鳍状场效晶体管装置的效能。形成金属栅极堆叠的工艺之一为置换栅极工艺(又称作栅极后制工艺)，其于最后才形成最终的栅极堆叠。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供的半导体结构，包括：鳍状物，位于基板上；栅极结构，位于鳍状物上并沿着鳍状物的侧壁，其中栅极结构包括：栅极介电层，位于鳍状物上并沿着鳍状物的侧壁；盖层，位于栅极介电层上：以及栅极金属充填层，位于盖层上；栅极间隔物，位于鳍状物上并沿着栅极结构的侧壁；以及第一自组装单层，位于鳍状物与该栅极间隔物本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：一鳍状物，位于一基板上；一栅极结构，位于该鳍状物上并沿着该鳍状物的侧壁，其中该栅极结构包括：一栅极介电层，位于该鳍状物上并沿着该鳍状物的侧壁；一盖层，位于该栅极介电层上：以及一栅极金属充填层，位于该盖层上；一栅极间隔物，位于该鳍状物上并沿着该栅极结构的侧壁；以及一第一自组装单层，位于该鳍状物与该栅极间隔物之间，且该第一自组装单层含硼。

【技术特征摘要】
2018.03.01 US 15/909,8471.一种半导体结构，包括：一鳍状物，位于一基板上；一栅极结构，位于该鳍状物上并沿着该鳍状物的侧壁，其中该栅极结构包括：一栅极介电层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄如立，黄铭淇，庄英良，叶明熙，江欣哲，梁春昇，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71