一种简易直流防过电压电路制造技术

一种简易直流防过电压电路，涉及控制电路领域。包括输入电源Vin、电阻R1、电阻R3、电容C2、稳压二极管D1、三极管Q2、PMOS管Q1，PMOS管Q1对应连接有开关信号控制电路；电阻R1的一端连接输入电源Vin、另一端连接稳压二极管D1的负极端，稳压二极管D1的正极端接地，三极管Q2的b极通过电阻R3连接稳压二极管D1的负极端，三极管Q2的e极连接PMOS管的s极，三极管Q2的c极连接PMOS管的g极，PMOS管Q1的d极为电源输出端Vout，PMOS管Q1的d极连接电容C2并接地。本发明专利技术具有高耐用性的特点，通常不会因过压问题导致防过压电路的永久性损坏且可在一定程度上保护前级电路。

A Simple DC Overvoltage Protection Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种简易直流防过电压电路
本专利技术涉及控制电路领域，具体为一种简易直流防过电压电路。
技术介绍
在工控领域，随着需求的多样化要求，系统规模也越来越大。多个功能单元需要共用一个电源已非常普遍。同一电源在多负载，各个负载又是动态时或电源本身不稳定时，比较容易导致电源输出波动过大，如没有相应的保护措施，很可能导致设备工作异常或损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种简易直流防过电压电路，该电路可以在电源为直流、低电压的情况下避免设备因电源的不稳定，而导致设备工作异常或损坏。实现上述目的的技术方案是：一种简易直流防过压电路，其特征在于：包括输入电源Vin、电阻R1、电阻R3、电容C2、稳压二极管D1、三极管Q2、PMOS管Q1，PMOS管Q1对应连接有开关信号控制电路；所述电阻R1的一端连接输入电源Vin、另一端连接稳压二极管D1的负极端，稳压二极管D1的正极端接地，所述三极管Q2的b极通过电阻R3连接稳压二极管D1的负极端，三极管Q2的e极连接PMOS管的s极，三极管Q2的c极连接PMOS管的g极，PMOS管Q1的d极为电源输出端Vout，PMOS管Q1的d极还连接电容C2并接地。本专利技术的有益效果：本专利技术具有高耐用性的特点，通常不会因过压问题导致防过压电路的永久性损坏且可在一定程度上保护前级电路；而用TVS二极管或稳压管防过压，在输入电源异常过压时间较长时，很容易导致TVS二极管或稳压管烧坏。进一步地，所述防过压电路还包括电容C1，电容C1并联在PMOS管Q1的s极和g极之间。电容C1的主要作用是滤除一些脉宽较小的干扰，放置PMOS管Q1误动作。一般陶瓷叠片电容即可。进一步地，所述开关信号控制电路包括电阻R2、R4、三极管Q3，所述三极管Q3的b极连接电源控制信号源V0、e极接地、c极连接电阻R4的一端，电阻R4的另一端分别连接电阻R2的一端以及PMOS管的g极，电阻R2的另一端连接PMOS管的s极。当电源控制信号源V0输出高电平信号时，三极管Q3导通、并接通电源，当电源控制信号源V0输出低电平信号时，三极管Q3截止、并切断电源。电阻R2、R4的作用是保证PMOS管Q1的g极与s极之间的电压满足PMOS管Q1的参数要求。进一步地，所述开关信号控制电路还包括电阻R5，电阻R5的一端连接三极管Q3的b极、另一端接地，电阻R5的作用是防止三极管Q3误导通，使三极管Q3的b极电平更稳定。附图说明图1为本专利技术的电路原理图。具体实施方式如图1所示，本专利技术包括包括输入电源Vin、电阻R1、电阻R3、电容C1、C2、稳压二极管D1、三极管Q2、PMOS管Q1。电阻R1的一端连接输入电源Vin、另一端连接稳压二极管D1的负极端，稳压二极管D1的正极端接地，三极管Q2的b极通过电阻R3连接稳压二极管D1的负极端，三极管Q2的e极连接PMOS管的s极，三极管Q2的c极连接PMOS管的g极，电容C1并联在PMOS管Q1的s极和g极之间，PMOS管Q1的d极为电源输出端Vout，PMOS管Q1的d极还连接电容C2并接地，电容C2是为了不因过压而短时断电可用备用的稳定电源来替代。PMOS管Q1对应连接有开关信号控制电路，开关信号控制电路包括电阻R2、R4、电阻R5、三极管Q3，所述三极管Q3的b极连接电源控制信号源V0、e极接地、c极连接电阻R4的一端，电阻R5的一端连接三极管Q3的b极、另一端接地，电阻R4的另一端分别连接电阻R2的一端以及PMOS管的g极，电阻R2的另一端连接PMOS管的s极。本专利技术的工作原理：当Vin在正常范围内波动时，三极管Q2处于截止状态，PMOS管Q1的通断由电源控制信号源V0决定。当Vin>Vmax时，稳压二极管D1导通，电阻R1两端有电流产生，使三极管Q2的e极和b极之间产生压差，当Vbe_Q2>Vbe(sat)_Q2时，使Vgs(sat)_Q1接近为0，PMOS管Q1截止，保护后级电路避免了高压的影响。其中，Vin：外部电源输入Vmax：为保证后级电路能够正常工作的最高电压。Vbe(sat)_Q2：三极管Q2的b极和e极之间的饱和电压Vbe_Q2：三极管Q2的b极和E极之间的电压Vgs(sat)_Q1：PMOS管Q1完全导通时，s极和g极之间的电压开关信号控制电路的工作原理：当电源控制信号源V0输出高电平信号时，三极管Q3导通、并接通电源，当电源控制信号源V0输出低电平信号时，三极管Q3截止、并切断电源。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种简易直流防过压电路，其特征在于：包括输入电源Vin、电阻R1、电阻R3、电容C2、稳压二极管D1、三极管Q2、PMOS管 Q1，PMOS管 Q1对应连接有开关信号控制电路；所述电阻R1的一端连接输入电源Vin、另一端连接稳压二极管D1的负极端，稳压二极管D1的正极端接地，所述三极管Q2的b极通过电阻R3连接稳压二极管D1的负极端，三极管Q2的e极连接PMOS管的s极，三极管Q2的c极连接PMOS管的g极，PMOS管Q1的d极为电源输出端Vout，PMOS管Q1的d极还连接电容C2并接地。

【技术特征摘要】
1.一种简易直流防过压电路，其特征在于：包括输入电源Vin、电阻R1、电阻R3、电容C2、稳压二极管D1、三极管Q2、PMOS管Q1，PMOS管Q1对应连接有开关信号控制电路；所述电阻R1的一端连接输入电源Vin、另一端连接稳压二极管D1的负极端，稳压二极管D1的正极端接地，所述三极管Q2的b极通过电阻R3连接稳压二极管D1的负极端，三极管Q2的e极连接PMOS管的s极，三极管Q2的c极连接PMOS管的g极，PMOS管Q1的d极为电源输出端Vout，PMOS管Q1的d极还连接电容C2并接地。2.根据权利要求1所述的一种简易直流...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕柱柱，董冰，罗天平，夏建中，吕鸿，田绍民，田树春，
申请(专利权)人：上海鼎充新能源技术有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31