SiC外延晶片及其制造方法技术

一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm

SiC Epitaxy Wafer and Its Manufacturing Method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】SiC外延晶片及其制造方法
本专利技术涉及SiC外延晶片及其制造方法。本申请基于在2017年1月10日在日本提出的专利申请2017－001982号要求优先权，在此引用其内容。
技术介绍
碳化硅(SiC)具有与硅(Si)相比绝缘击穿电场大一个数量级，带隙大3倍，而且热导率高3倍左右等的特性。因而，期待着碳化硅(SiC)应用于功率器件、高频器件、高温工作器件等。要促进SiC器件的实用化的话，高品质的SiC外延晶片以及高品质的外延生长技术的确立是必不可少的。SiC器件通常使用SiC外延晶片来制作。SiC外延晶片是在SiC单晶基板上采用化学气相沉积法(ChemicalVaporDeposition：CVD)等使成为器件的活性区域的外延层(膜)生长而得到。SiC单晶基板是从使用升华再结晶法等生长出的SiC的块状单晶加工而得到的。更具体而言，通常在将从(0001)面向＜11－20＞方向具有偏离角(offangle)的面作为生长面的SiC单晶基板上进行台阶流生长(从原子台阶起的横向生长)从而使4H的外延层生长。在SiC外延晶片中，作为SiC器件引起致命的缺陷的器件致命缺陷之一，已知基底面位错(Ba本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种SiC外延晶片，具有：SiC单晶基板，其主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角；和外延层，其设置在所述SiC单晶基板上，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.01.10 JP 2017-0019821.一种SiC外延晶片，具有：SiC单晶基板，其主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角；和外延层，其设置在所述SiC单晶基板上，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm2以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm2以下。2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片，在所述外延层中，所述SiC单晶基板侧的第1区域的基底面位错密度高于所述外表面侧的第2区域的基底面位错密度。3.根据权利要求2所述的SiC外延晶片，所述SiC单晶基板和所述外延层为相同的导电类型，所述外延层从所述SiC单晶基板侧起具有缓冲层和漂移层，所述缓冲层的载流子浓度高于所述漂移层的载流子浓度，所述缓冲层包含所述第1区域。4.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：深田启介，石桥直人，坂东章，伊藤雅彦，镰田功穗，土田秀一，原一都，内藤正美，上东秀幸，藤林裕明，青木宏文，杉浦利和，铃木克己，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，株式会社电装，
类型：发明
国别省市：日本,JP