基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法技术

一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层。本发明专利技术还提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，在衬底上沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及交替堆叠多周期的Alx(Ga1‑x)N薄膜和AlyGa1‑yN薄膜，然后进行光电化学刻蚀，通过光电化学反应的带隙选择性将AlGaN层多孔化，形成基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。

Ultraviolet Distributed Bragg Mirror Based on Porous AlGaN and Its Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法。
技术介绍
基于AlGaN的紫外分布布拉格反射镜(DistributedBraggReflector，DBR)是AlGaN基紫外共振腔光电器件(包括紫外共振腔二极管，紫外垂直腔表面发射激光二极管，紫外共振腔增强型探测器等)的关键组成部分之一，也可用于增强AlGaN基紫外发光二极管的出光。基于AlGaN的紫外DBR通常由多周期AlN层和AlGaN层交替堆叠而成，通常采用MOCVD进行外延生长，由于两者之间的折射率差很小，一般需要30周期以上四分之一波堆(每一层厚度为其中λ0是中心反射波长，neff是有效折射率)才能达到足够高的反射率。反射镜中心反射波长越短，则AlGaN的Al组分要求越高，其和AlN的折射率差就越小，要求的周期数也就越多。如此多的周期数需要的外延时间很长，制备费用很高，而且，DBR薄膜很厚也容易导致开裂，两种材料折射率差很小也导致DBR透入深度大，从而由于材料的剩余吸收导致一定的吸收损耗。为增加两种材料的折射率差，有研究提出通过电化学或光辅助的电化学(光电化学)方法将其中一种材料完全刻蚀掉，即形成氮化物/空气隙DBR，其反射率差很大，一般5-10周期即达到足够高的反射率。不过，空气隙的机械强度不够，容易塌陷剥落。于是，又有研究提出通过电化学方法的掺杂选择性制备基于纳米孔氮化物的DBR，纳米孔氮化物的折射率由孔隙率决定也可以获得很低的折射率，而且其机械强度不错。例如用电化学方法对非掺GaN/n+GaN多层结构进行刻蚀，将n+GaN层刻蚀成多孔结构，成功制备了高反射宽截止带宽的GaN/多孔GaN可见光DBR。由于GaN的吸收边在360nm，基于多孔GaN的DBR反射波长必须>360nm。为扩展到紫外区，需要采用基于多孔AlGaN的DBR。也有研究制备了基于电化学刻蚀形成多孔AlGaN材料的紫外DBR，但其Al组分很低，一般小于0.3，原因是高Al组分AlGaN材料的n型掺杂的激活能很高，所以导电性较差，导致电化学刻蚀比较困难，孔隙率较低，难以获得较低的折射率。而基于A1组分低于0.3的AlGaN材料的DBR，因材料本身的吸收，只能用于UVA波段。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的主要目的在于提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法，通过光照产生光生载流子以促进电化学刻蚀，利用光吸收的带隙选择性，选择性地将AlGaN层多孔化，从而实现基于多孔AlGaN的紫外DBR，以期至少部分地解决上述技术问题中的至少之一。为了实现上述目的，作为本专利技术的一个方面，提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜，，包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Gal-x)N层和多孔AlyGal-yN层；其中所述多孔AlyGal-yN层为多孔结构，0＜x＜l，0＜y＜l。其中，所述多孔AlyGal-yN层的孔尺寸为1nm-1μm，孔隙率为10％-90％；其有效折射率介于空气折射率和AlyGal-yN材料折射率之间，取值范围在1.0-2.5之间。其中，所述的Alx(Gal-x)N层的Al组分x大于多孔AlyGal-yN层的Al组分y，Alx(Gal-x)N层优选为未故意掺杂AlN。其中，所述的Alx(Gal-x)N层和多孔AlyGal-yN层的优选光学厚度为紫外分布布拉格反射镜的反射率中心波长的四分之一，相应地，其优选物理厚度为光学厚度除以其折射率，其厚度取值范围在优选值偏离20％范围以内。其中，所述衬底的材质选自蓝宝石、硅、6H-SiC、4H-SiC、氮化镓、氮化铝、氧化镓或氧化锌。作为本专利技术的另一个方面，提供一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，包括以下步骤：在衬底上依次沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Gal-x)N层和AlyGal-yN层，其中0≤y＜x≤1，Alx(Gal-x)N层未故意掺杂，AlyGal-yN层故意掺Si；进行光电化学刻蚀，将AlyGal-yN层刻蚀成多孔结构，得到所述基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜。其中，所述的AlyGa1-yN层的Si掺杂浓度为1×1018/cm3-1×1019/cm3，优选值为1×1019/cm3。其中，所述的光电化学刻蚀步骤中，所用光源的光子能量大于AlyGa1-yN层的带隙；采用的电解液为硝酸、盐酸、乙酸或KOH溶液，优选为70％HNO3溶液；采用的外加电压范围为5-100V；刻蚀时间为5分钟-50小时。基于上述技术方案可知，本专利技术的基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜及其制备方法相对于现有技术至少具有如下有益效果之一：1、能够用较少的周期数实现足够高的反射率；2、具有很宽的截止带宽，截止带宽取决于折射率差，最高可能获得100nm宽的截止带宽；3、本专利技术的反射镜的反射率中心波长可以在200nm-400nm，特别适用于深紫外波段；4、本专利技术可作为AlGaN基紫外共振腔光电器件(包括紫外共振腔二极管、紫外垂直腔表面发射激光二极管、紫外共振腔增强型探测器等)的关键组成部分之一，也可用于增强AlGaN基紫外发光二极管的出光，特别适用于深紫外光电器件。附图说明图1是本专利技术的紫外分布布拉格反射镜的结构示意图；图2是本专利技术的光电化学刻蚀装置的示意图；图3是采用本专利技术的紫外分布布拉格反射镜结构的AlGaNVCSEL的结构示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术作进一步的详细说明。本专利技术公开了一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜，所述紫外分布布拉格反射镜顺次包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1-x)N层和多孔AlyGa1-yN层；其中所述多孔AlyGa1-yN层为多孔结构，0＜x＜1，0＜y＜1。其中，所述多孔AlyGa1-yN层的孔尺寸为1nm-1μm，孔隙率为10％-90％；其有效折射率介于空气折射率和AlyGa1-yN材料折射率之间，取值范围在1.0-2.5之间。其中，所述的Alx(Ga1-x)N层的Al组分x大于多孔AlyGal-yN层的Al组分y，Alx(Gal-x)N层优选为未故意掺杂AlN。其中，所述的Alx(Gal-x)N层和多孔AlyGal-yN层的优选光学厚度为紫外分布布拉格反射镜的反射率中心波长的四分之一，相应地，其优选物理厚度为光学厚度除以其折射率，其厚度取值范围在优选值偏离20％范围以内。其中，所述衬底的材质选自蓝宝石、硅、6H-SiC、4H-SiC、氮化镓、氮化铝、氧化镓或氧化锌。本专利技术还公开了一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜的制备方法，包括以下步骤：首先在衬底上依次沉积成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1-x)N层和AlyGa1-yN层，其中0≤y＜x≤1；其中，所述成核层是低温AlN，沉积温度是700-1000℃，优选是900℃；其中，所述缓冲层是高温AlN，沉积温度是1000-1200℃，优选是1080℃；其中，所述应力调控层是单层恒定组分Al本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜，其特征在于，所述紫外分布布拉格反射镜顺次包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1‑x)N层和多孔AlyGa1‑yN层；其中所述多孔AlyGa1‑yN层为多孔结构，0＜x＜1，0＜y＜1。

【技术特征摘要】
1.一种基于多孔AlGaN的紫外分布布拉格反射镜，其特征在于，所述紫外分布布拉格反射镜顺次包括衬底、成核层、缓冲层、应力调控层，以及多周期交替堆叠的Alx(Ga1-x)N层和多孔AlyGa1-yN层；其中所述多孔AlyGa1-yN层为多孔结构，0＜x＜1，0＜y＜1。2.如权利要求1所述的紫外分布布拉格反射镜，其特征在于，所述多孔AlyGa1-yN层的孔尺寸为1nm-1μm，孔隙率为10％-90％；其有效折射率介于空气折射率和AlyGa1-yN材料折射率之间，取值范围在1.0-2.5之间。3.如权利要求1所述的紫外分布布拉格反射镜，其特征在于，所述的Alx(Ga1-x)N层的Al组分x大于多孔AlyGa1-yN层的Al组分y，Alx(Ga1-x)N层优选为未故意掺杂AlN。4.如权利要求1所述的紫外分布布拉格反射镜，其特征在于，所述的Alx(Ga1-x)N层和多孔AlyGa1-yN层的优选光学厚度为紫外分布布拉格反射镜的反射率中心波长的四分之一，相应地，其优选物理厚度为光学厚度除以其折射率，其厚度取值范围在优选值偏离20％范围以内。5...

【专利技术属性】
技术研发人员：姬小利，谭晓宇，魏同波，王军喜，杨富华，李晋闽，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11