用于测试半导体裸晶的方法以及测试电路技术

本发明专利技术公开了一种用于测试半导体裸晶的方法。所述方法包括以下步骤：对所述半导体裸晶的裸晶垫充电至预充电电平；停止对所述裸晶垫充电以侦测所述裸晶垫的电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的时间周期，并且相应地产生侦测结果；以及依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的漏电流。本发明专利技术的半导体裸晶测试方案可侦测未被探针接触的裸晶垫的漏电流，且因此可全面地侦测所述半导体裸晶上的缺陷并且以高准确度及高速进行良好裸晶测试。

The Method and Circuit for Testing Semiconductor Bare Crystal

【技术实现步骤摘要】
用于测试半导体裸晶的方法以及测试电路
本专利技术所公开的实施例关于裸晶测试，尤其关于一种用于测试一半导体裸晶的方法，其能侦测未被探针接触的一裸晶垫(diepad)的一漏电流，以及一半导体裸晶的一相关测试电路。
技术介绍
在现有技术的已知良好裸晶(know-good-die，简称为“KGD”)的测试电路中，由于在芯片探测测试操作的期间许多裸晶垫(diepad)未被探测(也就是浮接)以减少测试成本，流经所述裸晶垫的漏电流无法被预估，导致良率损失。因此，需要一种用于半导体裸晶的新颖的测试电路以确保高良率。
技术实现思路
依据本专利技术的示范的实施例，公开了一种用于测试一半导体裸晶的方法，其能侦测未被探针接触的一裸晶垫(diepad)的一漏电流，并且公开一半导体裸晶的一相关测试电路，以解决上述问题。依据本专利技术一实施例，公开了一种用于测试一半导体裸晶的示范的方法。所述示范的方法包括以下步骤：对所述半导体裸晶的一裸晶垫充电至一预充电电平；停止对所述裸晶垫充电以侦测所述裸晶垫的一电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的一时间周期，并且相应地产生一侦测结果；以及依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的一漏电流。依据本专利技术一实施例，公开了一种用于测试一半导体裸晶的示范的测试电路。所述示范的测试电路包括一预充电电路以及一处理电路。所述预充电电路耦接至所述半导体裸晶的一裸晶垫，并且用来对所述裸晶垫充电至一预充电电平。所述处理电路耦接至所述裸晶垫，所述处理电路用来于所述预充电电路停止对所述裸晶垫充电时，侦测所述裸晶垫的一电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的一时间周期，并且相应地产生一侦测结果，其中所述处理电路依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的一漏电流。附图说明图1绘示依据本专利技术一实施例使用一探测卡(probecard)的多个探针(probe)测试的一示范的半导体裸晶。图2为依据本专利技术一实施例所绘示的一半导体裸晶的一示范的测试电路的示意图。图3为依据本专利技术一实施例所绘示的一半导体裸晶的一示范的测试电路的示意图。图4绘示关于图3所示的裸晶垫的一示范的侦测结果。图5为依据本专利技术一实施例的用于测试一半导体裸晶的一示范的方法的流程图。其中，附图标记说明如下：102半导体裸晶200,300测试电路210预充电电路230,330处理电路332_1,…,332_n比较器333侦测电路334与非门336分析电路410,420,430,220步骤DP1,DP2,DP3,DP4,DP5,NP1,NP2,NP3,NP4,NP5,P_1,…,P_n裸晶垫PB1,PB2,PB3,PB4,PB5探针VC预充电电平VP,V_1,…,V_n电压电平R_1,…,R_n指示信号VR,Vref参考电平DR侦测结果LR逻辑输出具体实施方式图1绘示依据本专利技术一实施例使用一探测卡的多个探针测试一示范的半导体裸晶。在本实施例中，半导体裸晶102的多个裸晶垫(diepad)DP1～DP5诸如裸晶垫{DP1,DP2,DP3,DP4,DP5}被一探测卡(未显示于图1中)的多个探针PB1～PB5诸如探针{PB1,PB2,PB3,PB4,PB5}接触以供裸晶测试，而多个裸晶垫NP1～NP5诸如裸晶垫{NP1,NP2,NP3,NP4,NP5}未被所述探测卡接触。每一裸晶垫可通过一输入垫(inputpad)或一输入输出垫(input-outputpad，可简称为“I/O垫”)来实施，其中所述输入垫可接收一共同信号或一地址信号，以及所述I/O垫可接收/传送一数据信号。通过在不使用一探针接触一裸晶垫的状况下侦测所述裸晶垫的一漏电流，本专利技术所公开的用于一半导体裸晶的测试方案可全面地侦测所述半导体裸晶上的缺陷，并且以高准确度进行已知良好裸晶(know-good-die，简称为“KGD”)测试。请连同图1参考图2，图2为依据本专利技术一实施例所绘示的一半导体裸晶的一示范的测试电路的示意图。测试电路200可被用于测试未被一探测卡的探针接触的裸晶垫(诸如图1所示的裸晶垫NP1～NP5)。为了说明的目的，以下叙述描述了本专利技术所公开的测试方案参照通过一输入垫实施的一裸晶垫的示范的操作。然而，这并非对本专利技术的限制。本专利技术所公开的测试方案能被采用于I/O垫测试。在探针PB1～PB5接触裸晶垫DP1～DP5以供测试的状况下，测试电路200可依据所述探测卡提供的裸晶垫DP1～DP5的地址信号产生裸晶垫NP1～NP5的地址信号。换句话说，测试电路200可参考自我生成的地址信号以测试裸晶垫NP1～NP5(其未被探针PB1～PB5接触)。另外，裸晶垫DP1～DP5的所述地址信号以及裸晶垫NP1～NP5的所述地址信号可同时地馈入半导体裸晶102(待测装置(deviceundertest,DUT))以供裸晶测试。由于熟习此技艺者应了解地址压缩测试及自我生成地址的操作，相关细节在此不再赘述。在本实施例中，用于测试一裸晶垫220的测试电路200可包括一预充电电路210以及一处理电路230，其中裸晶垫220可为裸晶垫NP1～NP5中的一者。预充电电路210耦接至裸晶垫220，并且用来对裸晶垫220充电至一预充电电平VC，其中当裸晶垫220的一电压电平VP达到预充电电平VC，预充电电路210可停止对裸晶垫220充电。处理电路230耦接至裸晶垫220，并且用来侦测裸晶垫220的电压电平VP。由于，当预充电电路210对裸晶垫220充电时，裸晶垫220可被等效地视为一电容器，例如可称为一等效电容器，故处理电路230可监控电压电平VP以侦测所述等效电容器的充/放电响应，从而判断裸晶垫220的一漏电流。例如，处理电路230可用来于预充电电路210停止对裸晶垫220充电时，侦测电压电平VP从预充电电平VC改变至一参考电平VR所需要的一时间周期，并且相应地产生一侦测结果DR，其中处理电路230可依据侦测结果DR另判断裸晶垫220的所述漏电流。在某些实施例中，当侦测结果DR指出电压电平VP从预充电电平VC改变至参考电平VR所需要的所述时间周期较一预定时间周期长，处理电路230可判断裸晶垫220的所述漏电流较一预定数值(例如：一漏电流规格数值)小。当侦测结果DR指出电压电平VP从预充电电平VC改变至参考电平VR所需要的所述时间周期较所述预定时间周期短，处理电路230可判断裸晶垫220的所述漏电流较所述预定数值大。例如：在处理电路230侦测到电压电平VP在所述预定时间周期内未从预充电电平VC改变至参考电平VR的状况下，侦测结果DR可指出电压电平VP从预充电电平VC改变至参考电平VR所需要的所述时间周期较所述预定时间周期长。而且，在处理电路230侦测到电压电平VP在所述预定时间周期内已从预充电电平VC改变至参考电平VR的状况下，侦测结果DR可指出电压电平VP从预充电电平VC改变至参考电平VR所需要的所述时间周期较所述预定时间周期短。此外，当侦测到电压电平VP在所述预定时间周期内已从预充电电平VC改变至参考电平VR，裸晶垫220被认为是会漏电的或有瑕疵的，处理电路230可判断裸晶垫220的所述漏电流是高的。相反地，当侦测到电压电平VP在所述预定时间周期内未从预充电电平VC改变至参考电平VR，处理电路230可判断裸晶垫220的所述漏电流是低的或可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测试一半导体裸晶的方法，其特征在于，包括：对所述半导体裸晶的一裸晶垫充电至一预充电电平；停止对所述裸晶垫充电以侦测所述裸晶垫的一电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的一时间周期，并且相应地产生一侦测结果；以及依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的一漏电流。

【技术特征摘要】
2018.02.22 US 15/903,0151.一种用于测试一半导体裸晶的方法，其特征在于，包括：对所述半导体裸晶的一裸晶垫充电至一预充电电平；停止对所述裸晶垫充电以侦测所述裸晶垫的一电压电平从所述预充电电平改变至一参考电平所需要的一时间周期，并且相应地产生一侦测结果；以及依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的一漏电流。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的所述漏电流的步骤包括：当所述侦测结果指出所述电压电平从所述预充电电平改变至所述参考电平所需要的所述时间周期较一预定时间周期长，判断所述裸晶垫的所述漏电流较一预定数值小；以及当所述侦测结果指出所述电压电平从所述预充电电平改变至所述参考电平所需要的所述时间周期较所述预定时间周期短，判断所述裸晶垫的所述漏电流较所述预定数值大。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的所述漏电流的步骤还包括：依据所述预定数值、所述裸晶垫的电容、所述预充电电平与所述参考电平决定所述预定时间周期。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侦测结果指出所述电压电平从所述预充电电平改变至所述参考电平所需要的所述时间周期；而依据所述侦测结果判断所述裸晶垫的所述漏电流的步骤包括：依据所述侦测结果指出的所述时间周期、所述裸晶垫的电容、所述预充电电平与所述参考电平判断所述漏电流。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，侦测所述裸晶垫的所述电压电平从所述预充电电平改变至所述参考电平所需要的所述时间周期的步骤包括：将所述电压电平与所述参考电平作比较以产生一指示信号，其中当所述电压电平大于所述参考电平，所述指示信号具有一第一电平；而当所述电压电平小于所述参考电平，所述指示信号具有异于所述第一电平的一第二电平；以及侦测所述指示信号从所述第一电平与所述第二电平中的一者改变至所述第一电平与所述第二电平中的另一者所需要的一过渡时间周期，以判断所述电压电平从所述预充电电平改变至所述参考电平所需要的所述时间周期。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，侦测所述电压电平从所述预充电电平改变至所述参考电平所需要的所述时间周期的步骤包括：每一预定时间周期侦测一次所述裸晶垫的所述电压电平是否改变至所述参考电平。7.如权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁德铭，
申请(专利权)人：补丁科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71