含锡半导体发光材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种含锡半导体发光材料及其制备方法。所述含锡半导体发光材料的化学式为CsSn1‑xMnxCl3或CsSn1‑yIn2y/3Cl3。制备方法为：将含有Cs、Sn、Mn和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑xMnxCl3；或将含有Cs、Sn、In和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1‑yIn2y/3Cl3。CsSn1‑xMnxCl3发光位于红光波长范围，CsSn1‑yIn2y/3Cl3发光位于蓝绿光波长范围，两种材料在室温下均以立方钙钛矿结构稳定存在，具有低毒、易制备等优点。

Tin-containing Semiconductor Luminescent Materials and Their Preparation Method

【技术实现步骤摘要】
含锡半导体发光材料及其制备方法
本专利技术涉及一种具有含锡半导体发光材料及其制备方法，具体涉及化学式通式为CsSn1-xMnxCl3和CsSn1-yIn2y/3Cl3的新材料及其制备方法，属于新材料

技术介绍
具有钙钛矿结构的一大类新型材料具有优异的半导体性质，在光电转化领域如薄膜太阳能电池和发光器件中存在巨大的应用前景，引起了全世界研究人员的广泛关注。在钙钛矿材料的ABX3结构中，A为大的碱金属离子(常见Cs+)或有机阳离子(常见甲铵阳离子MA+)，B为二价阳离子Pb2+或Sn2+，X为卤素阴离子(Cl-，Br-或I-)。钙钛矿半导体材料发光可以来源于其直接带隙或由于掺杂或缺陷而导致的带间能级。例如，按照X从Cl-到I-的顺序，CsPbX3量子点材料的发光可以从近紫外到近红外的光谱范围中来调控(Adv.Mater.2015,27,7162–7167)。如果在CsPbCl3中掺入Mn2+，则发出最大波长位于590nm附近的橙色光(Angew.Chem.Int.Ed.2017,56,8746–8750；J.Am.Chem.Soc.2017,139,11443–11450；Na本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种含锡半导体发光材料，其特征在于，其化学式为CsSn1‑xMnxCl3或CsSn1‑yIn2y/3Cl3，其中，x＝0.05～0.15，y＝0.05～0.15。

【技术特征摘要】
1.一种含锡半导体发光材料，其特征在于，其化学式为CsSn1-xMnxCl3或CsSn1-yIn2y/3Cl3，其中，x＝0.05～0.15，y＝0.05～0.15。2.如权利要求1所述的含锡半导体发光材料，其特征在于，所述x＝0.08–0.12；y＝0.10。3.权利要求1所述的含锡半导体发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：步骤1)：将含有Cs、Sn、Mn和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1-xMnxCl3；步骤2)：将含有Cs、Sn、In和Cl元素的反应物按比例混合，在氮气保护下加热反应得到CsSn1-yIn2y/3Cl3。4.如权利要求3所述的含锡半导体发光材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)、步骤2)中加热反应的温度均为380～550℃。5.如权利要求3所述的含锡半导体发光材料的制备方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：米启兮，张琪琪，吴子颜，
申请(专利权)人：上海科技大学，
类型：发明
国别省市：上海,31