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本公开实施例提供的湿式工艺辅助方法与其形成的结构，可实施于置换栅极工艺。一般而言，一些例子中用于移除盖层的湿蚀刻工艺可形成第一单层于下方层上以作为粘着层，并形成第二单层于栅极间隔物与鳍状物之间的界面介电层上以作为蚀刻保护机制。一般而言，一些...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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