电容调整方法及电容调整装置制造方法及图纸

技术编号:22004957 阅读:50 留言:0更新日期:2019-08-31 06:45
本发明专利技术公开了一种电容调整方法用来启用或禁用n组电容的第1组电容至第n组电容,包含根据基底电容值产生一基底计数值,分别根据该第1组电容至该第n组电容产生第1计数值至第n计数值,根据该基底计数值及该第1计数值至该第n计数值,求得第1比例值至第n比例值,指定一目标计数值,根据该基底计数值及该目标计数值求得目标比例值,及根据该目标比例值及该第1比例值至该第n比例值求得第1控制信号至第n控制信号从而据以启用或禁用该第1组电容至该第n组电容。

Capacitance Adjustment Method and Capacitance Adjustment Device

【技术实现步骤摘要】
电容调整方法及电容调整装置
本专利技术涉及一种电容调整方法及电容调整装置,尤其涉及一种可根据电容值及计数值校正及匹配电容的调整方法及电容调整装置。
技术介绍
在天线应用领域,天线收发端的装置内部的电容须调整,才可操作在正确的频率。举例而言,调幅(amplitudemodulation)天线内部所耦接的可调电容须对应于目标频率,予以调整,方可正确匹配。现有技术中,例如不断调整电容,且不断地测量震荡频率,直到吻合目标频率为止。又或者,可先量得最高频率、最低频率及电容震荡频率,再用内插(interpolation)法求得目标频率对应的电容值,从而据以调整电容。然而,上述方法皆有缺失。不断调整电容及测量震荡频率,将造成调整及测量的次数过高,使工作量难以缩减。使用内插法等方式,则常造成电路在实际生产时,各组件的匹配效果不佳,换言之,使用内插法求得的电容值,常无法对应到目标频率。因此,本领域仍需更妥适的解决方案,以处理调校电容方面的工程难题。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种电容调整方法,用来控制n组电容的一第1组电容至一第n组电容启用或禁用,该方法包含根据一基底电容值产生一基底计数值;分别根据该第1组电容至该第n组电容产生一第1计数值至一第n计数值;根据该基底计数值及该第1计数值至该第n计数值,求得一第1比例值至一第n比例值;指定一目标计数值;根据该基底计数值及该目标计数值求得一目标比例值;根据该目标比例值及该第1比例值至该第n比例值,求得一第1控制信号至一第n控制信号,从而据以控制该第1组电容至该第n组电容启用或禁用。其中n是正整数。本专利技术的实施例提供一种电容调整装置,包含一可控电容阵列、一计数产生电路及一处理单元。该可控电容阵列可用来根据一组控制信号对应地产生一等效电容值,包含一组控制端,用来接收该组控制信号,及一第一端。该计数产生电路可用来根据该可控电容阵列的该等效电容值对应地输出一计数值,包含一输入端耦接于该可控电容阵列的该第一端,及至少一输出端用来输出该计数值。该处理单元可用来根据该计数值产生该组控制信号,该处理单元包含至少一输入端耦接于该计数产生电路的该至少一输出端,用来接收该计数值,及一组输出端耦接于该可控电容阵列的该组控制端,用来输出该组控制信号。附图说明图1显示了实施例中,电容调整装置的示意图。图2显示了实施例中,图1的可控电容阵列的示意图。图3显示了实施例中,图1的计数产生电路的示意图。图4显示了实施例中,电容调整方法的流程图。图5显示了实施例中,对电容排序的流程图。图6显示了实施例中,图4的步骤包含的流程图。图7显示了实施例中,图4的步骤另包含的流程图。图8至图10显示了实施例中,以n=3为例,执行图5至图7的步骤的流程图。图11显示了实施例中,图1的电容调整装置的电路示意图。【图示说明】AN天线ME匹配组件100电容调整装置110可控电容阵列120计数产生电路130处理单元Sc、Sc1至Scn控制信号CT、CT1至CTn计数值CTB基底计数值C1至Cn、C91、C92电容120A功能电路120B计数电路Sosc、Sosc1至Soscn计数信号SoscB基底计数信号400电容调整方法410至460、510至530、610至670、710步骤至730、8510至8810T1、T2晶体管CS1、CS2电流源VDD高电位端111、112电阻122并联转串联电路FF1至FFq触发器AND1至AND(q-2)与门X1至Xq输出端CLK时钟端RST重置端JJ端KK端Q输出端具体实施方式图1显示了实施例中,电容调整装置100的示意图。如图1,电容调整装置100可透过匹配组件ME耦接于天线AN,天线AN可为调幅天线。匹配组件ME可包含被动组件,例如电容、电阻或其组合的电路。电容调整装置100可包含可控电容阵列(array)110,计数产生电路120及处理单元130。电容调整装置100可用来调整可控电容阵列110的电容值,以匹配天线AN的操作频率。可控电容阵列110可用来根据一组控制信号Sc对应地产生等效电容值。可控电容阵列110可包含第一端及一组控制端,其中控制端用来接收控制信号Sc。计数产生电路120可用来根据可控电容阵列110的等效电容值,对应地输出计数值CT。计数产生电路120可包含输入端及至少一输出端,其中输入端耦接于可控电容阵列110的第一端,且输出端用来输出计数值CT。处理单元130可用来根据计数值CT产生控制信号Sc。处理单元130可包含至少一输入端及一组输出端,其中输入端可耦接于计数产生电路120的输出端,用来接收计数值CT,且输出端可耦接于可控电容阵列110的控制端,用来输出控制信号Sc。图2显示了实施例中,图1的可控电容阵列110的示意图。可控电容阵列110可包含第1组电容C1(可视为等效的电容C1)至第n组电容Cn(可视为等效的电容Cn)。图2中,每组电容仅以一个等效电容示意,但实务上每组电容可用多个电容组合而成,例如可用多个电容并联而成。电容C1至Cn可分别透过开关并联,例如电容C1可透过第1开关控制,电容C2可透过第2开关控制,依此类推。耦接于电容C1的开关可被控制信号Sc1控制导通或截止,耦接于电容C2的开关可被控制信号Sc2控制导通或截止,依此类推。当对应的开关被导通时,电容可被启用(enable),当对应的开关被截止时,电容可被禁用(disable)。控制信号Sc可包含n个控制信号,即第1控制信号Sc1至第n控制信号Scn。例如,控制信号Sc可包含n位元(bit),其中第一位元可为Sc1,第n位元可为Scn,依此类推。此处所述的n可为大于1的正整数。举例而言,控制信号Sc1及Scn可分别对应于控制信号Sc的最低有效位元(leastsignificantbit,LSB)及最高有效位元(mostsignificantbit,MSB)。上文中,控制信号Sc包含的Scn至Sc1是以1为最小的序号,以便于描述,但本领域有时会以0为最小的序号,举例而言,可将n位元的信号表示为Sc[(n-1):0],其中最小序号(最低有效位元)的信号是表示为Sc[0],此种工程应用上合理的变化或表示方式,皆属于实施例的范围。电容C1至Cn中,开关被导通则对应的电容被启用,开关被截止则对应的电容被禁用,藉由控制信号Sc1至Scn控制开关,可从电容C1至Cn中选取用来并联的电容,以控制可控电容阵列110提供的电容值。图2是示意图,实务上可合理地调整可控电容阵列110的电路细节。图2中,电容C1至Cn可分别具有最小电容值至最大电容值,以分别对应于最高频率至最低频率。图3是实施例中,图1的计数产生电路120的示意图。计数产生电路120可包含功能电路120A及计数电路120B。功能电路120A可用来产生计数信号Sosc,包含输入端及输出端,输入端耦接于计数产生电路120的输入端,且输出端用来输出计数信号Sosc。计数电路120B可用来产生计数值CT,包含输入端及至少一输出端,输入端可耦接于功能电路120A的输出端以接收计数信号Sosc,且输出端可对应地耦接于计数产生电路120的输出端,以输出计数值CT。图4是实施例中,电容调整方法400的流程图。如图1至图4所示,电容调整方法400可用来控制电容C1至C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容调整方法,用来控制n组电容的一第1组电容至一第n组电容启用或禁用,该方法包含:根据一基底电容值产生一基底计数值;分别根据该第1组电容至该第n组电容产生一第1计数值至一第n计数值;根据该基底计数值及该第1计数值至该第n计数值,求得一第1比例值至一第n比例值;指定一目标计数值;根据该基底计数值及该目标计数值求得一目标比例值;根据该目标比例值及该第1比例值至该第n比例值,求得一第1控制信号至一第n控制信号,从而据以控制该第1组电容至该第n组电容启用或禁用;其中n是正整数。

【技术特征摘要】
2018.02.23 TW 1071061441.一种电容调整方法,用来控制n组电容的一第1组电容至一第n组电容启用或禁用,该方法包含:根据一基底电容值产生一基底计数值;分别根据该第1组电容至该第n组电容产生一第1计数值至一第n计数值;根据该基底计数值及该第1计数值至该第n计数值,求得一第1比例值至一第n比例值;指定一目标计数值;根据该基底计数值及该目标计数值求得一目标比例值;根据该目标比例值及该第1比例值至该第n比例值,求得一第1控制信号至一第n控制信号,从而据以控制该第1组电容至该第n组电容启用或禁用;其中n是正整数。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中:根据该基底电容值产生该基底计数值包含:根据该基底电容值产生一基底计数信号,及根据该基底计数信号产生该基底计数值;及分别根据该第1组电容至该第n组电容产生该第1计数值至该第n计数值包含:分别启用该第1组电容至该第n组电容并产生一第1计数信号至一第n计数信号,及分别根据该第1计数信号至该第n计数信号产生该第1计数值至该第n计数值。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包含:根据该n组电容的容值产生n个计数信号,以求得n个计数值;将该n个计数值排序为一第1计数值至一第n计数值;及根据该第1计数值至该第n计数值的排序,对应地将该n组电容排定为该第1组电容至该第n组电容;其中该第1组电容的电容值至该第n组电容的电容值是依序增加。4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中该基底电容值是该n组电容都禁用时的一寄生电容值。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中根据该目标比例值及该第1比例值至该第n比例值,求得该第1控制信号至该第n控制信号,包含:设定一剩余参数;若该剩余参数大于等于该第1比例值至该第n比例值的一第x比例值的倒数,以该剩余参数减去该第x比例值的倒数的差值更新该剩余参数,及将该第1控制信号至该第n控制信号的一第x控制信号设定为一启用位准;及若该剩余参数大于等于该第1比例值至该第n比例值的一第(x-1)比例值的倒数,以该剩余参数减去该第(x-1)比例值的倒数的差值更新该剩余参数,及将该第1控制信号至该第n控制信号的一第(x-1)控制信号设定为一启用位准;其中该剩余参数的初始值是该目标比例值的倒数,x是正整数,且n≧x≧2。6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,其中根据该目标比例值及该第1比例值至该第n比例值,求得该第1控制信号至该第n控制信号,包含:设定一剩余参数;若该剩余参数小于该第1比例值至该第n比例值的一第x比例值的倒数,将该第1控制信号至该第n控制信号的一第x控制信号设定为一禁用位准;及若该剩余参数大于等于该第1比例值至该第n比例值的一第(x-1)比例值的倒数,以该剩余参数减去该第(x-1)比例值的倒数的差值更新该剩余参数,及将该第1控制信号至该第n控制信号的一第(x-1...

【专利技术属性】
技术研发人员:严仁宏
申请(专利权)人:立积电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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