分割预定线的检测方法技术

提供分割预定线的检测方法，能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。分割预定线的检测方法对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，该分割预定线的检测方法具有保持步骤(ST1)、超声波测量步骤(ST2)以及检测步骤(ST3)。在保持步骤中，将半导体装置保持于保持工作台。在超声波测量步骤中，一边使保持工作台所保持的半导体装置和作为超声波照射单元发挥功能的超声波探头按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量。在检测步骤中，根据反射回波的分布对分割预定线进行检测。

Detection Method for Segmenting Preset Lines

【技术实现步骤摘要】
分割预定线的检测方法
本专利技术涉及分割预定线的检测方法。
技术介绍
当按照每个器件芯片对具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置进行分割时，为了识别分割预定线，已知有将半导体装置的外周部去除而使埋设于分割预定线的槽的树脂露出的方法(例如，专利文献1)。专利文献1：日本特开2017-117990号公报但是，在专利文献1的方法中，存在如下的问题：对半导体装置的外周部进行加工，从而伴随着外周部的加工的切削屑有可能会附着于器件芯片。
技术实现思路
本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供分割预定线的检测方法，降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。为了解决上述的课题而实现目的，本专利技术的分割预定线的检测方法对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，其特征在于，该分割预定线的检测方法具有如下的步骤：保持步骤，将该半导体装置保持于保持工作台；超声波测量步骤，一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及检测步骤，根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。也可以是，该检测步骤进一步具有如下的图像处理步骤：将该反射回波转换成具有颜色信息的图像数据，该分割预定线的检测方法根据该图像数据的颜色信息对该分割预定线进行检测。也可以是，该分割预定线的检测方法在实施该超声波测量步骤之前具有如下的步骤：准备超声波测量步骤，一边使该半导体装置和该超声波照射单元按照规定的间隔在该半导体装置的厚度方向上相对移动，一边对该半导体装置的内部照射超声波，并对准备反射回波进行测量；以及准备检测步骤，根据该准备反射回波在该半导体装置的厚度方向上的分布而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。也可以是，该准备检测步骤进一步具有如下的准备图像处理步骤：将该准备反射回波转换成具有颜色信息的准备图像数据，该分割预定线的检测方法根据该准备图像数据的颜色信息而确定在该超声波测量步骤中照射超声波的位置。本申请专利技术的分割预定线的检测方法起到如下的效果：能够降低伴随着加工的切削屑附着于器件芯片的可能性。附图说明图1是示出作为实施方式1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。图2是图1的半导体装置的II-II剖视图。图3是示出切削装置的结构例的立体图，该切削装置包含实施方式1的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置。图4是图3的切削装置所包含的超声波检查单元的IV-IV剖视图。图5是实施方式1的分割预定线的检测方法的流程图。图6是对图5的超声波测量步骤进行说明的说明图。图7是示出在图5的超声波测量步骤中所测量的反射回波的一例的说明图。图8是示出在图5的超声波测量步骤中所测量的反射回波的另一例的说明图。图9是示出在图5的图像处理步骤中所得到的图像数据的一例的说明图。图10是实施方式2的分割预定线的检测方法的流程图。图11是对图10的准备超声波测量步骤进行说明的说明图。图12是示出在图10的准备超声波测量步骤中所测量的准备反射回波的一例的说明图。图13是示出在图10的准备超声波测量步骤中所测量的准备反射回波的另一例的说明图。图14是示出在图10的准备图像处理步骤中所得到的准备图像数据的一例的说明图。图15是示出在图10的准备图像处理步骤中所得到的准备图像数据的另一例的说明图。图16是示出实施方式3的分割预定线的检测方法中所用的分割预定线的检测装置的结构例的概略结构图。图17是实施方式3的分割预定线的检测方法的一例的流程图。图18是实施方式3的分割预定线的检测方法的另一例的流程图。图19是示出作为实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。图20是图19的半导体装置的XX-XX剖视图。图21是示出在实施方式1至实施方式3的变形例1的分割预定线的检测方法的图像处理步骤中所得到的图像数据的一例的说明图。图22是示出作为实施方式1至实施方式3的变形例2的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置的一例的正面视图。图23是图22的半导体装置的XXIII-XXIII剖视图。标号说明1、301、331：半导体装置；3：器件芯片；4：树脂；5：分割预定线；6：外周剩余区域；7、307、337：封装器件；8：再布线层；9、305：焊球；10：切削装置；11：保持工作台；12：保持面；13：旋转驱动源；20：切削单元；21：切削刀具；22：主轴；23：主轴壳体；30：X轴移动单元；31、41、51：滚珠丝杠；32、42、52：脉冲电动机；33、43、53：导轨；34：X方向位置检测单元；35、45：线性标尺；36、46：读取头；40：Y轴移动单元；44：Y方向位置检测单元；50：Z轴移动单元；54：Z方向位置检测单元；60：拍摄单元；70：超声波检查单元；71：超声波探头；71-1、71-2、71-3：位置；72：支托；73：水提供路；78：空间；79：水；80：水提供单元；90、200：分割预定线的检测装置；100：控制单元；110：超声波测量部；111：超声波脉冲发生器；112：超声波接收器；113：超声波检测器；120：图像处理部；130：显示单元；140、140-1、140-2、140-3：超声波；150-1、150-2、150-3：反射回波；151、152、153、171、172、173：电压信号；155、315：图像数据；157、158、181、182、183、184、185、192、194、317、318：像素区域；160-1、160-2：点；170-1、170-2：准备反射回波；180、190：准备图像数据；230：扫描装置；234：试样载台；235：支柱；236：3轴扫描器；236-1：X轴方向导轨；236-2：Y轴方向导轨；236-3：Z轴方向导轨；237：保持工作台；240：超声波测量装置；260：控制装置；270：驱动装置；280：图像处理装置；303：焊料凸起；304：封装基板；332：槽；333：凸起。具体实施方式参照附图，对用于实施本专利技术的方式(实施方式)进行详细说明。本专利技术并不被以下实施方式所记载的内容限定。另外，在以下所记载的构成要素中包含本领域技术人员能够容易想到的内容、实质上相同的内容。另外，以下所记载的结构可以适当组合。另外，可以在不脱离本专利技术的主旨的范围内进行结构的各种省略、置换或变更。[实施方式1]根据附图，对本专利技术的实施方式1的分割预定线的检测方法进行说明。图1是示出作为实施方式1的分割预定线的检测方法的对象的半导体装置1的一例的正面视图。图2是图1的半导体装置1的II-II剖视图。实施方式1的分割预定线的检测方法是用于将图1和图2所示的半导体装置1按照每个器件芯片3进行单片化的方法。如图1和图2所示，半导体装置1是晶片形状、即圆形的板状，其具有多个器件芯片3、树脂4、分割预定线5、外周剩余区域6、再布线层8以及焊球9。在半导体装置1中，如图1所示，多个器件芯片3是正方形状，沿着相互垂直的各方向二维排列。器件芯片3是高集成度半导体，是对以硅、蓝宝石、镓等作为母材的半导体晶片或光器件晶片进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分割预定线的检测方法，对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，其特征在于，该分割预定线的检测方法具有如下的步骤：保持步骤，将该半导体装置保持于保持工作台；超声波测量步骤，一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及检测步骤，根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。

【技术特征摘要】
2018.02.05 JP 2018-0184941.一种分割预定线的检测方法，对用于将具有被树脂密封的多个器件芯片的半导体装置按照每个该器件芯片进行单片化的分割预定线进行检测，其特征在于，该分割预定线的检测方法具有如下的步骤：保持步骤，将该半导体装置保持于保持工作台；超声波测量步骤，一边使该保持工作台所保持的该半导体装置和超声波照射单元按照规定的间隔在水平方向上相对移动，一边对该半导体装置的规定的厚度部分照射超声波，并对反射回波进行测量；以及检测步骤，根据该反射回波的分布对该分割预定线进行检测。2.根据权利要求1所述的分割预定线的检测方法，其特征在于，该检测步骤进一步具有如下的图像处理步骤：将该反射回波转换成具有颜色信息的图像数据，该分割预定线的检...

【专利技术属性】
技术研发人员：田篠文照，井谷博之，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：日本,JP