一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法技术

一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。这种薄膜具有如下通式：NbMoTaWV

A NbMoTaWV High Entropy Alloy Oxide Film with Variable Bandgap and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜及其制备方法，属半导体材料

技术介绍
高熵合金(High-entropyalloys)简称HEA，是由五种或五种以上等量或近等量金属形成的一种新型合金。其性质由其组成元素共同决定，易形成单一的固溶体相，使得高熵合金表现出优异的性能：高硬度、良好的耐腐蚀性、耐磨性、耐高温性等。研究表明，高熵合金整体氧化并非是生成每种元素的氧化物的集合，而是生成一种多元素高熵合金氧化物。相对于单独元素氧化物，高熵合金氧化物有以下优点：首先，高熵合金氧化物的性能特点是由所有组成元素共同决定的，可以通过改变任一组元的含量来控制其成分及性能。其次，高熵合金氧化物薄膜可以通过射频磁控溅射技术制备，制备简便，成膜均匀致密，更可以轻易改变氧分压来调整薄膜的成分，性能易调节。NbMoTaWV高熵合金的构成组元包括五种元素，单一组元的氧化物多数是半导体，其带隙及性能特点如下：NbO2和VO2带隙宽度分别约为在0.7eV、0.6eV，具有明显的热致相变性能，可用作智能热变窗口材料、超高速电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜，其特征是：高熵合金氧化物薄膜具有如下通式：NbMoTaWV

【技术特征摘要】
1.一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜，其特征是：高熵合金氧化物薄膜具有如下通式：NbMoTaWVxOy，x=0~2，y=0.1～7，呈纳米晶或非晶态，该高熵合金氧化物薄膜的带隙宽度在0.5～2eV区间、硬度在7～17Gpa区间、电阻率在50～1×107区间内可调；高熵合金氧化物薄膜从导体会过渡到半导体。2.根据权利要求1所述的一种可变带隙的NbMoTaWV高熵合金氧化物薄膜的制备方法，其特征是：采用的具体步骤如下：（一）制备合金溅射靶材选用纯度均不低于99.9%的纯金属组元制备高纯度合金靶材，用以下两种方式：一是将NbMoTaWV五种金属组元直接熔炼成合金靶，靶材金属组元的配比可调；二是制备组合靶，先将NbMoTaW四组成元素熔炼成原子百分比为1:1:1:1的合金靶，再将一定数量的V片粘贴在四元合金靶的主溅射区，制备...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓娜，毕林霞，利助民，王清，
申请(专利权)人：大连理工大学，
类型：发明
国别省市：辽宁,21