沉积装置制造方法及图纸

公开了沉积装置。本发明专利技术提供一种沉积装置，用于在基板上形成膜，特征在于包含：被配置为使靶材绕旋转轴旋转的旋转部；被配置为产生电弧放电的撞击件；被配置为驱动撞击件以在产生电弧放电时获得靶材的旋转轴周围的侧表面与撞击件彼此接近的接近状态的驱动部，以及被配置为控制通过旋转部的靶材的旋转以改变接近状态下靶材的面向撞击件的侧表面的面向位置的控制部。

Deposition device

【技术实现步骤摘要】
沉积装置本申请是申请号为201480075404.5，申请日为2014年11月14日，题为“沉积装置”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及在基板上形成膜的沉积装置。
技术介绍
在形成硬盘等的媒体的保护膜的方法方面，有利用乙炔(C2H2)或乙烯(C2H4)等的反应性气体的CVD(化学气相沉积)法。近年来，为了进一步缩小磁读头与媒体的磁记录层之间的距离和磁头浮起量而提升驱动特性，要求使形成于磁记录层上的碳等的保护膜(碳保护膜)更薄。另一方面，以CVD法而形成的碳保护膜，由于其特性，据说膜厚的极限为2nm～3nm。所以，作为代替CVD法、可形成更薄的保护膜的技术，注意到了采用电弧放电的沉积方法(真空电弧沉积法：VacuumArcDeposition)(参考专利文献1及2)。真空电弧沉积法，与CVD法相比，含氢量少，可形成更硬的碳保护膜，故有能够使膜厚薄至1nm程度的可能性。在公开于专利文献1的真空电弧沉积法中，使由石墨所形成的靶材为阴极，在靶材与配置于靶材的附近的阳极之间进行电弧放电从而产生ta-C膜所需的碳离子。通过使连接到阳极的撞击件接近或接触靶材而产生电弧放电。在这样的真空电弧沉积法中，在一般情况下，使用圆柱状的靶材，使撞击件接触该靶材的上表面的中央部的附近而产生电弧放电。靶材的上表面的撞击件所接触的位置(产生电弧放电的位置)被磨削而成为凹处(电弧点)。因此，使靶材旋转而改变与撞击件的接触位置，从而平均化电弧点所导致的靶材的凹凸。采用圆柱状的靶材的情况下，于靶材的上表面的外周部分产生电弧点时，沉积速率变动。因此，优选仅在靶材的上表面的中央部中产生电弧点。其中，如果不在靶材的上表面的外周部分中产生电弧点，则靶材的上表面的外周部分变得不会被磨削而残留。所以，专利文献2提出了当靶材的上表面的电弧点(凹处)变成大至某程度时将靶材的上表面用磨器等磨削从而平坦化的技术。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：国际公开第96/26531号小册专利文献2：日本专利技术专利公开2009-242929号公报
技术实现思路
[技术问题]然而，将靶材的上表面磨削导致将可作为靶材的一部分去除。因此这在提升靶材的利用效率方面成为阻碍。此外，在现有技术中，需要将磨削靶材的上表面的步骤编入沉积程序中，导致产量降低。再者，靶材的研磨粉可能进入使靶材旋转的旋转装置(的驱动部)，导致旋转装置的故障。本专利技术，鉴于如此的现有技术的课题而作出，以作为例示性目的提供在不磨削靶材的情况下在使靶材的利用效率提升方面有利的沉积装置。[解决问题的技术手段]根据本专利技术的一方面，提供一种在基板上形成膜的沉积装置，包含：旋转部，被配置为使靶材绕旋转轴旋转；撞击件，被配置为产生电弧放电；驱动部，被配置为驱动撞击件以形成靶材的旋转轴周围的侧表面与撞击件接近的接近状态从而产生电弧放电；和控制部，被配置为控制靶材的通过旋转部的旋转，以改变在接近状态下靶材的面向撞击件的侧表面的面向位置。本专利技术的进一步的目的或其他方面将因参照附图而说明的优选实施例而明朗化。[专利技术的有利效果]根据本专利技术，可例如提供在不磨削靶材的情况下、在使靶材的利用效率提升方面有利的沉积装置。附图说明[图1]是示出作为本专利技术的一方面的处理装置的构成的示意性平面图。[图2A]是示出图1所示的处理装置中的载体的构成的示意图。[图2B]是示出图1所示的处理装置中的载体的构成的示意图。[图3]是示出沉积装置的构成的一例的示意图。[图4]是图3所示的沉积装置的来源部的放大正面图。[图5]是图3所示的沉积装置的来源部的放大俯视图。[图6]是图4所示的来源部的沿A-A线切取的视图。[图7]是图5所示的来源部的沿B-B线切取的视图。[图8]是示出图3所示的沉积装置的动作的控制系统的构成的框图。[图9A]是用于解释在图3所示的沉积装置中产生电弧放电的位置的控制的视图。[图9B]是用于解释在图3所示的沉积装置中产生电弧放电的位置的控制的视图。[图9C]是用于解释在图3所示的沉积装置中产生电弧放电的位置的控制的视图。[图9D]是用于解释在图3所示的沉积装置中产生电弧放电的位置的控制的视图。[图9E]是用于解释在图3所示的沉积装置中产生电弧放电的位置的控制的视图。具体实施方式以下将参照附图描述本专利技术的优选实施例。另外，在各图中，相同的部件被赋予相同的参考号，重复的说明将被省略。图1是示出根据本专利技术的一方面的处理装置100的构成的示意性平面图。处理装置100是将膜形成于在硬盘等的媒体所使用的基板上的真空处理装置(沉积装置)，在本实施例中，以串接方式构成处理装置100。串接方式是在经由被连结的多个腔室搬送基板的同时处理基板的方法。在图1，多个腔室111至130环形地连结以形成矩形布局。腔室111至130的中的每一个设有将腔室抽真空的排气装置。在处理装置100中，互相邻接的腔室通过闸阀而连结。在腔室111至130中的每一个中，配置有通过闸阀搬送保持基板1的载体10的搬送装置。该搬送装置包括将载体10以垂直姿势搬送的搬送路径。基板1被载体10保持且沿着搬送路径被搬送。基板1是在中心部分具有孔(内周孔)的由金属或玻璃制成的盘状部件。在基板1的两侧(即，前侧和背侧)形成磁性层或保护膜等。腔室111至130包含进行各种处理的处理室。在腔室111至130之中，例如，腔室111是进行将基板1安装到载体10的处理的加载闭锁室(loadlockchamber)，腔室116是进行从载体10将基板1卸除的处理的卸载闭锁室(Unloadlockchamber)。腔室112、113、114及115中的每一个包含将载体10(基板1)的搬送方向改变90度的方向转换装置。腔室117是在基板1上形成附着层的附着层形成室，腔室118、119及120中的每一个是在形成了附着层的基板1上形成软磁性层的软磁性层形成室。腔室121是在形成了软磁性层的基板1上形成晶种层的晶种层形成室。腔室123及124中的每一个是在形成了晶种层的基板1上形成中间层的中间层形成室。腔室126及127中的每一个是在形成了中间层的基板1上形成磁性膜的磁性膜形成室。腔室129是在形成了磁性膜的基板1上形成保护膜的保护膜形成室。将描述在处理装置100中的基板1的处理程序的例子。首先，在腔室111中，未处理的2个基板1被安装到第一载体10。该载体10移动至用于形成附着层的腔室117，而在基板1上形成附着层。此期间，在腔室111中，2个未处理的基板1被安装到第二个载体10。接着，在第一载体10依序移动至用于形成软磁性层的腔室118、119及120的同时在基板1上形成软磁性层。此期间，第二个载体10移动至用于形成附着层的腔室117，在基板1上形成附着层。并且，在腔室111中，基板1被安装到第3个载体10。如此，每当第一载体10及跟着的载体10移动，就在腔室111中将基板1安装到后续的载体10。接着，保持形成了软磁性层的基板1的第一载体10移动至用于形成晶种层的腔室121，以在基板1上形成晶种层。然后，第一载体10依次移动至用于形成中间层的腔室123及124、用于形成磁性膜的腔室126及127、以及用于形成保护膜的腔室129，以在基板1上形成中间层、磁性膜及保护膜。图2A及图2B中的每一个是示出载体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种沉积装置，用于在基板上形成膜，特征在于包含：旋转部，被配置为使靶材绕旋转轴旋转；撞击件，连接到电压施加部并且被配置为产生电弧放电；驱动部，被配置为驱动撞击件以形成靶材的旋转轴周围的侧表面与撞击件接近的接近状态从而产生电弧放电；和控制部，被配置为控制靶材的通过旋转部的旋转，以改变在接近状态下靶材的侧表面的面向撞击件的面向位置。

【技术特征摘要】
2014.03.18 JP 2014-0555701.一种沉积装置，用于在基板上形成膜，特征在于包含：旋转部，被配置为使靶材绕旋转轴旋转；撞击件，连接到电压施加部并且被配置为产生电弧放电；驱动部，被配置为驱动撞击件以形成靶材的旋转轴周围的侧表面与撞击件接近的接近状态从而产生电弧放电；和控制部，被配置为控制靶材的通过旋转部的旋转，以改变在接近状态下靶材的侧表面的面向撞击件的面向位置。2.如权利要求1所述的沉积装置，还包含移动部，移动部被配置为使靶材沿旋转轴移动，其中，控制单元还控制靶材的通过移动部的移动，以改变在接近状态下靶材的侧表面的面向撞击件的面向位置。3.如权利要求2所述的沉积装置，其中，控制部控制靶材的通过旋转部的旋转以及靶材的通过移动部的移动，以使得靶材绕旋转...

【专利技术属性】
技术研发人员：厚见正浩，
申请(专利权)人：佳能安内华股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP