高度隔离的集成电感器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种电感器，其一实施例包含：一第一金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于一第一金属层；一第二金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于该第一金属层；以及一第三金属走线线圈，其为一闭回路形态，且置于一第二金属层。于上述实施例中，该第一金属走线线圈被适当地布局，以在一第一轴线方面是实质地对称；该第二金属走线线圈被适当地布局，以在一第二轴线方面是该第一金属走线线圈的一近似镜像；以及从一顶视观点而言，该第三金属走线线圈被适当地布局，以大略地围绕该第一金属走线线圈与该第二金属走线线圈二者的大部分。

【技术实现步骤摘要】
高度隔离的集成电感器及其制作方法
本专利技术大体而言涉及电感器。
技术介绍
电感器广泛地使用于各种应用中。近来的趋势之一是于一集成电路单芯片上包含多个电感器。在一集成电路单芯片上，多个电感器共存(co-existenceofmultipleinductors)所导致的一重大问题是：于所述多个电感器之间可能存在不需要的电磁耦合(undesiredmagneticcoupling)，其对于该集成电路的功能而言是有害的。为减轻所述多个电感器之间不需要的电磁耦合，所述多个电感器中任意二个电感器之间的物理分隔通常要够大，上述做法导致一总体电路面积的增加，进而导致该集成电路的成本上升。鉴于上述，本公开包含一种方法，该方法用来制作一电感器，该电感器本质上较不会遭受集成电路的同一芯片上的其它电感器的电磁耦合的影响。
技术实现思路
本专利技术公开了一种电感器，其一实施例包含：一第一金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于一第一金属层；一第二金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于该第一金属层；以及一第三金属走线线圈，其为一闭回路形态，且置于一第二金属层。于上述实施例中，该第一金属走线线圈被适当地布局，以在一第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电感器，包含：一第一金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于一第一金属层；一第二金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于该第一金属层；以及一第三金属走线线圈，其为一闭回路形态，且置于一第二金属层，其中，该第一金属走线线圈被适当地布局，以在一第一轴线方面是实质地对称；该第二金属走线线圈被适当地布局，以在一第二轴线方面是该第一金属走线线圈的一近似镜像；以及从一顶视观点而言，该第三金属走线线圈被适当地布局，以大略地围绕该第一金属走线线圈与该第二金属走线线圈二者的大部分。

【技术特征摘要】
2017.04.07 US 15/481,6911.一种电感器，包含：一第一金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于一第一金属层；一第二金属走线线圈，其为一开回路形态，且置于该第一金属层；以及一第三金属走线线圈，其为一闭回路形态，且置于一第二金属层，其中，该第一金属走线线圈被适当地布局，以在一第一轴线方面是实质地对称；该第二金属走线线圈被适当地布局，以在一第二轴线方面是该第一金属走线线圈的一近似镜像；以及从一顶视观点而言，该第三金属走线线圈被适当地布局，以大略地围绕该第一金属走线线圈与该第二金属走线线圈二者的大部分。2.如权利要求1所述的电感器，其中该第一金属走线线圈包含一开口，该开口位于离该第二轴线最远的一边上。3.如权利要求1所述的电感器，其中该电感器是由一介电板所罩覆。4.如权利要求3所述的电感器，其中该介电板是置于一硅基板上。5.如权利要求4所述的电感器，其中有另一电感器形成于该硅基板上。6...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁宝文，林嘉亮，
申请(专利权)人：瑞昱半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71