【技术实现步骤摘要】
SOI器件的kink电流计算方法及装置
本申请涉及半导体器件
，尤其涉及一种SOI器件的kink电流计算方法及装置。
技术介绍
绝缘层上硅(SilicononInsulator，SOI)是指硅晶体管结构做在绝缘体衬底上。SOI器件与MOSFET结构类似，都属于场效应器件，但SOI器件制作于绝缘衬底上而不像MOSFET制作于半导体衬底上。广泛来说，“Silicon”代表SOI器件的沟道层，其不仅仅可以为单晶硅，也可以是非晶硅、多晶硅、氧化物半导体、有机半导体等；“Insulator”代表SOI器件的绝缘层衬底，可以为玻璃、石英或是覆盖薄SiO2层的硅衬底等绝缘材料。当SOI器件漏端偏置在一足够大电压时，其输出曲线会出现电流突增的现象，即kink效应，这部分多出的电流称为kink电流，ΔIkink，如图1所示。一个准确的、基于物理的kink电流解析模型对于电路设计和仿真是非常关键的。现有的SOI器件的kink电流计算方法包括：①基于浮体效应，把背沟道中所有的电流成分都考虑进去，但涉及的模型参数较多，电流形式较复杂，不适合用于电路仿真。②通过计算倍增因子M来建模，...
【技术保护点】
1.一种SOI器件的kink电流计算方法，其特征在于，包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据所述碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算所述SOI器件的kink电流。
【技术特征摘要】
1.一种SOI器件的kink电流计算方法，其特征在于，包括：分别获取SOI器件的碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流；根据所述碰撞离化作用因子、寄生晶体管作用因子、以及漏端饱和电流，计算所述SOI器件的kink电流。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，获取所述SOI器件的寄生晶体管作用因子具体包括：获取所述SOI器件的沟道长度以及体区内载流子扩散长度，并根据所述沟道长度以及体区内载流子扩散长度计算所述SOI器件的寄生晶体管作用因子。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述SOI器件的寄生晶体管作用因子与所述SOI器件的沟道长度以及体区内载流子扩散长度为双曲正割依赖关系；优选地，所述寄生晶体管作用因子为：其中L为SOI器件的沟道长度，Lb为SOI器件体区内载流子扩散长度。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SOI器件的碰撞离化作用因子与所述SOI器件发生碰撞离化的阈值电场FI、耗尽区宽度ld、漏端电压VD以及漏端饱和电压相关的插值函数VDse指数相关；优选地，所述碰撞离化作用因子为：或，所述SOI器件的碰撞离化作用因子与所述SOI器件kink效应相关的电压参数Vk、漏端电压VD以及漏端饱和电压相关的插值函数VDse指数相关；优选地，所述碰撞离化作用因子为：5.如权利要求1至4任一项所述的方法，其特征在于，所述SOI器件的kink电流Ikink计算方法为：其中，C是与SOI器件材料和几何尺寸相关参数，L为SOI器件的沟道长度，VD为SOI器件漏端电压，VDse为漏端饱和电压相关的插值函数，ld为SOI器件耗尽区宽度，FI为SOI器件发生碰撞离化的阈值电场，Lb为SOI器件体区内载流子扩散长度，IDsat为SOI器件漏端饱和电流；或，所述SOI器件的kink电流Ikink计算方法为：其中，Ck是与SOI器件材料和几何尺寸相关参数，L为SOI器件的沟道长度，VD为SOI器件漏端电压，VDse为漏端饱和电压相关的插值函数，Vk为与kink效应相关的电压参数，Lb为SOI器件体区内载流子扩散长度，IDsat为SOI器件漏端饱和电流。6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：阈值电场FI的参数提取：获取多个宽度相同但沟道长度不同的长沟道SOI器件在多个栅压下的漏端电流ID以及漏端饱和电流IDsat；利用式(1)建立长沟道SOI器件中，以阈值电场FI为斜率的函数；根据所述多个长沟道SOI器件在多个栅压下的漏端电流ID和漏端饱和电流IDsat，以及长沟道SOI器件中以阈值电场FI为斜率的函数，计算所述多个长沟道SOI器件在多个栅压下发生碰撞离化的阈值电场；优选地，所述方法还包括步骤：体区内载流子扩散长度Lb的参数提取：利用式(1)建立长沟道SOI器件中以为斜率的函数；计算各长沟道SOI器件在多个栅压下分别发生碰撞离化的阈值电场的均值；根据所述各长沟道SOI器件在多个栅压下分别发生碰撞离化的阈值电场的均值，以及长...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明湘，陈言言，张冬利，王槐生，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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