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本实用新型公开了一种大功率MOSFET驱动保护电路，所述IC芯片通过电阻R1与二极管D1的正极连接，所述二极管D1上还跨接有三极管Q1，所述三极管Q1的基极与电阻R1连接，三极管Q1的发射极与二极管D1的负极连接，所述三极管Q1的集电机接地...
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