【技术实现步骤摘要】
内置式LTPS显示面板像素点监测系统
本专利技术涉及LTPS显示面板坏点检测
,具体的说,涉及一种内置式LTPS显示面板像素点监测系统。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)为现今电子显示屏的一种显示技术,通过基板上的TFT像素点阵控制液晶层的透光情况,具体包括非晶硅(a-Si)和低温多晶硅(LTPS)两种TFT技术。其中,LTPS面板的结构包括底层光源,底层光源上由内至外依次有TFT基板、液晶层、偏光层、玻璃保护层,如图1所示,而TFT基板为玻璃基板,其表面覆有一层多晶硅薄膜,在该多晶硅薄膜上刻蚀FET(FieldEffectTransistor,场效应晶体管)点阵,如图2,非FET点阵的晶硅制成像素电极,像素电极与液晶层上部的共通电极形成储存电容,每个储存电容中都夹有液晶单元,如图3,通过给FET点阵扫描供电,储存电容获得一定电压使液晶单元透光,从而形成图案。在显示屏的使用过程中,像素点能否正常透光成为显示屏正常显示的主因,但在少部分像素点无法正常透光,即坏点时,容易产生花屏现象,此时整体显示屏还能继续显示部分内容,但一些信息无法完整显示出,而 ...
【技术保护点】
1.一种内置式LTPS显示面板像素点监测系统,包括显示面板(A),该显示面板(A)由内至外依次包括面板基板(A1)、液晶层(A2)、偏光层(A3),所述面板基板(A1)上刻蚀有m×n个像素点(B1)的像素点阵列(B),其中,n为行数,m为列数,特征在于:所述面板基板(A1)上还设置有检测采集模块(C),所述检测采集模块(C)包括像素监测阵列(C1)、时序采样电路(C2),所述像素监测阵列(C1)包括m×n个监测单元(C11),所述监测单元(C11)与所述像素点(B1)一一对应,所述时序采样电路(C2)的采样端组连接所述像素监测阵列(C1)的监测输出端组,所述时序采样电路(C ...
【技术特征摘要】
1.一种内置式LTPS显示面板像素点监测系统,包括显示面板(A),该显示面板(A)由内至外依次包括面板基板(A1)、液晶层(A2)、偏光层(A3),所述面板基板(A1)上刻蚀有m×n个像素点(B1)的像素点阵列(B),其中,n为行数,m为列数,特征在于:所述面板基板(A1)上还设置有检测采集模块(C),所述检测采集模块(C)包括像素监测阵列(C1)、时序采样电路(C2),所述像素监测阵列(C1)包括m×n个监测单元(C11),所述监测单元(C11)与所述像素点(B1)一一对应,所述时序采样电路(C2)的采样端组连接所述像素监测阵列(C1)的监测输出端组,所述时序采样电路(C2)的时序信流输出端组连接有自检分析模块(D)的信号接收端组;所述自检分析模块(D)用于分析处理时序信流,得出像素坏点结果。2.根据权利要求1所述的内置式LTPS显示面板像素点监测系统,特征在于:所述像素点(B1)包括一个MOSFET(B11)和一个像素电极(B12),所述MOSFET(B11)的源极S连接像素点数据驱动线(A01),栅极G连接像素点扫描驱动线(A02),漏极D连接所述像素电极(B12);所述监测单元(C11)设置有至少一个光生伏特效应PN结,所述光生伏特效应PN结依附于所述像素电极(B12),所述光生伏特效应PN结接入所述时序采样电路(C2)的采样端组。3.根据权利要求2所述的内置式LTPS显示面板像素点监测系统,特征在于:所述像素电极(B12)的一侧设有PN位,所述PN位内布置有所述光生伏特效应PN结。4.根据权利要求2所述的内置式LTPS显示面板像素点监测系统,特征在于:每...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈新银,刘立明,
申请(专利权)人:重庆蓝岸通讯技术有限公司,
类型:发明
国别省市:重庆,50
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