【技术实现步骤摘要】
一种二硒化锡薄膜的制备方法
本专利技术涉及二硒化锡材料，尤其涉及是一种二硒化锡薄膜的制备方法。
技术介绍
二硒化锡是一种重要的Ⅳ-Ⅵ族材料，它的光学性能和电学性能良好，其带隙为1.0eV，硒和锡在地球中的储量较为丰富，对于环境的危害也较小，因此二硒化锡常作为新型的太阳能电池和光伏组件的备选材料之一。研究发现，二硒化锡具有良好的吸光性能和吸热性能，故其可应用于光电领域以及热电领域，而且，二硒化锡还能与其他相应的器件相结合形成异质結从而获得更优异的性能。二硒化锡越来越受到人们的关注。其中，不同形貌结构的二硒化锡有着不同的特性，为了研究或利用二硒化锡的特性，需要制作如片状结构等特殊形状的二硒化锡，目前常用化学气相沉积法进行二硒化锡的制备，主要通过在中高温的条件下，利用初始的化合物的气态反应在基片的表面形成二硒化锡。但是，化学气相沉积法存在着反应时间长、制备工序复杂和投入物料比例难以控制等缺点。因此，有必要提供一种耗时短、操作简单且产物形貌结构可控的二硒化锡的制备方案。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种二硒化锡薄膜的制备方法，来解决上述问题。为了实现上述的...
【技术保护点】
1.一种二硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种二硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。2.根据权利要求1所述的二硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，先将硒源加热至290℃～310℃，将锡源加热至1050℃～1150℃，并将所述基片加热至240℃～260℃，再分别将硒源和锡源以分子束或原子束喷射至所述基片上，形成二硒化锡薄膜。3.根据权利要求1所述的二硒化锡薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，先将硒源加热至265℃～280℃，将锡源加热至1050℃～1150℃，并将所述基片...
【专利技术属性】
技术研发人员：王巍，杨春雷，李伟民，钟国华，李文杰，冯叶，童君，隋帆，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44
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