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本发明公开了一种二硒化锡薄膜的制备方法，包括步骤：S1、提供一个基片，将所述基片置入分子束外延设备中；S2、向所述分子束外延设备中分别加入硒源和锡源，通过所述分子束外延设备分别加热所述硒源和锡源，并将所述硒源和锡源分别以分子束或原子束的形式...
该专利属于深圳先进技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过深圳先进技术研究院授权不得商用。

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