一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构制造技术

本发明专利技术公开了一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构，包括：铁电单晶薄膜层作为上层，键合到大尺寸集成电路晶圆金属互连层最上面一层的层间介质层作为下层的顶面上；克服目前大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成过程中由于大尺寸集成电路晶圆扭曲、薄膜应力、晶圆表面平整度等因素导致键合时铁电单晶薄膜破碎问题。通过尽可能不改变集成电路晶圆流片生产工艺流程的情况下，通过特殊工艺结构，实现铁电单晶薄膜集成、结构简单，方便实用，可广泛应用于新型半导体电子器件开发。

An Integrated Structure of Large Size Integrated Circuit Wafer and Ferroelectric Single Crystal Film

【技术实现步骤摘要】
一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构
本专利技术涉及微电子
，尤其涉及一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构。
技术介绍
经过几十年的发展，微电子技术的核心应用集成电路特征尺寸随摩尔定律微缩已逼近物理极限，半导体制造正变得越来越困难。如何保持微电子技术快速发展成为行业各方努力解决的问题。当前，以新工艺、新材料、新结构为特征的微纳电子器件正成为超越摩尔定律的微电子技术新发展方向。特别是三维集成技术的出现，把集成电路晶圆经过键合工艺成为键合晶圆，通过穿透晶圆的三维结构的多层间金属互连实现电信号连接。铁电单晶材料由于具有铁电、压电、光电等特性，已广泛应用于声表面波器件、薄膜体声波谐振器、光电传感器等各种核心电子元器件。但是在器件集成化、微型化的趋势下，高品质的铁电单晶薄膜且与硅基集成电路结合日益成为产业发展的迫切需要。但是如何实现大尺寸集成电子晶圆与铁电单晶薄膜集成结构以作为进一步新型半导体器件制备是本领域技术人员亟需解决的技术难题。
技术实现思路
鉴于目前存在的上述不足，本专利技术提供一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构，该集成结构可作为进一步新型半导体器件制备加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构，其特征在于，所述集成结构包括：铁电单晶薄膜层作为上层，键合到大尺寸集成电路晶圆金属互连层最上面一层的层间介质层作为下层的顶面上。

【技术特征摘要】
1.一种大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构，其特征在于，所述集成结构包括：铁电单晶薄膜层作为上层，键合到大尺寸集成电路晶圆金属互连层最上面一层的层间介质层作为下层的顶面上。2.根据权利要求1所述的大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构，其特征在于，所述大尺寸集成电路晶圆的尺寸为6英寸及以上尺寸。3.根据权利要求1所述的大尺寸集成电路晶圆与铁电单晶薄膜集成结构，其特征在于，所述层间介...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈志辉，江钧，杨建国，魏骏，
申请(专利权)人：上海浦睿信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31