【技术实现步骤摘要】
一种大功率MOSFET驱动保护电路
本技术涉及保护电路领域，尤其是涉及一种大功率MOSFET驱动保护电路。
技术介绍
对于数千瓦的大功率电源，作为开关变换的MOSFET功率器件，流经的电流很大；使得驱动电流要求高，开通瞬间经常达到数安培的电流。现有的驱动电路一般为图1所示：所述IC芯片通过电阻R1与电阻R2的一端连接，所述电阻R2上还跨接有三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R1连接，三极管Q1的发射极与电阻R2的另一端连接，所述三极管Q1的集电机接地，所述电阻R2还通过电阻R3接地，所述电阻R2还与功率件Q2的栅极连接，所述功率件Q2的源极接地，所述功率件Q2的漏极与VBUS连接。现有驱动方式使用电阻对驱动电流进行限流，PNP三极管在关断时候进行快速放电减少损耗。有如下不足：电阻取值约为1-100Ω，但取值较小不能进行很好的限流，同时EMC效果变差；取值较大会使功率件开通上升时间变长，发热量加大。同时，当开通瞬间电流达到数安排，在电阻上形成很高的电压；而三极管的B,E极电压Vbe约为0.7V，当Vbe超过这个值时就存在三极管击穿的可能，对电路形成很大的破坏风险...
【技术保护点】
1.一种大功率MOSFET驱动保护电路，包括：IC芯片，其特征在于，所述IC芯片通过电阻R1与二极管D1的正极连接，所述二极管D1上还跨接有三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R1连接，三极管Q1的发射极与二极管D1的负极连接，所述三极管Q1的集电极接地，所述二极管D1的负极还通过电阻R2接地，所述二极管D1的负极还与功率件Q2的栅极连接，所述功率件Q2的源极接地，所述功率件Q2的漏极与VBUS连接。
【技术特征摘要】
1.一种大功率MOSFET驱动保护电路，包括：IC芯片，其特征在于，所述IC芯片通过电阻R1与二极管D1的正极连接，所述二极管D1上还跨接有三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R1连接，三极管Q1的发射极与二极管D1的负极连接，所述三极管Q1的集电极接地，所述二极管D1的负极还通过电阻R2接地，所述二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐世强，
申请(专利权)人：珠海灿源电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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