一种X波段12W功率放大器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种X波段12W功率放大器电路，包括功率放大模块和放大倍数调节模块，其中，双并行结构的三极管连接运算放大器输出端，可以实现稳定的功率放大处理；可调电容通过MOSFET管与运算放大器的输入端连接，可以通过控制运放负反馈电压来改变电路放大倍数。本实用新型专利技术整体设计可以灵活地进行功率放大处理，且工作稳定，造价低。

An X-Band 12W Power Amplifier Circuit

【技术实现步骤摘要】
一种X波段12W功率放大器电路
本技术涉及功率放大领域，具体来说，涉及一种X波段12W功率放大器电路，可以稳定灵活地进行小信号功率放大处理。
技术介绍
随着电信领域的不断发展，无线通信技术也在不断进步，而在几乎所有的射频和微波系统中，都离不开信号的放大。功率放大器作为系统中功耗最大，产生非线性最强的模块，它的性能将直接影响系统性能的优劣。正是由于功率放大器在射频微波系统中的突出位置，使得对其的研究也逐渐成为射频微波领域的一个十分重要的方向。相比于其他放大器，功率放大器的特点是不单纯追求输出高电压或者输出大的电流，而是追求在电源电压确定的情况下，输出尽可能大的功率。目前市面上常用的功率放大器会在牺牲功耗的情况下，提高功率输出，这种方法容易造成电路工作热量产生过大，造成电子元器件工作失稳的情况。同时，功率放大器的放大倍数通常比较固定，很难针对电路需要做出改动，所以使用起来灵活度不够。能够同时完成灵活度高和运放效果较好的功率放大器往往需要较高的成本，这对于小型微波或者射频系统来说，比较不符合实际成本控制的要求。
技术实现思路
针对相关技术中的问题，本技术提出一种X波段12W功率放大器电路，以克服现有相关技术所存在的上述技术问题。本技术的技术方案是这样实现的：一种X波段12W功率放大器电路，其特征在于，包括功率放大模块和放大倍数调节模块；功率放大模块，包括运算放大器AR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、电感L2、三极管Q1、三极管Q2、电容C1和电容C2，所述电容C2的一端与电流信号I-in连接，所述电容C2的另一端分别与所述电感L2的一端、所述运算放大器AR1的第二引脚连接，所述电感L2的另一端接地，所述运算放大器AR1的第七引脚与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的一端、所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R1的另一端接地，所述三极管Q1的基极分别与所述运算放大器AR1的第六引脚、所述电感L1的一端、所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电感L1的另一端、所述电阻R2的一端连接，所述三极管Q2的集电极与所述电阻R3的一端的连接，所述电阻R3的另一端与所述运算放大器AR1的第四引脚连接，所述运算放大器AR1的第三引脚与所述电阻R4的一端连接，所述运算放大器AR1的第一引脚与所述运算放大器AR1的第五引脚、所述运算放大器AR1的第八引脚均为断路；放大倍数调节模块，包括MOSFET管Q3、电阻R5、电容C3、可变电容CV1、二极管D1和扬声器LS1，所述MOSFET管Q3的S极与所述电阻R4的另一端连接，所述MOSFET管Q3的D极分别与所述可变电容CV1的一端、所述电阻R5的一端连接，所述MOSFET管Q3的G极分别与所述电阻R2的另一端、所述电容C3的一端连接，所述可变电容CV1的另一端与所述扬声器LS1的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述二极管D1连接，所述二极管D1的另一端与所述扬声器LS1的另一端、所述电容C3的另一端均接地。进一步，所述三极管Q1是NPN型三极管；所述三极管Q2是PNP型三极管。进一步，所述MOSFET管Q3是N沟道型晶体管。进一步，所述电阻R1、所述电阻R3、所述电阻R4与所述电阻R5的电阻值大小均为1kΩ；所述电阻R2的电阻值大小为2.2kΩ。进一步，所述电容C1与所述电容C2、所述电容C3的电容值大小均为100pF。进一步，所述电感L1与所述电感L2的电感值大小均为10mH。本技术的有益效果为：本技术通过设计双并行三极管与运算放大器串联使用，加强了电路功率放大的稳定性；可调电容的使用可以控制运放负反馈电路的电压，从而改变电路放大倍数；整体设计可以灵活地进行功率放大处理，且工作稳定，造价低。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本技术实施例的一种X波段12W功率放大器电路。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。根据本技术的实施例，提供了一种X波段12W功率放大器电路。如图1所示，根据本技术实施例的X波段12W功率放大器电路，其特征在于，包括功率放大模块和放大倍数调节模块；功率放大模块，包括运算放大器AR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、电感L2、三极管Q1、三极管Q2、电容C1和电容C2，所述电容C2的一端与电流信号I-in连接，所述电容C2的另一端分别与所述电感L2的一端、所述运算放大器AR1的第二引脚连接，所述电感L2的另一端接地，所述运算放大器AR1的第七引脚与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的一端、所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R1的另一端接地，所述三极管Q1的基极分别与所述运算放大器AR1的第六引脚、所述电感L1的一端、所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电感L1的另一端、所述电阻R2的一端连接，所述三极管Q2的集电极与所述电阻R3的一端的连接，所述电阻R3的另一端与所述运算放大器AR1的第四引脚连接，所述运算放大器AR1的第三引脚与所述电阻R4的一端连接，所述运算放大器AR1的第一引脚与所述运算放大器AR1的第五引脚、所述运算放大器AR1的第八引脚均为断路；放大倍数调节模块，包括MOSFET管Q3、电阻R5、电容C3、可变电容CV1、二极管D1和扬声器LS1，所述MOSFET管Q3的S极与所述电阻R4的另一端连接，所述MOSFET管Q3的D极分别与所述可变电容CV1的一端、所述电阻R5的一端连接，所述MOSFET管Q3的G极分别与所述电阻R2的另一端、所述电容C3的一端连接，所述可变电容CV1的另一端与所述扬声器LS1的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述二极管D1连接，所述二极管D1的另一端与所述扬声器LS1的另一端、所述电容C3的另一端均接地。在一个实施例中，所述三极管Q1是NPN型三极管；所述三极管Q2是PNP型三极管。在一个实施例中，所述MOSFET管Q3是N沟道型晶体管。在一个实施例中，所述电阻R1、所述电阻R3、所述电阻R4与所述电阻R5的电阻值大小均为1kΩ；所述电阻R2的电阻值大小为2.2kΩ。在一个实施例中，所述电容C1与所述电容C2、所述电容C3的电容值大小均为100pF。在一个实施例中，所述电感L1与所述电感L2的电感值大小均为10mH。工作原理：运算放大器AR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、电感L2、三极管Q1、三极管Q2、电容C1及电容C2组成功率放大模块，所述运算放大器AR1的作用是对输入电流信号进行功率放大，转化成大信号；所述电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X波段12W功率放大器电路，其特征在于，包括功率放大模块和放大倍数调节模块；功率放大模块，包括运算放大器AR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、电感L2、三极管Q1、三极管Q2、电容C1和电容C2，所述电容C2的一端与电流信号I‑in连接，所述电容C2的另一端分别与所述电感L2的一端、所述运算放大器AR1的第二引脚连接，所述电感L2的另一端接地，所述运算放大器AR1的第七引脚与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的一端、所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R1的另一端接地，所述三极管Q1的基极分别与所述运算放大器AR1的第六引脚、所述电感L1的一端、所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电感L1的另一端、所述电阻R2的一端连接，所述三极管Q2的集电极与所述电阻R3的一端的连接，所述电阻R3的另一端与所述运算放大器AR1的第四引脚连接，所述运算放大器AR1的第三引脚与所述电阻R4的一端连接，所述运算放大器AR1的第一引脚与所述运算放大器AR1的第五引脚、所述运算放大器AR1的第八引脚均为断路；放大倍数调节模块，包括MOSFET管Q3、电阻R5、电容C3、可变电容CV1、二极管D1和扬声器LS1，所述MOSFET管Q3的S极与所述电阻R4的另一端连接，所述MOSFET管Q3的D极分别与所述可变电容CV1的一端、所述电阻R5的一端连接，所述MOSFET管Q3的G极分别与所述电阻R2的另一端、所述电容C3的一端连接，所述可变电容CV1的另一端与所述扬声器LS1的一端连接，所述电阻R5的另一端与所述二极管D1连接，所述二极管D1的另一端与所述扬声器LS1的另一端、所述电容C3的另一端均接地。...

【技术特征摘要】
1.一种X波段12W功率放大器电路，其特征在于，包括功率放大模块和放大倍数调节模块；功率放大模块，包括运算放大器AR1、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电感L1、电感L2、三极管Q1、三极管Q2、电容C1和电容C2，所述电容C2的一端与电流信号I-in连接，所述电容C2的另一端分别与所述电感L2的一端、所述运算放大器AR1的第二引脚连接，所述电感L2的另一端接地，所述运算放大器AR1的第七引脚与所述电容C1的一端连接，所述电容C1的另一端分别与所述电阻R1的一端、所述三极管Q1的集电极连接，所述电阻R1的另一端接地，所述三极管Q1的基极分别与所述运算放大器AR1的第六引脚、所述电感L1的一端、所述三极管Q2的基极连接，所述三极管Q2的发射极分别与所述三极管Q1的发射极、所述电感L1的另一端、所述电阻R2的一端连接，所述三极管Q2的集电极与所述电阻R3的一端的连接，所述电阻R3的另一端与所述运算放大器AR1的第四引脚连接，所述运算放大器AR1的第三引脚与所述电阻R4的一端连接，所述运算放大器AR1的第一引脚与所述运算放大器AR1的第五引脚、所述运算放大器AR1的第八引脚均为断路；放大倍数调节模块，包括MOSFET管Q3、电阻R5、电容C3、可变电容CV1、二极管D1和...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐小杰，吴洁，
申请(专利权)人：南京天矽微电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32