【技术实现步骤摘要】
电源电压检测电路、半导体装置以及电子设备
本专利技术涉及检测电源电压是高于规定电压、还是低于规定电压的电源电压检测电路。并且,本专利技术涉及内置这样的电源电压检测电路的半导体装置以及使用这样的电源电压检测电路的电子设备等。
技术介绍
例如,在组装到电子设备中以实现特定功能的微控制单元(MCU)中,要求了与电源电压的电平对应地变更动作速度,或者,使周边电路导通/断开。因此,使用了检测电源电压是高于规定电压、还是低于规定电压的电源电压检测电路。并且,近年来,针对电源电压检测电路,削减消耗电流、电路尺寸的要求正在提高。作为相关技术,在专利文献1中公开了无论电源电压如何都能够发挥期望的能力并价廉地制造的半导体集成电路。该半导体集成电路具有驱动定时不同的多个电路,具备:分压电路,其对电源电压进行分压并输出;基准电压产生电路,其输出基准电压;比较电路,其对分压电路的输出电压与基准电压进行比较,输出比较结果作为控制信号;以及定时补偿电路,其由多级延迟电路构成,利用控制信号切换延迟电路的级数,补偿多个电路的驱动定时。专利文献1:日本特开平10-117138号公报(第0005-00 ...
【技术保护点】
1.一种电源电压检测电路,其具有:基准电压生成电路,其生成基准电压;比较电压生成电路,其根据电源电压生成比较电压;以及比较电路,其具有构成差动对并且栅极被施加相同的偏置电压的第1晶体管和第2晶体管,并且包含与所述第1晶体管串联连接并且源极被施加所述基准电压的第3晶体管、以及与所述第2晶体管串联连接并且源极被施加所述比较电压的第4晶体管,该比较电路生成表示所述比较电压与所述基准电压的比较结果的输出信号。
【技术特征摘要】
2018.02.27 JP 2018-0329011.一种电源电压检测电路,其具有:基准电压生成电路,其生成基准电压;比较电压生成电路,其根据电源电压生成比较电压;以及比较电路,其具有构成差动对并且栅极被施加相同的偏置电压的第1晶体管和第2晶体管,并且包含与所述第1晶体管串联连接并且源极被施加所述基准电压的第3晶体管、以及与所述第2晶体管串联连接并且源极被施加所述比较电压的第4晶体管,该比较电路生成表示所述比较电压与所述基准电压的比较结果的输出信号。2.根据权利要求1所述的电源电压检测电路,其中,所述比较电压生成电路包含:第1钳位电路,其连接在被供给所述电源电压的电源节点与所述第4晶体管的源极之间,具有第1钳位电压;以及开关电路和第2钳位电路,它们与所述第1钳位电路并联,并且串联连接在所述电源节点与所述第4晶体管的源极之间,所述第2钳位电路具有与所述第1钳位电压不同的第2钳位电压,利用所述比较电路的所述输出信号或其反相信号控制所述开关电路。3.根据权利要求2所述的电源电压检测电路,其中,所述第1钳位电路中...
【专利技术属性】
技术研发人员:及川延幸,桑野俊一,
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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