【技术实现步骤摘要】
清洗槽
本专利技术涉及半导体晶圆加工的晶圆清洗
,尤其是涉及一种清洗槽。
技术介绍
随着半导体工业的发展,器件工艺技术的关键尺寸不断缩小,而晶圆是制造半导体芯片的基本材料,由此在半导体的加工工艺中对晶体的洁净度有了很高的要求。目前对于晶圆的湿法清洗可分为多槽式、旋转冲洗甩干式及单片腐蚀清洗式三种方式,其中,多槽式清洗式以其高效的工作方式,以及近年来湿化学设备的不断升级改进,多槽式清洗在湿法清洗中仍具有重要地位。超纯水清洗是湿法清洗中使用最为普遍的工艺步骤,对超纯水的纯净度具有很高的要求。超纯水清洗通过QDR工艺槽(快排冲洗槽)实现,清洗过程中槽体内部超纯水一直处于溢流状态,因此,随着清洗过程的进行,QDR工艺槽内超纯水的水质是不断变化的,而现有的对超纯水的水质检测的水阻率检测装置对工艺槽内的水质的水阻率的检测不准确,无法达到对水阻率检测的准确度的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种清洗槽,以解决现有技术中存在的,水阻率检测装置对清洗槽内的水质的水阻率检测的准确度无法达到要求的技术问题。本专利技术提供的一种清洗槽,包括槽体和水阻率检测装置;所述槽体的 ...
【技术保护点】
1.一种清洗槽,其特征在于,包括槽体和水阻率检测装置;所述槽体的侧壁上设有出水孔,所述水阻率检测装置设置在所述出水孔;所述槽体的至少其中一侧的侧壁的上沿形成溢流口;所述水阻率检测装置包括进水口和出水口,所述水阻率检测装置的进水口与所述槽体的出水孔连通;所述水阻率检测装置的出水口低于槽体的溢流口,且所述水阻率检测装置的出水口高于所述水阻率检测装置的进水口。
【技术特征摘要】
1.一种清洗槽,其特征在于,包括槽体和水阻率检测装置;所述槽体的侧壁上设有出水孔,所述水阻率检测装置设置在所述出水孔;所述槽体的至少其中一侧的侧壁的上沿形成溢流口;所述水阻率检测装置包括进水口和出水口,所述水阻率检测装置的进水口与所述槽体的出水孔连通;所述水阻率检测装置的出水口低于槽体的溢流口,且所述水阻率检测装置的出水口高于所述水阻率检测装置的进水口。2.根据权利要求1所述的清洗槽,其特征在于,所述水阻率检测装置包括弯折管、连通管、三通接头和水阻率检测探头;所述三通接头包括第一接口、第二接口和第三接口;所述第一接口和第二接口相对设置,所述第三接口高于所述第一接口和第二接口的高度;所述弯折管的一端与清洗槽的出水孔连接,所述弯折管的另一端与三通接头的第一接口连接并连通,所述三通接头的第二接口与水阻率检测探头连接;所述三通接头的第三接口为水阻率检测装置的出水口。3.根据权利要求2所述的清洗槽,...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵宝君,张伟锋,夏楠君,祝福生,范文斌,
申请(专利权)人:北京半导体专用设备研究所中国电子科技集团公司第四十五研究所,
类型:发明
国别省市:北京,11
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