【技术实现步骤摘要】
一种单向反射PT对称结构电场传感器
本专利涉及光学器件设计领域,具体涉及一种单向反射PT对称结构电场传感器。
技术介绍
电场强度的测量是工业生产和科学研究中不可或缺的重要环节,各式各样的电场强度或电压测量仪器遍布人们生产生活的方方面面。在电场传感设备的设计中,高强度电场测量和传感是较为困难的一个领域。高强度的电场对于人和设备都是极其危险的,这就要求传感设备具有可靠性高、电气特性稳定、部署与使用过程安全便捷等特点,而光学电场传感器恰恰满足了这样的要求。近些年,光学器件设计领域涌现出一大批以PT(parity-time,宇称-时间)对称结构为基础的研究成果。PT对称结构与传统光学器件结合,不仅为器件性能改进打开了新的思路,也揭示了PT对称结构所具有的一系列奇异的物理性质。
技术实现思路
本专利将PT对称结构应用至光学器件设计领域,提出一种单向反射PT对称结构电场传感器。一种单向反射PT对称结构电场传感器,所述电场传感器采用周期PT对称结构,其中每一个周期都依次由A、B、C三种不同的介质层构成,周期数为N,整个结构可以用(ABC)N表示;A层由增益介质材料构成,C层由损耗介 ...
【技术保护点】
1.一种单向反射PT对称结构电场传感器,其特征在于:所述电场传感器采用周期PT对称结构,其中每一个周期都依次由A、B、C三种不同的介质层构成,周期数为N,整个结构可以用(ABC)
【技术特征摘要】
1.一种单向反射PT对称结构电场传感器,其特征在于:所述电场传感器采用周期PT对称结构,其中每一个周期都依次由A、B、C三种不同的介质层构成,周期数为N,整个结构可以用(ABC)N表示;A层由增益介质材料构成,C层由损耗介质材料构成,B层使用电光材料构建;结构中的B层充当了共振腔的作用,配合周期性结构产生布拉格散射;所有材料均为非磁性材料,即相对磁导率为1。2.根据权利要求1所述的一种单向反射PT对称结构电场传感器,其特征在于:A层和C层中使用二氧化硅作基底材料掺杂不同形式的量子点,分别构成增益介质材料和损耗介质材料。3.根据权利要求1所述的一种单向反射PT对称结构电场传感器,其特征在于:B层的电光材料采用5mol%氧化镁掺杂的铌酸锂,其为一种典型的电光材料,其折射率会随外加电场变化。4.根据权利要求1所述的一种单向反射PT对称结构电场传感器,其特征在于:保持A层和...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱宇光,方云团,张亦弛,
申请(专利权)人:常州轻工职业技术学院,常州宇科新技术开发有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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