阻气性膜制造技术

本发明专利技术提供一种阻气性膜，其中，阻气层的碳分布曲线具有4个以上的极大值，[膜厚/极大值数]为25nm以下，用SiOxCy表示阻气层的组成时，具有y＜0.20的组成的区域与具有y＞1.40的组成的区域的合计在厚度方向小于20nm，未实施拉伸处理的所述阻气性膜[A]和实施了2％的拉伸处理的所述阻气性膜[B]的标准偏差(σ)均满足[σ＜0.30]。

Gas-blocking membrane

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】阻气性膜
本专利技术涉及一种具备阻气层的阻气性膜。
技术介绍
已知有使用辊对辊方式在长条状树脂基材上以无机材料层形成了阻气层的阻气性膜以及将该阻气性膜卷绕而得的阻隔膜卷。在进行电子器件的密封等加工时，有时以施加有张力和热的状态输送阻隔膜卷和阻气性膜。但是，阻气性膜中使用的树脂基材因加热而弹性模量降低，因此，在施加有张力和热的工序中，阻气性膜被拉伸1～2％。一般而言，在阻气性膜被拉伸的状态下，构成阻气层的无机材料层的断裂伸长率变低，因此，容易因上述1～2％的伸长率而在阻气层产生裂纹。裂纹即使在光学显微镜观察时检测不出的情况下也在极微细的区域内产生而对阻气性造成影响。因此，在后述的用于评价Ca腐蚀的阻隔性评价中，水蒸气透过度(WaterVaporTransmissionRate；WVTR)的膜面整体的劣化的平均值与由微细的裂纹引起的局部的VWTR的急剧劣化的差变大。即，阻气层中的微细的裂纹的产生呈现为WVTR的面内分布的标准偏差(σ)的增大。特别是对于器件密封中使用的阻气性膜，因微细的裂纹所致的局部的VWTR的急剧劣化将成为电子器件的产生暗点的原因。为了抑制上述的因阻气性膜的拉伸所致的阻气层中的裂纹的产生，提出有形成等离子体蒸镀非晶质玻璃层作为阻气层的方法(参照专利文献1)以及形成具有特定的内部应力的有机材料层作为无机材料层的基底层的阻气层的构成(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特表2013－512257号公报专利文献2：日本特开2016－68267号公报
技术实现思路
然而，在形成等离子体蒸镀非晶质玻璃层作为阻气层的方法中，由于在阻气层中含有大量有机成分，因此，WVTR为几克左右，非常大，对在电子器件的密封中的应用而言，阻隔性不充分。另外，在形成具有特定的内部应力的有机材料层而作为基底层的构成中，虽然能够抑制产生可通过光学显微镜观察而检测出的程度的裂纹，但无法抑制产生通过光学显微镜观察检测不出的微细的裂纹。因此，要求被拉伸的情况下也能够抑制阻气性降低的阻气性膜。为了解决上述的问题，在本专利技术中，提供一种能够抑制阻气性降低的阻气性膜。本专利技术的阻气性膜具备基材和形成在基材上的阻气层。而且，阻气层含有硅、氧以及碳，表示阻气层的厚度方向的碳的含量的曲线具有4个以上的极大值(要件(1))，表示阻气层的厚度方向的碳的含量的曲线的[膜厚/极大值数]为25nm以下(要件(2))，并且用SiOxCy表示阻气层的组成时，具有y＜0.20的组成的区域与具有y＞1.40的组成的区域的合计在厚度方向小于20nm。而且，未实施拉伸处理的阻气性膜[A]和实施了2％的拉伸处理的阻气性膜[B]同时满足下述(1)～(3)的规定：(1)[A]的水蒸气透过度(WVTR)的平均值和[B]的水蒸气透过度(WVTR)的平均值为0.2(g/m2/天)以下；(2)满足([B]的水蒸气透过度(WVTR)的平均值/[A]的水蒸气透过度(WVTR)的平均值)≤2；(3)[A]的水蒸气透过度(WVTR)的标准偏差(σ)和[B]的水蒸气透过度(WVTR)的标准偏差(σ)满足[σ＜0.30]。根据本专利技术，能够提供能够抑制阻气性降低的阻气性膜。附图说明图1是表示阻气性膜层叠体的构成的图。图2是表示阻气层的硅、碳、氧的分布曲线的坐标图。图3是表示阻气层的C/Si比、O/Si比的分布曲线的坐标图。图4是表示阻气层的硅、碳、氧的分布曲线的坐标图。图5是表示阻气层的C/Si比、O/Si比的分布曲线的坐标图。图6是表示构成阻气层的SiOxCy的组成的直角坐标。图7是表示构成阻气层的SiOxCy的组成的直角坐标。图8是表示构成阻气层的SiOxCy的组成的直角坐标。图9是表示构成阻气层的SiOxCy的组成的直角坐标。图10是表示阻气层的三维表面粗糙度转换数据的高度的图像。图11是表示阻气层的三维表面粗糙度转换数据的高度的图像。图12是表示阻气层的三维表面粗糙度转换数据的高度的图像。图13是表示辊间放电等离子体CVD装置的一个例子的示意图。具体实施方式以下，对用于实施本专利技术的方式的例子进行说明，但本专利技术并不限定于以下的例子。此外，用以下的顺序进行说明。1.阻气性膜的实施方式2.阻气性膜层叠体的构成要素3.阻气性膜层叠体的制造方法〈1.阻气性膜的实施方式〉以下，对阻气性膜的具体的实施方式进行说明。[阻气性膜的构成]图1示出阻气性膜以及在阻气性膜的两主面贴合有保护膜的阻气性膜层叠体的构成。在图1所示的阻气性膜层叠体中，阻气性膜10具备基材11和形成于基材11的一面的阻气层12。应予说明，阻气性膜层叠体只要具有满足后述的各构成和条件的阻气性膜10，则对其它构成没有特别限定。在图1所示的阻气性膜层叠体中，基材11具备支撑体13和设置于支撑体13的两面的硬涂层14、15。在支撑体13的两面设置有硬涂层14、15。在图1所示的阻气性膜10中，在形成有阻气层12的面设置有硬涂层14，在与形成有阻气层12的面相反侧的面设置有硬涂层15。在阻气性膜层叠体中，在阻气性膜10的两主面设置有第1保护膜20和第2保护膜25。在阻气性膜10的制造工序中或应用阻气性膜10的电子器件的制造工序中，如果在基材11、阻气层12等上产生伤痕等损伤，则产生阻气性的降低或电子器件等的外观上的不良。因此，在上述各制造工序中，为了防止基材11、阻气层12等的损伤，优选在阻气性膜10的两主面设置可剥离的第1保护膜20和第2保护膜25。第1保护膜20由第1保护基材21和第1粘合剂层22构成。而且，以在阻气层12上覆盖第1粘合剂层22的方式设置，介由该第1粘合剂层22将第1保护基材21贴合于阻气性膜10。另外，以第1保护膜20能够从阻气性膜10剥离的方式或者第1保护基材21能够从第1粘合剂层22剥离的方式贴合第1保护膜20。第2保护膜25由第2保护基材26和第2粘合剂层27构成。而且，以覆盖在基材11的背面侧(硬涂层14侧)的方式设置第2粘合剂层27，介由该第2粘合剂层27将第2保护基材26贴合于阻气性膜10。另外，以第2保护膜25能够从阻气性膜10剥离的方式贴合第2保护膜25。因此，对于图1所示的构成的阻气性膜层叠体，在阻气性膜10的阻气层12与第1保护膜20的第1粘合剂层22之间，第1保护膜20与阻气性膜10能够剥离。或者，在第1保护膜20的第1保护基材21与第1保护膜20的第1粘合剂层22之间，第1保护基材21与阻气性膜10能够剥离。而且，在基材11与第2保护膜25的第2粘合剂层27之间，第2保护膜25与阻气性膜10能够剥离。[阻气层的组成和碳分布曲线]在上述的阻气性膜10中，阻气层12含有硅、氧以及碳。即，阻气层12用SiOxCy的组成表示。而且，SiOxCy中的x的值以氧相对于硅的含量(O/Si)表示，y的值以碳相对于硅的含量(C/Si)表示。图2示出表示阻气层12的厚度方向的硅原子的含量的曲线(以下称为硅分布曲线)、表示阻气层12的厚度方向的碳原子的含量的曲线(以下称为碳分布曲线)与表示阻气层12的厚度方向的氧原子的含量的曲线(以下称为氧分布曲线)的坐标图。另外，图3示出表示阻气层12的厚度方向的碳相对于硅的组成比(C/Si)的曲线(以下称为C/Si比分布曲线)与阻气层12的厚度方向的氧相对于的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阻气性膜，具备基材和形成在所述基材上的阻气层，其中，所述阻气层含有硅、氧以及碳，表示所述阻气层的厚度方向的碳的含量的曲线具有4个以上的极大值，表示所述阻气层的厚度方向的碳的含量的曲线的膜厚/极大值数为25nm以下，用SiOxCy表示所述阻气层的组成时，具有y＜0.20的组成的区域与具有y＞1.40的组成的区域的合计在厚度方向小于20nm，未实施拉伸处理的所述阻气性膜A和实施了2％的拉伸处理的所述阻气性膜B同时满足下述(1)～(3)的规定：(1)A的水蒸气透过度WVTR的平均值和B的水蒸气透过度WVTR的平均值为0.2g/m

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.11.30 JP 2016-2326441.一种阻气性膜，具备基材和形成在所述基材上的阻气层，其中，所述阻气层含有硅、氧以及碳，表示所述阻气层的厚度方向的碳的含量的曲线具有4个以上的极大值，表示所述阻气层的厚度方向的碳的含量的曲线的膜厚/极大值数为25nm以下，用SiOxCy表示所述阻气层的组成时，具有y＜0.20的组成的区域与具有y＞1.40的组成的区域的合计在厚度方向小于20nm，未实施拉伸处理的所述阻气性膜A和实施了2％的拉伸处理的所述阻气性膜B同时满足下述(1)～(3)的规定：(1)A的水蒸气透过度WVTR的平均值和B的水蒸气透过度WVTR的平均值为0.2g/m2/天以下，(2)满足B的水蒸气透过度WVTR的平均值/A的水蒸气透过度WVTR的平均值≤2，(3)A的水蒸气透过度WVTR的标准偏差σ和B的水蒸气透过度WVTR的标准偏差σ满足σ＜0.30。2.根据权利要求1所述的阻气性膜，其中，所述阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫崎美帆，
申请(专利权)人：柯尼卡美能达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP