【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】液面计、具备该液面计的气化器以及液面检测方法
本专利技术涉及检测液面水平的液面计、基于由该液面计检测到的液面水平来适当地管理所容纳的液体量的气化器以及液面检测方法。另外,在气化器中,也包括液体贮存用的罐等,若为液体供给系统(液体供给装置)的罐,则既可以是在常温下使用的罐,也可以是在高温下使用的罐。
技术介绍
以往,例如提出了向使用有机金属气相成长法(MOCVD:MetalOrganicChemicalVaporDeposition)的半导体制造装置供给原料流体的液体原料气化供给装置(以下亦称为气化器)的方案(例如专利文献1~3)。这种液体原料气化供给装置是使TEOS(Tetraethylorthosilicate)等液体原料在气化腔内加热而气化,并通过流量控制装置将气化后的气体控制成预定的流量并供给至半导体制造装置。而且,为了弥补使原料液体气化所造成的原料液体的减少,需要通过检测原料液体的液面,并供给减少的份量,从而控制液面。作为检测原料液体液面的方法,例如已知有利用散热常数在液相和气相下不同的热式液面检测装置(专利文献4~6)。在这种热式液面检测装置中,如图8所 ...
【技术保护点】
1.一种液面计,具有:第一测温电阻体;温度测定体,所述温度测定体配置在比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置;以及控制部,所述控制部利用所述温度测定体以及所述第一测温电阻体来检测液面的位置,其特征在于,所述控制部在流动于所述第一测温电阻体的电流值在预定的一定时间内变化了预定的一定值以上时,检测到所述液面的位置从比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置变化至比配置所述第一测温电阻体的位置低的位置;或者检测到所述液面的位置从比配置所述第一测温电阻体的位置低的位置变化至比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.27 JP 2016-2528521.一种液面计,具有:第一测温电阻体;温度测定体,所述温度测定体配置在比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置;以及控制部,所述控制部利用所述温度测定体以及所述第一测温电阻体来检测液面的位置,其特征在于,所述控制部在流动于所述第一测温电阻体的电流值在预定的一定时间内变化了预定的一定值以上时,检测到所述液面的位置从比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置变化至比配置所述第一测温电阻体的位置低的位置;或者检测到所述液面的位置从比配置所述第一测温电阻体的位置低的位置变化至比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置。2.根据权利要求1所述的液面计,其特征在于,所述控制部包括温度检测部、液面检测部以及电流控制部,所述温度检测部检测出所述温度测定体以及所述第一测温电阻体的温度,所述电流控制部以通过所述温度检测部检测出的所述第一测温电阻体的温度与所述温度测定体的温度的温度差成为预定的第一值的方式,确定流动于所述第一测温电阻体的电流值,所述液面检测部根据流动于所述第一测温电阻体的电流值的变化检测所述液面的位置。3.根据权利要求2所述的液面计,其特征在于,还具备电源部,所述电源部使由所述电流控制部确定的所述电流值的电流流动于所述第一测温电阻体。4.根据权利要求2所述的液面计,其特征在于,对于所述液面检测部,若流动于所述第一测温电阻体的所述电流值在所述一定时间内的变化幅度为负值,且该变化幅度的绝对值为正的预定的第二值以上,则检测到所述液面从比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置变化至比配置所述第一测温电阻体的位置低的位置,若所述变化幅度为正值,且该变化幅度的绝对值为所述第二值以上,则检测到所述液面从比配置所述第一测温电阻体的位置低的位置变化至比配置所述第一测温电阻体的位置高的位置。5.根据权利要求1所述的液面计,其特征在于,所述第一测温电阻体以及所述温度测定体通过支撑部件而被固定在水平方向。6.根据权利要求1所述的液面计,其特征在于,所述温度测定体为流动比流动于所述第一测温电阻体的电流值小的值的电流的测温电阻体。7.根据权利要求2所述的液面计,其特征在于,对于所述电流控制部,在为了使所述温度差成为所述第一值而流动于所述第一测温电阻体的所述电流值比预定的上限值大的情况下,将流动于所述第一测温电阻体的所述电流值维持在所述上限值,在为了使所述温度差成为所述第一值而流动于所述第一测温电阻体的所述电流值比预定的下限值小的情况下,将流动于所述第一测温电阻体的所述电流值维持在所述下限值。8.根据权利要求2所述的液面计,其特征在于,还具备电压测定部,所述电压测定部测定所述第一测温电阻体的两端的电压,所述温度检测部根据由所述电压测定部测定的所述第一测温电阻体的两端的电压确定所述第一测温电阻体的温度,对于所述电流控制部,在所述温度差比预定的基准值大的情况下,将流动于所述第一测温电阻体的所述电流值确定为比流动于所述第一测温电阻体的电流值小的值,在所述温度差比所述基准值小的情况下,将流动于所述第一测温电阻体的所述电流值确定为比流动于所述第一测温电阻体的电流值大的值,在所述温度差等于所述基准值的情况下,将流动于所述第一测温电阻体的所述电流值确定为与流动于所述第一测...
【专利技术属性】
技术研发人员:日高敦志,中谷贵纪,山下哲,杉田胜幸,平田薰,永濑正明,西野功二,池田信一,
申请(专利权)人:株式会社富士金,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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