磁环境中的物理设计制造技术

一种用于形成包括电感器的集成电路的技术，该技术减小了电感器和周围的元件之间的磁耦合。该技术包括将电路元件(例如，端子、销、路由迹线)相对于与电感器相关的磁矢量电势、并且相对于与电感器相关的磁通量密度场而特意放置在集成电路上的位置中，以减小或者消除使得系统性能降级的感应信号。

【技术实现步骤摘要】
磁环境中的物理设计
本专利技术涉及一种集成电路，并且具体地涉及一种包括电感器结构的集成电路。
技术介绍
通常，电子振荡器电路用于为各种集成电路应用(例如，用于射频混频器的局部振荡器信号，用于产生用于射频信号传输的载波的发射器等)产生重复的振荡电子信号。参考图1，时钟发生器电路可以使用常规的储能电路100，储能电路100是包括耦合到电容器102的电感器104的调谐电路。电荷从电容器102的板来回流动通过电感器，使得调谐电路可以存储以其共振频率振荡的电能。放大器电路108补偿常规储能电路100中的小损耗以维持振荡。通过提供与电池损耗相等且相反的跨导，放大器电路108可以在常规储能电路100的谐振频率下和在由放大器电路108确定的幅度下无限期地持续振荡。当被周期性地驱动时，电感器104产生延伸超出导电环的范围的随时间变化的磁矢量电势和磁通量密度场(即，磁场)。该磁能可能耦合到相邻的电路中。一些应用程序利用电路中的这种行为，例如变压器。然而，在其它应用中(例如振荡器应用)，这种耦合是不希望的，因为它可能在相邻电路内引起不想要的电压和/或电流。由相邻电路引起的磁场可以耦合到包括电感器104的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：电感器，具有通过所述电感器的中心的第一轴和通过所述电感器的中心的第二轴，所述第一轴为第一节点轴，所述第一轴包括第一磁节点的第一位置，所述第一磁节点具有在距离所述电感器的中心一定距离的第一可忽略的感应电压幅度；以及所述第二轴为第一反节点轴，所述第二轴包括第一可忽略的磁通量密度场的第二位置，和在距离所述电感器的中心一定距离的第一感应电压幅度，所述第一感应电压幅度大于所述第一可忽略的感应电压幅度；以及围绕所述第一轴聚集并且远离所述第二轴的第一簇集成电路端子。

【技术特征摘要】
2017.01.04 US 15/398,2411.一种集成电路，包括：电感器，具有通过所述电感器的中心的第一轴和通过所述电感器的中心的第二轴，所述第一轴为第一节点轴，所述第一轴包括第一磁节点的第一位置，所述第一磁节点具有在距离所述电感器的中心一定距离的第一可忽略的感应电压幅度；以及所述第二轴为第一反节点轴，所述第二轴包括第一可忽略的磁通量密度场的第二位置，和在距离所述电感器的中心一定距离的第一感应电压幅度，所述第一感应电压幅度大于所述第一可忽略的感应电压幅度；以及围绕所述第一轴聚集并且远离所述第二轴的第一簇集成电路端子。2.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一可忽略的感应电压幅度为距离所述电感器的中心的一定距离的最小感应电压幅度，而所述第一感应电压幅度为距离所述电感器的中心的一定距离的最大感应电压幅度。3.如权利要求1所述的集成电路，还包括：导电结构，其具有孔，所述孔至少与所述电感器一样大，所述孔位于所述电感器的突起表面的中心，所述导电结构配置成AC接地平面。4.如权利要求1所述的集成电路，还包括：围绕所述第一轴聚集并且远离所述第二轴的第二簇集成电路端子，所述第一和第二多个集成电路端子设置在所述电感器的相对端部并且与所述第二轴等距。5.如权利要求1、2、3或4所述的集成电路，其中，所述孔基本上平行于所述电感器中的电流平面。6.如权利要求1、2、3或4所述的集成电路，其中，所述导电结构包括：耦合到不同电压电势的交替的导线，所述交替的导线形成电磁屏蔽结构。7.如权利要求1所述的集成电路，其中，所述电感器包括至少四个导电环，以及所述电感器具有通过所述电感器的中心的第三轴，和通过所述电感器的中心的第四轴，所述第三轴为第二节点轴，所述第三轴包括第二磁节点的第三位置，所述第二磁节点具有在距离所述电感器的中心一定距离的第二可忽略的感应电压幅度，以及所述第四轴为第二反节点轴，所述第四轴包括第二可忽略的磁通量密度场的第四位置，和在距离所述电感器的中心一定距离的第二感应电压幅度，所述第二感应电压幅度大于所述第二可忽略的感应电压幅度，以及所述集成电路还包括围绕所述第三轴聚集并且远离所述第二轴和所述第四轴的第二簇集成电路端子。8.如权利要求7所述的集成电路，其中，所述第一簇的端子设置在集成电路部分的第一拐角，而所述第二簇的端子设置在所述集成电路部分的第二拐角处，所述第一拐角与所述第一簇的端子的对面包括一个或多个被配置成容纳高电压水平的电源端子，而所述第二簇的端子包括一个或多个被配置成容纳低电压水平的电源端子。9.如权利要求1、2、3、4、7或8所述的集成电路，其中，所述端子为集成电路接合垫并且所述电感器位于集成电路模具上的中央位置。10.如权利要求1、2、3、4、7或8所述的集成电路，还包括：平行于所述第一轴路由的导电迹线。11.如权利要求1、2、3、4、7或8所述的集成电路，其中，所述第一簇集成电路端子包括至少一个与射频信号相关的端子。12.一种制造集成电路的方法，包括：形成电感器，其具有通过所述电感器的中心的第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿龙·J·卡菲，布里安·G·德罗斯特，
申请(专利权)人：硅谷实验室公司，
类型：发明
国别省市：美国,US